公开(公告)号：CN103681783B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310191318.8

申请日：2013-05-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木谷刚 ,  樽井阳一郎

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明的目的在于提供以少的离子注入次数实现足够的耐压的碳化硅半导体装置。本发明包括：碳化硅漂移层(1)，形成于碳化硅衬底(10)上；P型区域(2)，形成于碳化硅漂移层(1)表层；肖特基电极(3)，与P型区域(2)的形成部位对应地形成于碳化硅漂移层(1)上。而且P型区域(2)通过排列多个作为P型杂质的分布的重复单位的单位单元(20)而形成。另外各单位单元(20)至少具有P型杂质以第一浓度分布的第一分布区域(20A)和P型杂质以比第一浓度高的第二浓度分布的第二分布区域(20B)。

公开(公告)号：CN105531814A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201380079465.4

申请日：2013-09-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 长谷川滋 ,  森下和博 ,  木谷刚

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L21/52 ,  H01L21/823475 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H01L22/34 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/528 ,  H01L27/101 ,  H01L28/20 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7817 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及的开关元件的特征在于，具有：衬底；第1栅极焊盘，其形成在该衬底；第2栅极焊盘，其形成在该衬底；第1电阻部，其形成在该衬底，将该第1栅极焊盘与该第2栅极焊盘连接；以及单元区域，其形成在该衬底，与该第1栅极焊盘连接。由此，在完成栅极电阻内置型的开关元件之后，能够进行该开关元件的栅极电阻值的测量和栅极电阻的选择。

公开(公告)号：CN103681783A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310191318.8

申请日：2013-05-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木谷刚 ,  樽井阳一郎

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/0615

Abstract: 本发明的目的在于提供以少的离子注入次数实现足够的耐压的碳化硅半导体装置。本发明包括：碳化硅漂移层(1)，形成于碳化硅衬底(10)上；P型区域(2)，形成于碳化硅漂移层(1)表层；肖特基电极(3)，与P型区域(2)的形成部位对应地形成于碳化硅漂移层(1)上。而且P型区域(2)通过排列多个作为P型杂质的分布的重复单位的单位单元(20)而形成。另外各单位单元(20)至少具有P型杂质以第一浓度分布的第一分布区域(20A)和P型杂质以比第一浓度高的第二浓度分布的第二分布区域(20B)。

公开(公告)号：CN113224150A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110510096.6

申请日：2013-09-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 长谷川滋 ,  森下和博 ,  木谷刚

IPC: H01L29/423 ,  H01L23/64 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L27/06 ,  H01L27/10 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/52 ,  H01L21/66 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种开关元件、半导体装置、半导体装置的制造方法。本发明涉及的开关元件的特征在于，具有：衬底；第1栅极焊盘，其形成在该衬底；第2栅极焊盘，其形成在该衬底；第1电阻部，其形成在该衬底，将该第1栅极焊盘与该第2栅极焊盘连接；以及单元区域，其形成在该衬底，与该第1栅极焊盘连接。由此，在完成栅极电阻内置型的开关元件之后，能够进行该开关元件的栅极电阻值的测量和栅极电阻的选择。