公开(公告)号：CN101136430B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200710141774.6

申请日：2007-08-21

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社

Inventor： 吉田哲哉 ,  小林充幸

IPC: H01L29/40 ,  H01L27/088 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/564 ,  H01L24/13 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体装置，在分立半导体的芯片中，已知在半导体衬底的第一主面侧设置电流经路上的第一电极及第二电极，且可进行倒装片安装。但是，由于在衬底内的水平方向也流过电流，故存在电阻成分增加的问题。在第一主面侧设置与元件区域连接的第一电极及第二电极，在第二主面侧设置具有耐腐蚀性、耐氧化性的低电阻的厚膜金属层。由此降低衬底水平方向流过的电流的电阻成分。另外，通过适宜选择厚膜金属层的厚度，可抑制成本的增大，降低装置的电阻值。另外，由于厚膜金属层采用Au，从而可防止随经过时间引起的厚膜金属层的变色等不良。

公开(公告)号：CN1469487A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03142577.1

申请日：2003-06-13

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 岡田哲也 ,  吉村充弘 ,  吉田哲哉

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/739 ,  H01L29/7827

Abstract: 在以往的半导体器件中，由于是电流驱动型的半导体元件因此具有驱动电路中的功耗，另外，在半导体市场上，具有对于电流驱动型半导体元件的需求的问题，在本发明的半导体器件中，具有经过Al层15把可变电位绝缘电极5与栅极区9保持为等电位，主要用作为电压驱动型的半导体元件的特征，即，通过在可变电位绝缘电极5中经过栅极电极G使电压可变，在沟道区8中形成通道进行ON动作，而且，在半导体器件外部通过进行开关动作，使栅极电极G的电位成为正电位、负电位(或者接地状态)，把沟道区8做成伪P型区或者N型区，实现低电压驱动。

公开(公告)号：CN101170131B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200710161271.5

申请日：2007-09-25

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 吉田哲哉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L27/088 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种半导体装置，在分立半导体的芯片上，已知有将电流路径上的第一电极及第二电极设于半导体衬底的第一主面侧，可进行倒装片安装的结构。但是，由于在衬底内的水平方向上也流过电流，故在衬底为矩形的情况下，存在水平方向上的电流路径增加，电阻增加的问题。将衬底内的水平方向上的电流路径在沿衬底(芯片)的短边的方向上形成。例如采用将成为输入端子侧的元件区域和成为输出端子侧的电流的取出区域沿芯片的短边并列的设计。另外，设置与输入输出端子分别连接的第一凸电极及第二凸电极，将它们沿芯片的短边配置。由此，由于衬底内的水平方向上的电流路径其宽度宽且长度短地形成，故能够降低衬底水平方向上的电阻。

公开(公告)号：CN100377366C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200410012006.7

申请日：2004-09-28

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  岐阜三洋电子株式会社

Inventor： 吉田哲哉 ,  冈田哲也 ,  斋藤洋明 ,  村井成行 ,  冈田喜久雄

IPC: H01L29/80

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619

Abstract: 一种半导体装置，在现有的半导体装置中，存在在护圈区域耗尽层形状畸变，且不能得到稳定的耐压特性这样的问题。在本发明的半导体装置中，由同一工序形成实动作区域的热氧化膜25和护圈区域的热氧化膜26。然后，通过在一度将热氧化膜25除去后再次形成，以例如8000～10000程度的膜厚形成护圈区域的热氧化膜26的膜厚。由此，含有可动离子31的CVD氧化膜27被形成在自外延层2表面离开的位置，可抑制可动离子31的影响引起的耗尽层的畸变，可维持规定的耐压特性。

公开(公告)号：CN101266957A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810083762.7

申请日：2008-03-12

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 宫田拓司 ,  吉田哲哉

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49524 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/92 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在无接合线结构的半导体装置中，由于在将作为连接件的金属板与半导体芯片的电极层进行电连接时采用预成型材料，因此，需要在预成型材料与第一电极层的结合部上设置多层金属层。但是，在多层金属层中，会产生电气特性波动、温度循环试验等中的特性变动的问题。在本发明中，作为多层金属层的最下层(与半导体芯片的电极层相接的第一金属层)，利用电子冲击加热蒸镀法形成以钛为主要材料的金属层，其膜厚为1000。由此，与现有的结构相比，本发明的Ti层的膜质良好，可以使多层金属层的电气特性波动、特性变动极小化。

公开(公告)号：CN101136430A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710141774.6

