公开(公告)号：CN1469487A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03142577.1

申请日：2003-06-13

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 岡田哲也 ,  吉村充弘 ,  吉田哲哉

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/739 ,  H01L29/7827

Abstract: 在以往的半导体器件中，由于是电流驱动型的半导体元件因此具有驱动电路中的功耗，另外，在半导体市场上，具有对于电流驱动型半导体元件的需求的问题，在本发明的半导体器件中，具有经过Al层15把可变电位绝缘电极5与栅极区9保持为等电位，主要用作为电压驱动型的半导体元件的特征，即，通过在可变电位绝缘电极5中经过栅极电极G使电压可变，在沟道区8中形成通道进行ON动作，而且，在半导体器件外部通过进行开关动作，使栅极电极G的电位成为正电位、负电位(或者接地状态)，把沟道区8做成伪P型区或者N型区，实现低电压驱动。

公开(公告)号：CN1487600A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN03142742.1

申请日：2003-06-12

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 岡田哲也 ,  吉村充弘

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/328

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/872

Abstract: 以往，肖特基势垒二极管的VF、IR特性具有折衷关系，为了实现低VF化存在着不可避免地增大漏电流的问题，解决方法是在肖特基结区，设置多个正六角形的P+型半导体区，由于相互的间隔距离相等，因此在加入反向电压时耗尽层从P+型半导体区扩展，完全埋入到外延层中，即，能够遮断在肖特基结界面发生的漏电流漏泄到阴极一侧，由于即使发生很高的漏电流也能够通过耗尽层遮断，因此其结果不存在VF与IR的折衷关系，能够不考虑IR而实现低VF。

公开(公告)号：CN1276517C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN03142577.1

申请日：2003-06-13

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 岡田哲也 ,  吉村充弘 ,  吉田哲哉

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/739 ,  H01L29/7827

Abstract: 在以往的半导体器件中，存在着因电流驱动型的半导体元件而在驱动电路中有功耗的问题。但在半导体市场上又对电流驱动型半导体元件有需求。为此，提供了一种半导体器件，具备：设置在构成漏极区的第一导电型半导体基体的主表面上、且隔开等间隔相互平行配置的多个槽；在槽的内壁具有绝缘膜、且由充填在槽内的相反导电类型的第二导电型的半导体材料构成的可变电位绝缘电极；位于主表面的槽之间的第一导电型的源极区；在半导体基体上与源极区隔开设置的相反导电类型的第二导电型的栅极区，所述栅极区与各个绝缘膜的至少一部分邻接；在半导体基体上位于槽之间、且至少位于源极区的下部的沟道区，栅极区与可变电位绝缘电极保持等电位，根据施加在与栅极区连接的栅极电极上的电压进行ON动作或者OFF动作。