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公开(公告)号：CN103088404B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310009504.5
申请日：2009-06-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 法兰克·辛克莱 , 菲德梨克·卡尔森 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 罗伯特·J·米歇尔
CPC classification number: C30B11/003 , C30B11/001 , C30B28/06 , C30B29/06 , C30B29/60
Abstract: 一种形成板的装置。可自熔体形成无错位板。使用冷却平板在材料的熔体上形成具有第一宽度的所述材料的板。此板具有错位。相对于所述冷却平板而输送所述板，且所述错位迁移至所述板的边缘。所述板的所述第一宽度藉由所述冷却平板而增加至第二宽度。所述板在所述第二宽度处不具有错位。在一种情况下，所述冷却平板可具有具两个不同宽度的形状。在另一情况下，所述冷却平板可具有在不同温度下操作的区段，以增加所述板的宽度。所述板可相对于所述冷却平板而被拉动或流动。
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公开(公告)号：CN102925986B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210393420.1
申请日：2009-03-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 一种片材制造装置，包括一容器，其定义出一通道以容纳一熔体。熔体会从通道的一第一位置流至一第二位置。一冷却板邻近熔体，用以在熔体上形成一片材。一溢流道配置于通道的第二位置。溢流道用以将片材从熔体分离。
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公开(公告)号：CN104603908A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380033131.3
申请日：2013-05-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 在一实施例中，一种具有镓离子的离子束的产生方法，其包括在等离子体腔室中提供至少部分的镓化合物靶材，此镓化合物靶材包括镓以及至少一种额外元素。具有镓离子的离子束的产生方法还包括在等离子体腔室中，使用至少一种气态物种来启动等离子体及提供气态的蚀刻物种源，以与镓化合物靶材反应，从而形成挥发性镓物种。
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公开(公告)号：CN104508814A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380038318.2
申请日：2013-07-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 杰森·夏勒 , 罗伯特·布然特·宝佩特
IPC: H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67706 , B25J11/0095 , B25J15/0616 , B65G49/06 , B65G2207/10 , B65G2812/16 , H01L21/67742 , H01L21/67766 , H01L21/67781 , H05F3/02 , H01L21/677 , H01L21/687 , H01L31/18
Abstract: 一种制造系统包含龙门架模块，具有用于将工件从传送机系统移动到工作区的末端执行器，例如，交换模块。交换模块从装载锁移除已处理的工件的矩阵且将未处理的工件的矩阵放置在其位置。接着通过龙门架模块将已处理的工件移动回到传送机。归因于操作速度，末端执行器可能累积过量静电荷。为了移除此累积电荷，接地导电刷子策略性地定位，以使得当末端执行器在正常操作期间移动时，其与刷子接触，移除末端执行器上的累积电荷，而不影响产量。在另一实施例中，当交换模块将矩阵移动到装载锁且从装载锁移动矩阵时，末端执行器在刷子上方移动。
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公开(公告)号：CN104396025A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201380033059.4
申请日：2013-05-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 约翰·W·奎夫
IPC: H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明揭示对太阳能电池，尤其对点接触太阳能电池进行掺杂的方法。太阳能电池的一个表面可需要对若干部分进行n掺杂，而对其他部分进行p掺杂。可通过使用具有一种导电性的物质的毯覆式掺杂以及具有相反导电性的物质的图案化逆掺杂制程，来消除至少一个光刻步骤。在图案化注入期间掺杂的区域接收充足剂量以便完全反转毯覆式掺杂的效应，且实现与毯覆式掺杂相反的导电性。在一些实施例中，逆掺杂线路还用于降低多数载流子的横向串联电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102460651B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201080025426.2
申请日：2010-04-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/68742 , Y10T29/49998 , Y10T279/23
Abstract: 本发明揭示一种静电卡钳，其在移除之前及期间，较有效地将累积电荷自基板移除。当前，起模顶杆及接地插针为用于在植入之后将电荷自基板移除的仅有机构。本发明描述一种卡钳，其具有接地的较多额外低电阻路径中之一者。此等额外导管允许累积的电荷在将所述基板自所述卡钳移除之前及期间被耗散。藉由提供自基板114的背侧表面的充分电荷汲取，可减少基板粘住卡钳的问题。此举导致基板破裂的相对减少。
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公开(公告)号：CN102668038B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201080055181.8
申请日：2010-11-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 海伦·L·梅纳德 , 班杰明·B·里欧登 , 克里斯多夫·R·汉特曼 , 迪帕克·瑞曼帕
IPC: H01L21/266 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0682 , H01L21/266 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 使用各种方法来形成可用于后续植入的掩模，此等方法是利用非晶化硅与晶体硅之间物理特性及化学特性的差异。在某些实施例中，利用非晶硅与晶体硅之间在膜生长方面的差异来形成掩模。在其他实施例中，利用非晶硅与晶体硅之间在反射率或光吸收性的差异来形成掩模。在其他实施例中，则利用经掺杂的硅与未经掺杂的硅的特性差异来形成掩模。
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公开(公告)号：CN102422389B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201080020274.7
申请日：2010-04-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 提摩太·J·米勒 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: B44C1/227 , C23C16/045 , C23C16/50 , H01J37/32412 , H01J37/32623 , H01J2237/3344 , H01J2237/3345
Abstract: 使用等离子体处理工具在工件上沉积材料。举例而言，揭示一种用于材料的保形沉积的方法。在此实施例中，等离子体鞘形状经修改以允许材料以某一范围的入射角冲击所述工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围，可在上面沉积多种不同特征。在另一实施例中，使用等离子体处理工具来蚀刻工件。在此实施例中，等离子体鞘形状经更改以允许离子以某一范围的入射角冲击工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围，可形成多种不同形状的特征。
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公开(公告)号：CN104067419A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201380006196.9
申请日：2013-01-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01M4/04
CPC classification number: H01M4/04 , H01M4/0428 , Y02E60/12
Abstract: 揭示一种处理电池的电极以提高其效能的方法。通过将一层多孔碳沉积到所述电极上，可改进所述电极的充电以及放电特性与化学稳定性。所述方法包含：产生包含碳的等离子体；以及例如通过使设置了电极的压板偏压而将所述等离子体朝向所述电极吸引。在一些实施例中，还对所述所沉积的多孔碳执行蚀刻制程，以增大其表面积。还可使所述电极经受亲水性处理以改进其与电解质的相互作用。另外，揭示一种电池，包含根据这个过程而处理的至少一个电极。
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公开(公告)号：CN103975092A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280060457.0
申请日：2012-11-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 , 克里斯多夫·J·里维特 , 丹尼尔·迪斯塔苏 , 提摩太·J·米勒
CPC classification number: H01J37/32146 , G21K1/14 , H01J37/026 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J2237/0044
Abstract: 一种处理系统(10)可包含：等离子体源(12)，其用于提供等离子体；以及工件固持器(28)，其经布置以接收来自所述等离子体的离子。所述处理系统可还包含脉冲偏压电路(42)，所述脉冲偏压电路电耦合到所述等离子体源且可操作以将供应到所述等离子体源的偏压电压在高电压状态与低电压状态之间切换，在所述高电压状态中，所述等离子体源相对于接地处于正偏压，且在所述低电压状态中，所述等离子体源相对于所述接地处于负偏压。
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