申请日：2007-08-21

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社

Inventor： 吉田哲哉 ,  小林充幸

IPC: H01L29/40 ,  H01L27/088 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/564 ,  H01L24/13 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体装置，在分立半导体的芯片中，已知在半导体衬底的第一主面侧设置电流经路上的第一电极及第二电极，且可进行倒装片安装。但是，由于在衬底内的水平方向也流过电流，故存在电阻成分增加的问题。在第一主面侧设置与元件区域连接的第一电极及第二电极，在第二主面侧设置具有耐腐蚀性、耐氧化性的低电阻的厚膜金属层。由此降低衬底水平方向流过的电流的电阻成分。另外，通过适宜选择厚膜金属层的厚度，可抑制成本的增大，降低装置的电阻值。另外，由于厚膜金属层采用Au，从而可防止随经过时间引起的厚膜金属层的变色等不良。

公开(公告)号：CN100372127C

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200410012008.6

申请日：2004-09-28

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  岐阜三洋电子株式会社

Inventor： 吉田哲哉 ,  冈田哲也 ,  斋藤洋明 ,  村井成行 ,  冈田喜久雄

IPC: H01L29/80

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4916

Abstract: 一种半导体装置，在现有的半导体装置中具有如下问题，主电流流动的主配线部的配线宽度狭窄且均匀形成，由于主配线部的电压下降，使元件内的单元不均一动作。在本发明的半导体装置中，将主电流流动的主配线部24一端241的配线宽度W1设置成比主配线部24另一端242的配线宽度宽。主配线部24的配线宽度从一端241向另一端242逐渐变窄。由此，可降低位于主电流流动的电极焊盘部22近旁的单元和位于远方的单元的驱动电压差。其结果是，本发明可抑制主配线部24的电压下降，并实现元件内单元的均一动作。

公开(公告)号：CN100585877C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200810086546.8

申请日：2008-03-20

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 吉田哲哉 ,  宫田拓司

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L23/552

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，在上漏极结构的MOSFET中，需要确保漏极电极和电流的取出区域(导电路)在半导体芯片上。在芯片终端部为了防止反转，需要环形区域或屏蔽金属，但由于需要确保这些区域具有某种程度的宽度，故引起元件区域小型化或芯片大型化。元件区域在作为无效区域的芯片外周端配置成为导电路的高浓度n型杂质区域和漏极电极。故不缩小元件区域也不扩大芯片而实现上漏极结构。通过将n型杂质区域和漏极电极设置在芯片外周端，即使不另外设置以往的环形区域或屏蔽金属也可终止基板的耗尽层。即由n型杂质区域和漏极电极可兼用做环形区域或屏蔽金属，故成为具有必需结构的上漏极结构的MOSFET且能避免元件区域的缩小或芯片面积的增大。

公开(公告)号：CN101276838A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810086546.8

申请日：2008-03-20

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 吉田哲哉 ,  宫田拓司

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L23/552

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，在上漏极结构的MOSFET中，需要确保漏极电极和电流的取出区域(导电路)在半导体芯片上。在芯片终端部为了防止反转，需要环形区域或屏蔽金属，但由于需要确保这些区域具有某种程度的宽度，故引起元件区域小型化或芯片大型化。元件区域在作为无效区域的芯片外周端配置成为导电路的高浓度n型杂质区域和漏极电极。故不缩小元件区域也不扩大芯片而实现上漏极结构。通过将n型杂质区域和漏极电极设置在芯片外周端，即使不另外设置以往的环形区域或屏蔽金属也可终止基板的耗尽层。即由n型杂质区域和漏极电极可兼用做环形区域或屏蔽金属，故成为具有必需结构的上漏极结构的MOSFET且能避免元件区域的缩小或芯片面积的增大。

公开(公告)号：CN1276517C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN03142577.1

申请日：2003-06-13

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 岡田哲也 ,  吉村充弘 ,  吉田哲哉

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/739 ,  H01L29/7827

Abstract: 在以往的半导体器件中，存在着因电流驱动型的半导体元件而在驱动电路中有功耗的问题。但在半导体市场上又对电流驱动型半导体元件有需求。为此，提供了一种半导体器件，具备：设置在构成漏极区的第一导电型半导体基体的主表面上、且隔开等间隔相互平行配置的多个槽；在槽的内壁具有绝缘膜、且由充填在槽内的相反导电类型的第二导电型的半导体材料构成的可变电位绝缘电极；位于主表面的槽之间的第一导电型的源极区；在半导体基体上与源极区隔开设置的相反导电类型的第二导电型的栅极区，所述栅极区与各个绝缘膜的至少一部分邻接；在半导体基体上位于槽之间、且至少位于源极区的下部的沟道区，栅极区与可变电位绝缘电极保持等电位，根据施加在与栅极区连接的栅极电极上的电压进行ON动作或者OFF动作。