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公开(公告)号：CN110622307A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880029986.1
申请日：2018-01-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供能够更加提高由电流所导致的寄生电感的抵消效果的半导体模块及包括该半导体模块的电力变换装置。半导体模块具备第1引线框架(14)、第2引线框架(13)、第3引线框架(16)、绝缘材料(31)、第1半导体元件(C1)及第2半导体元件(C2)。第1引线框架(14)为被施加第1电位的平板状的布线路径。第2引线框架(13)为包括输出端子的平板状的布线路径。第3引线框架(16)为被施加第2电位的平板状的布线路径。绝缘材料(31)以使第1及第2引线框架(14、13)一体化的方式进行密封。第1半导体元件(C1)经由接合材料(G1)而与第1引线框架(14)直接接合，第2半导体元件(C2)经由接合材料(G2)而与第2引线框架(13)直接接合。第1引线框架(14)与第2引线框架(13)隔着绝缘材料(31)对置。
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公开(公告)号：CN113316846A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201980089611.9
申请日：2019-02-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体装置(1)具备：基板(10)，具有第1面(10A)；第1电极(14P)、第2电极(14AC)及第3电极(14N)，形成于第1面上；第1半导体元件(13a2、13b2)及第2半导体元件(13a1、13b1)，配置于基板(10)的内部；第1布线群，将第1电极与第1半导体元件之间电连接；和第4布线群，将第2半导体元件与第2电极之间电连接。第1布线群包括配设于基板的内部且在与第1面交叉的方向上延伸的第1连接部(17P)。第4布线群包括配设于基板的内部且在上述交叉的方向上延伸的第2连接部(17AC)。被设置成在电压被施加到第1电极与第3电极之间而在第2电极中流过电流时流经第1连接部的电流的朝向与流经第2连接部的电流的朝向成为相反方向。
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公开(公告)号：CN112204733A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201880093510.4
申请日：2018-05-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 矢野新也
IPC: H01L23/495 , H01L25/07 , H01L25/18 , H02M7/48
Abstract: 半导体模块(1)具备：上支路模块(3)，包括半导体芯片(7、9、11)；以及下支路模块(13)，包括半导体芯片(7、9、11)。在下支路模块(13)中，设置有：相对配置部(81)，引线框架(31)和引线框架(32)以使带状的引线框架(31)的主面和带状的引线框架(32)的主面相互相对的方式配置；以及非相对配置部(83)，引线框架(31)和引线框架(32)以使引线框架(31)的主面和引线框架(32)的主面不相对的方式配置。
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公开(公告)号：CN112204733B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN201880093510.4
申请日：2018-05-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 矢野新也
IPC: H01L23/495 , H01L25/07 , H10D80/20 , H02M7/48
Abstract: 半导体模块(1)具备：上支路模块(3)，包括半导体芯片(7、9、11)；以及下支路模块(13)，包括半导体芯片(7、9、11)。在下支路模块(13)中，设置有：相对配置部(81)，引线框架(31)和引线框架(32)以使带状的引线框架(31)的主面和带状的引线框架(32)的主面相互相对的方式配置；以及非相对配置部(83)，引线框架(31)和引线框架(32)以使引线框架(31)的主面和引线框架(32)的主面不相对的方式配置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111788676B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN201880089806.9
申请日：2018-12-03
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供提高散热性的模制型半导体装置。半导体装置具备：电路部件(2)，具有表面和背面，具有平面部；端子部(2a)，比电路部件(2)的平面部的表面靠上侧且与平面部平行地形成；半导体元件(4)，上表面处于比端子部(2a)的上表面靠下侧的位置，形成于电路部件(2)的平面部的表面；树脂层(6)，配置于半导体元件(4)上，具有半导体元件(4)露出的多个第一开口部(10)；导电层(7、8)，配置于树脂层(6)上，上表面处于比端子部(2a)的上表面靠上侧的位置，在多个第一开口部(10)与半导体元件(4)接合；以及密封部件(9)，具有与平面部平行的上表面，对电路部件(2)、半导体元件(4)、树脂层(6)、导电层(7、8)及端子部(2a)的一部分一体地进行密封。
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公开(公告)号：CN109168321B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201780016770.7
申请日：2017-03-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在该半导体模块(1)中，第1及第2半导体芯片(C1、C2)的各个包括晶体管(2)、和连接于第1及第2控制焊盘之间的温度检测用的二极管(3)。将第1半导体芯片(C1)的第1控制焊盘与第1控制端子(T1a)连接，将第1半导体芯片(C1)的第2控制焊盘和第2半导体芯片(C2)的第1控制焊盘与第2控制端子(T1ak)连接，将第2半导体芯片(C2)的第2控制焊盘与第3控制端子(T2k)连接。
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公开(公告)号：CN110622307B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201880029986.1
申请日：2018-01-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供能够更加提高由电流所导致的寄生电感的抵消效果的半导体模块及包括该半导体模块的电力变换装置。半导体模块具备第1引线框架(14)、第2引线框架(13)、第3引线框架(16)、绝缘材料(31)、第1半导体元件(C1)及第2半导体元件(C2)。第1引线框架(14)为被施加第1电位的平板状的布线路径。第2引线框架(13)为包括输出端子的平板状的布线路径。第3引线框架(16)为被施加第2电位的平板状的布线路径。绝缘材料(31)以使第1及第2引线框架(14、13)一体化的方式进行密封。第1半导体元件(C1)经由接合材料(G1)而与第1引线框架(14)直接接合，第2半导体元件(C2)经由接合材料(G2)而与第2引线框架(13)直接接合。第1引线框架(14)与第2引线框架(13)隔着绝缘材料(31)对置。
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公开(公告)号：CN111788676A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201880089806.9
申请日：2018-12-03
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供提高散热性的模制型半导体装置。半导体装置具备：电路部件(2)，具有表面和背面，具有平面部；端子部(2a)，比电路部件(2)的平面部的表面靠上侧且与平面部平行地形成；半导体元件(4)，上表面处于比端子部(2a)的上表面靠下侧的位置，形成于电路部件(2)的平面部的表面；树脂层(6)，配置于半导体元件(4)上，具有半导体元件(4)露出的多个第一开口部(10)；导电层(7、8)，配置于树脂层(6)上，上表面处于比端子部(2a)的上表面靠上侧的位置，在多个第一开口部(10)与半导体元件(4)接合；以及密封部件(9)，具有与平面部平行的上表面，对电路部件(2)、半导体元件(4)、树脂层(6)、导电层(7、8)及端子部(2a)的一部分一体地进行密封。
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公开(公告)号：CN109168321A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201780016770.7
申请日：2017-03-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在该半导体模块(1)中，第1及第2半导体芯片(C1、C2)的各个包括晶体管(2)、和连接于第1及第2控制焊盘之间的温度检测用的二极管(3)。将第1半导体芯片(C1)的第1控制焊盘与第1控制端子(T1a)连接，将第1半导体芯片(C1)的第2控制焊盘和第2半导体芯片(C2)的第1控制焊盘与第2控制端子(T1ak)连接，将第2半导体芯片(C2)的第2控制焊盘与第3控制端子(T2k)连接。
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