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公开(公告)号:CN108962312A
公开(公告)日:2018-12-07
申请号:CN201810494280.4
申请日:2018-05-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/419
Abstract: 一种半导体存储器装置,包括:多个存储单元,配置成存储数字数据;以及输入复用器,配置成实现从多个存储单元选择特定存储单元。半导体存储器装置进一步包括:读取/写入驱动电路,配置成从选择的存储单元读取数据以及将数据写入选择的存储单元;以及写入逻辑块,配置成将逻辑控制提供到读取/写入驱动电路以用于将数据写入选择的存储单元。读取/写入驱动电路可通过数据线及倒置数据线耦合到读取/写入输入复用器,且选择的存储单元的读取操作及写入操作发生于相同数据线及倒置数据线。