公开(公告)号：CN105938852A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201510553512.5

申请日：2015-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤慎哉 ,  佐久间智教 ,  横山升 ,  松田志津江

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够提高成品率的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有第1导电型的多个第1半导体区域、第2导电型的多个第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第4半导体区域、栅极电极及栅极绝缘层。第1半导体区域沿第1方向延伸。第1半导体区域在与第1方向交叉的第2方向上设置有多个。第2半导体区域沿第1方向延伸。第1半导体区域与第2半导体区域在第2方向上交替地设置。至少一个第2半导体区域具有空隙。构成空隙的面中的至少一个面的面方位为(100)。栅极绝缘层设置于第3半导体区域与栅极电极之间。

公开(公告)号：CN102947384B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201180019496.1

申请日：2011-03-01

Applicant: 北欧化工股份公司

Inventor： 阿尔夫·尼尔森 ,  佩尔奥拉·哈格斯特兰德 ,  维尔戈特·恩隆德 ,  安德烈亚斯·法卡斯 ,  贾尼斯·里图姆斯

IPC: C08L23/06 ,  H01B3/44

CPC classification number: C08L23/26 ,  C08L23/06 ,  C08L2203/202 ,  C08L2205/02 ,  C08L2205/025 ,  C08L2312/00 ,  H01B3/441 ,  H01B9/027 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明涉及一种具有改善的DC电性能的聚合物组合物，涉及聚合物组合物在生产电缆包层中的应用，还涉及一种至少一个包括所述聚合物组合物的包层围绕的电缆。

公开(公告)号：CN102388435B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201080016856.8

申请日：2010-04-09

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  松木安生 ,  川尻陵 ,  增田贵史 ,  金田敏彦

IPC: H01L21/208 ,  B29C59/02 ,  C01B33/02 ,  C01B33/027

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B33/02 ,  C01B33/027 ,  C01B33/18 ,  C01P2004/01 ,  C01P2004/20 ,  C23C18/06 ,  C23C18/08 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/14 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/31 ,  Y10T428/24612

Abstract: 本发明涉及图案的形成方法，该方法包括下述步骤：步骤一，在基板和图案状模的间隙配置选自氢化硅化合物和卤化硅化合物的至少一种硅烷化合物；步骤二，对配置的上述硅烷化合物实施选自热处理和紫外线照射处理的至少一种处理。通过在惰性气氛或还原性气氛下进行上述步骤二，可以形成包含硅的图案；通过在含氧气氛下进行上述步骤二的至少一部分，可以形成包含硅氧化物的图案。

公开(公告)号：CN103053012B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201180038241.X

申请日：2011-06-22

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 拉金德·丁德萨 ,  阿列克谢·马拉哈托夫 ,  安德鲁·D·贝利三世

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45576 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/31

Abstract: 一种电极被暴露于等离子体产生容积，并被限定为将射频功率传输到该等离子体产生容积，且包括用于保持暴露于该等离子体产生容积的衬底的上表面。气体分配单元被布置在该等离子体产生容积的上方，且在与该电极基本平行的方向上。该气体分配单元包括用于将等离子体处理气体的输入流沿基本垂直于该电极的上表面的方向上引导到该等离子体产生容积的气体供给端口的布置。该气体分配单元还包括每个延伸通过该气体分配单元以将该等离子体产生容积与排放区域流体连接的通孔的布置。该通孔中的每一个将来自等离子体产生容积的等离子体处理气体的排放流沿着基本上垂直于该电极的上表面的方向引导。

公开(公告)号：CN105428315A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510349959.0

申请日：2015-06-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王景祺 ,  李建志 ,  江典蔚 ,  蔡庆威 ,  王志庆 ,  何炯煦 ,  谢文兴

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823487 ,  H01L23/528 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7845 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明提供一种串联晶体管结构，包括：第一源极、第一沟道-漏极结构、第二沟道-漏极结构、栅极介电层、栅极、第一漏极焊盘和第二漏极焊盘。第一源极位于衬底上方。第一沟道-漏极结构位于第一源极上方并且包括第一源极上方的第一沟道和第一漏极。第二沟道-漏极结构位于第一源极上方，并且基本平行于第一沟道-漏极结构，并且包括第一源极上方的第二沟道和第二漏极。栅极介电层围绕第一沟道和第二沟道。栅极围绕栅极介电层。第一漏极焊盘位于第一漏极上方并与第一漏极接触。第二漏极焊盘位于第二漏极上方并与第二漏极接触，其中，第一漏极焊盘和第二漏极焊盘彼此分离。本发明还涉及串联晶体管结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN105374676A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510477172.2

