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公开(公告)号：CN110660443B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201910573698.9
申请日：2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C16/34
Abstract: 公开了读辅助电路，读辅助电路包括分压器电路和多个写入线驱动器电路。分压器电路配置为将电源电压分压并且在所述分压器电路的输出处的源极写入线电压提供给多个写入线驱动器电路。每个写入线驱动器电路配置为接收源极写入线电压，并根据控制每个写入线驱动器电路的相应的独立使能信号选择性地将源极写入线电压应用于相应的写入线。本发明实施例还涉及一种存储器系统以及一种在读取操作期间将读辅助提供给多个存储器单元的方法。
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公开(公告)号：CN107705812B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201710674795.8
申请日：2017-08-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/418
Abstract: 在一个实施例中，提供一种静态随机存取存储器SRAM装置。所述SRAM装置包括：多个存储器单元；位线，其在数据节点处耦合到所述多个存储器单元中的第一组；及第一电压供应线，其耦合到所述多个存储器单元中的第二组。所述SRAM装置进一步包括：第一开关，其用于将所述第一电压供应线选择性地耦合到第一电压源以将所述第一电压供应线充电到第一电压电平；及第二开关，其用于将所述第一电压供应线选择性地耦合到所述位线以将所述位线预充电到比所述第一电压电平小的位线电压电平。
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公开(公告)号：CN109308925B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201810050448.2
申请日：2018-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/419
Abstract: 本发明描述了写入辅助电路和存储器装置的实施例。写入辅助电路可以包括控制电路和电压发生器。控制电路可以被配置为接收与用于存储器单元的存储器写入操作相关联的存储器地址信息。电压发生器可以被配置为向连接至存储器单元的一根或多根位线提供参考电压。电压发生器可以包括两个电容性元件，其中，在存储器写入操作期间，(i)电容性元件中的一个可以被配置为将参考电压连接至第一负电压，以及(ii)基于存储器地址信息，两个电容性元件可以被配置为将参考电压累积地连接至低于第一负电压的第二负电压。本发明的实施例还提供了用于存储器写入操作的方法。
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公开(公告)号：CN107039068B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201611187332.0
申请日：2016-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/417 , G11C11/419
Abstract: 本发明的实施例提供了存储电路及其写入方法。一种存储电路，包括：第一存储单元列，沿第一方向布置；第一电源电压线，在所述存储电路的第一导电层中沿所述第一方向延伸；第二电源电压线；第一电阻器件，将所述第一电源电压线和所述第二电源电压线电连接。所述第一存储单元列的存储单元的每一个均包括电源电压线段。所述第一电源电压线至少由所述第一存储单元列的所述电源电压线段组成。电压源，通过一条或多条导电路径与第一电源电压线电连接，并且所述第二电源电压线和所述第一电阻器件在所述一条或多条导电路径的最小电阻路径中。
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公开(公告)号：CN106783857B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201610907219.9
申请日：2016-10-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11 , H01L23/528 , H01L21/8244
Abstract: 本发明公开了一种存储器件，包括：存储器位单元、第一字线、成对的金属岛状件和成对的连接金属线。第一字线设置在第一金属层中并且电连接至存储器位单元。成对的金属岛状件在第一金属层中设置在字线的相对两侧处并且电连接至电源。成对的连接金属线设置在第二金属层中并且配置成将金属岛状件分别电连接至存储器位单元。本发明还提供了用于制造存储器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110830028A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910609307.4
申请日：2019-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0185 , G11C11/412
Abstract: 电平转换器被配置为接收第一电压域的输入信号并输出第二电压域的输出信号。输入端子被配置为接收第一电压域的输入信号。第一感测电路被配置为将输入信号从第一电压域转换为第二电压域，并且第二感测电路被配置为将输入信号从第一电压域转换为第二电压域。使能电路被配置为响应于使能信号而使相应的第一和第二输出端子处的第一和第二输出信号的电压电平均衡。第一和第二感测电路被配置为响应于使能信号和输入信号而在第一和第二输出端子处输出第二电压域的互补输出信号。本发明的一些实施例还提供了电平转换方法和电平转换系统。
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公开(公告)号：CN109326589A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201711275164.5
申请日：2017-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 萨赫勒·普里特·辛格 , 陈炎辉 , 廖宏仁
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种二极管装置，包含二极管电路。二极管电路耦接于电路中第一输入/输出(I/O)接脚与第二输入/输出(I/O)接脚之间，以及用以被关闭。二极管电路用以提供第一放电路径给电路中第一输入/输出(I/O)接脚以及第二放电路径给电路中第二输入/输出(I/O)接脚。
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公开(公告)号：CN109215702A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810689927.9
申请日：2018-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C7/10
Abstract: 本发明公开了用于可配置的存储器存储系统的各个实施例。可配置的存储器从多个工作电压信号中选择性地选择工作电压信号以动态地控制各个工作参数。例如，可配置的存储器存储从多个工作电压信号中选择性地选择最大工作电压信号以最大化读取/写入速度。作为另一实例，可配置的存储器存储从多个工作电压信号中选择性地选择最小工作电压信号以控制使功耗最小化。本发明还提供了选择电路，及可配置的存储器存储系统的操作方法。
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公开(公告)号：CN109215695A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810584360.9
申请日：2018-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C5/14
Abstract: 电子器件包括内部电源导轨；多个第一主接头开关，用于将内部电源导轨耦合到第一电源；多个第二主接头开关，用于将内部电源导轨耦合到第二电源；辅助电路，包括用于将内部电源导轨耦合到第一电源的第一辅助接头开关和用于将内部电源导轨耦合到第二电源的第二辅助接头开关；反馈电路，反馈电路跟踪第一和第二主接头开关的状态；以及控制电路，控制电路响应于开关控制信号和反馈电路的输出来控制第一主接头开关、第二主接头开关以及第一和第二辅助接头开关。本发明提供了用于电子器件的电源转换方法及存储器件。
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公开(公告)号：CN108962312A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810494280.4
申请日：2018-05-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/419
Abstract: 一种半导体存储器装置，包括：多个存储单元，配置成存储数字数据；以及输入复用器，配置成实现从多个存储单元选择特定存储单元。半导体存储器装置进一步包括：读取/写入驱动电路，配置成从选择的存储单元读取数据以及将数据写入选择的存储单元；以及写入逻辑块，配置成将逻辑控制提供到读取/写入驱动电路以用于将数据写入选择的存储单元。读取/写入驱动电路可通过数据线及倒置数据线耦合到读取/写入输入复用器，且选择的存储单元的读取操作及写入操作发生于相同数据线及倒置数据线。
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