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公开(公告)号：CN115692346A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210774027.0
申请日：2022-07-01
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/367 , H01L23/29
Abstract: 本发明的半导体模块包括：半导体开关元件；及应力施加部，其设置于半导体开关元件的第一表面和与第一表面相反侧的第二表面中的一方或双方，具有比半导体开关元件的主要材料的线膨胀系数要大的线膨胀系数，且厚度比半导体开关元件要厚，应力施加部利用伴随温度变化的应力施加部的热收缩或热膨胀，使半导体开关元件产生压缩应力或拉伸应力，随着半导体开关元件的压缩应力或拉伸应力的大小的增加，半导体开关元件导通的阈值电压降低。
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公开(公告)号：CN102428634B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201080021721.0
申请日：2010-05-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/08
CPC classification number: H03K17/168 , H02M1/08 , H03K17/163
Abstract: 在对电压驱动型的开关元件(1)进行驱动的栅极驱动电路(10)中，设置电流限制电路(6)，该电流限制电路(6)以电流限制值IL为上限值来限制在接通时经由栅极电阻(3a)流向栅极端子的栅极电流ig。电流限制值IL被设定为高于开关元件(1)接通时产生密勒效应的期间的栅极电流值I2、且低于没有电流限制电路(6)的限制的情况下的接通时主电流开始流动的时刻的栅极电流值I1。而且，通过使在开关元件(1)接通时开关元件(1)的集电极电流的开始流动时的变化变得缓慢来降低高频噪声。
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公开(公告)号：CN109168321B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201780016770.7
申请日：2017-03-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在该半导体模块(1)中，第1及第2半导体芯片(C1、C2)的各个包括晶体管(2)、和连接于第1及第2控制焊盘之间的温度检测用的二极管(3)。将第1半导体芯片(C1)的第1控制焊盘与第1控制端子(T1a)连接，将第1半导体芯片(C1)的第2控制焊盘和第2半导体芯片(C2)的第1控制焊盘与第2控制端子(T1ak)连接，将第2半导体芯片(C2)的第2控制焊盘与第3控制端子(T2k)连接。
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公开(公告)号：CN101421910A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200780010820.7
申请日：2007-04-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种当在半导体元件(1)的栅电压未下降完毕的状态下，栅开启的命令来到时，防止半导体元件(1)异常的误检测的装置，仅在与向控制电路(2)输入了开启信号时的半导体元件(1)的控制量Qon相对应的期间内允许对半导体元件(1)的控制量(栅电压)进行检测处理，将在该期间内检测的检测控制量Qt和根据上述控制量Qon设定的控制量比较值Qs进行比较来输出异常信号，并以比正常遮断时的速度慢的速度遮断半导体元件(1)。
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公开(公告)号：CN103098198B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201180042203.1
申请日：2011-08-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/822 , G01K7/01 , H01L27/04 , H01L29/78
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/01 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7803 , H01L29/7815 , H01L29/7828 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够迅速并且正确地检测与内置的半导体晶体管的温度相关的信息的半导体装置。在本发明中，MOSFET（1）具有多个单元，具有：主单元群（2），包括多个单元中的、用于对负载供给电流的单元；以及传感单元群（3），包括用于检测与MOSFET（1）的温度相关的温度信息的单元。对于主单元群（2）和传感单元群（3），表示相对温度的变化的电气特性的变化的温度特性不同。温度检测电路（10）例如根据主单元群（2）中流过的主电流的值和传感单元群（3）中流过的传感电流的值，检测MOSFET（1）的温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102781712A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201080065240.X
申请日：2010-10-29
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02M5/4585 , B60L9/22 , B60L2200/26 , H03K17/127
Abstract: 具有：元件对（26），由IGBT（25）和FWD群（24）反并联连接而成，该FWD群（24）中，导通时的电压降特性具有负的温度系数的FWD（24a）及导通时的电压降特性具有正的温度系数的FWD（24b）串联连接；以及元件对（36），由IGBT（35）和FWD群（34）反并联连接而成，该FWD群（34）中，导通时的电压降特性具有负的温度系数的FWD（34a）及导通时的电压降特性具有正的温度系数的FWD（34b）串联连接。这些元件对（26、36）并联连接而构成。
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公开(公告)号：CN102428634A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080021721.0
申请日：2010-05-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/08
CPC classification number: H03K17/168 , H02M1/08 , H03K17/163
Abstract: 在对电压驱动型的开关元件(1)进行驱动的栅极驱动电路(10)中，设置电流限制电路(6)，该电流限制电路(6)以电流限制值IL为上限值来限制在接通时经由栅极电阻(3a)流向栅极端子的栅极电流ig。电流限制值IL被设定为高于开关元件(1)接通时产生密勒效应的期间的栅极电流值I2、且低于没有电流限制电路(6)的限制的情况下的接通时主电流开始流动的时刻的栅极电流值I1。而且，通过使在开关元件(1)接通时开关元件(1)的集电极电流的开始流动时的变化变得缓慢来降低高频噪声。
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公开(公告)号：CN109168321A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201780016770.7
申请日：2017-03-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在该半导体模块(1)中，第1及第2半导体芯片(C1、C2)的各个包括晶体管(2)、和连接于第1及第2控制焊盘之间的温度检测用的二极管(3)。将第1半导体芯片(C1)的第1控制焊盘与第1控制端子(T1a)连接，将第1半导体芯片(C1)的第2控制焊盘和第2半导体芯片(C2)的第1控制焊盘与第2控制端子(T1ak)连接，将第2半导体芯片(C2)的第2控制焊盘与第3控制端子(T2k)连接。
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公开(公告)号：CN102781712B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201080065240.X
申请日：2010-10-29
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02M5/4585 , B60L9/22 , B60L2200/26 , H03K17/127
Abstract: 具有：元件对（26），由IGBT（25）和FWD群（24）反并联连接而成，该FWD群（24）中，导通时的电压降特性具有负的温度系数的FWD（24a）及导通时的电压降特性具有正的温度系数的FWD（24b）串联连接；以及元件对（36），由IGBT（35）和FWD群（34）反并联连接而成，该FWD群（34）中，导通时的电压降特性具有负的温度系数的FWD（34a）及导通时的电压降特性具有正的温度系数的FWD（34b）串联连接。这些元件对（26、36）并联连接而构成。
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公开(公告)号：CN103098198A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180042203.1
申请日：2011-08-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/822 , G01K7/01 , H01L27/04 , H01L29/78
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/01 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7803 , H01L29/7815 , H01L29/7828 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够迅速并且正确地检测与内置的半导体晶体管的温度相关的信息的半导体装置。在本发明中，MOSFET（1）具有多个单元，具有：主单元群（2），包括多个单元中的、用于对负载供给电流的单元；以及传感单元群（3），包括用于检测与MOSFET（1）的温度相关的温度信息的单元。对于主单元群（2）和传感单元群（3），表示相对温度的变化的电气特性的变化的温度特性不同。温度检测电路（10）例如根据主单元群（2）中流过的主电流的值和传感单元群（3）中流过的传感电流的值，检测MOSFET（1）的温度。
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