申请日：2015-08-06

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 特洛伊·丹尼尔·里包多 ,  乔治·安德鲁·安东内利

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02203 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32926 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明总体上涉及低k电介质膜的形成，描述了用于制备多孔低k电介质膜的方法和设备。在一些实现方式中，所述方法包括使基质内包含成孔剂的前体膜暴露于从弱氧化剂产生的等离子体。所述等离子体也可以包含还原剂物质。在一些实现方式中，所述等离子体是下游等离子体。所述方法的实现方式涉及通过暴露所述等离子体来选择性地去除硅-有机基质内共存的隔离的有机成孔剂的区域，同时保留与硅基质的主干键合的有机基团。所述方法还导致对所述电介质膜的低损坏。在一些实现方式中，等离子体暴露在暴露于紫外线(UV)辐射之后。

公开(公告)号：CN105164812A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201380071355.3

申请日：2013-01-24

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 西村信也 ,  副岛成雅 ,  山本建策

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7834 ,  H01L21/225 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7841

Abstract: 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：第一导电型的接触区域、第二导电型的主体区域、第一导电型的漂移区域、沟槽、绝缘膜、栅电极以及第二导电型的浮置区域。沟槽从半导体基板的表面贯通接触区域以及主体区域而形成，其底部位于漂移区域内。绝缘膜覆盖沟槽的内面。栅电极以被绝缘膜覆盖的状态收纳于沟槽内。浮置区域设置于漂移区域内的比沟槽的底部深的位置，并且与沟槽的底部相邻。浮置区域具有与沟槽的底部相邻的第一层以及设置于比第一层深的位置的第二层。第一层的宽度宽于第二层的宽度。

公开(公告)号：CN104992923A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510446771.8

申请日：2015-07-28

Applicant: 江阴长电先进封装有限公司

Inventor： 张黎 ,  龙欣江 ,  赖志明 ,  陈栋 ,  陈锦辉

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/302 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明涉及一种硅通孔互连结构的成形方法，属于半导体封装技术领域。其工艺步骤如下：提供带有硅通孔结构的硅基体；通过机械打磨的方法减薄硅基体至露出金属柱的下表面；在金属柱的下表面形成金属块；通过湿法腐蚀的方法进一步减薄硅基体下方的厚度，露出金属柱的下端；在硅基体下表面沉积钝化层Ⅱ覆盖硅基体的下表面及金属块，并开设金属块开口；在钝化层Ⅱ的表面选择性地形成再布线金属层，再布线金属层的一端通过金属块开口延伸至金属块，且与金属块固连；在再布线金属层的外层覆盖保护层。本发明通过减薄硅基体露出缺陷区域Ⅰ区，用钝化层填补该缺陷区域，解决了漏电流问题，提高了硅通孔互连结构的可靠性，且本发明的工艺的控制性更好。

公开(公告)号：CN104659046A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410683088.1

申请日：2014-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宜静 ,  吴政宪 ,  柯志欣 ,  万幸仁

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L21/823878 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/31 ,  H01L21/32 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66575

Abstract: 一种器件包括第一半导体层，和位于第一半导体层上方的第二半导体层。第一半导体层和第二半导体层包括不同的材料。半导体区位于第二半导体层上面并且与第二半导体层接触，其中，半导体区的底面与第二半导体层的第一顶面接触。半导体区和第二半导体层包括不同的材料。半导体区的底面具有与第二半导体层的(551)表面平面接触的倾斜部分。本发明涉及具有减小的泄漏的CMOS器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN104599971A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410588799.0

申请日：2014-10-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： P·布兰德尔 ,  M·H·佩里

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L21/265 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324 ,  H01L27/088 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/78

Abstract: 生产竖直半导体器件，包括：提供半导体晶片，其包括第一导电类型的第一半导体层、与第一半导体层形成第一pn结的第二导电类型的第二半导体层以及与第二半导体层形成第二pn结并且延伸到晶片的主表面的第一导电类型的第三半导体层；在主表面上形成硬掩模，该硬掩模包括通过第一开口彼此间隔开的硬掩模部分；使用硬掩模蚀刻从主表面到第一层中的深沟槽，使得在主表面处由相应硬掩模部分覆盖的台面区域被形成在毗邻沟槽之间；填充沟槽和硬掩模的第一开口；以及蚀刻硬掩模以在台面的主表面处的硬掩模中形成第二开口。