公开(公告)号：CN103155173A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180049073.4

申请日：2011-07-18

申请人： 薄膜硅公司

发明人： K·考克力 ,  G·哈森 ,  J·斯特芬斯

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/02366 ,  H01L27/1421 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 一种光伏装置包括：衬底；下电极层和上电极层，布置在衬底上方；和半导体层，布置在下电极层和上电极层之间，半导体层吸收入射光以从半导体层激发电子，其中半导体层包括内置旁路二极管，内置旁路二极管在下电极层和上电极层之间延伸并与下电极层和上电极层耦合，当在下电极层和上电极层上施加反向偏置时，旁路二极管允许电流流过旁路二极管。

公开(公告)号：CN102105993B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200980129037.1

申请日：2009-10-02

申请人： 三菱重工业株式会社

发明人： 西宫立享 ,  宇田和孝 ,  川添浩平 ,  马场智义 ,  石出孝

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/077 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种尽可能防止电流经由中间接触层分离槽从中间接触层泄漏的光电转换装置的制造方法。该方法包括：制膜以非结晶硅为主成分的顶层(91)的工序；在顶层(91)上制膜对该顶层进行电连接及光学连接的中间接触层(93)的工序；照射脉冲激光，除去中间接触层(93)，并形成直至顶层(91)的中间接触层分离槽(14)而分离中间接触层(93)的工序；在中间接触层(93)上及中间接触层分离槽(14)内制膜对其进行电连接及光学连接且以微结晶硅为主成分的底层(92)的工序。作为分离中间接触层(93)的脉冲激光器，使用脉冲宽度为10ps以上750ps以下的脉冲激光器。

公开(公告)号：CN102017172B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200980116223.1

申请日：2009-05-12

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 内田宽人 ,  田口游子 ,  上田仁 ,  高山道宽

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明提供一种薄膜太阳能电池模块的制造方法和薄膜太阳能电池模块，采用该制造方法可确保薄膜太阳能电池模块的绝缘耐压特性具有较高的可靠性。本发明所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法包括：在有绝缘性的透明基板(10)上形成第1电极层(11)的步骤；形成第1隔离槽(21X、21Y)的步骤，由其隔开透明基板的周边区域(30X、30Y)和位于该周边区域内侧的发电区域(50)，其形成深度达到透明基板的表面；在透明基板上形成半导体层(13)的步骤；在透明基板上形成第2电极层(12)的步骤；形成第2隔离槽(22a、22X、22Y)的步骤，其比第1隔离槽还靠近周边区域，其形成深度达到透明基板的表面；对周边区域进行喷砂处理以去除周边区域上的第1电极层、半导体层和第2电极层的步骤。

公开(公告)号：CN101752434B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200910225444.4

申请日：2009-12-14

申请人： 宋健民

发明人： 宋健民

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/028 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L31/03762 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02592 ,  H01L31/035245 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/076 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 一种具有纳米钻石量子井的太阳能电池及其制造方法，其提供由太阳能产生电力的材料、装置以及方法。在一方面，本发明包含太阳能电池，该太阳能电池具有第一导体、与该第一导体电性连接的掺杂的硅层、与该掺杂的硅层接触的纳米钻石层、与该纳米钻石层接触的掺杂的无晶钻石层以及与该掺杂的无晶钻石层电性连接的第二导体。透过本发明可提高太阳能电池的能源转换效率。

公开(公告)号：CN102844881A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201180016255.1

申请日：2011-02-15

申请人： 韩国机械研究院

发明人： 金俊东 ,  韩昌洙

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/078 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种具有PN结和肖特基结的多路太阳能电池及其制造方法。根据本发明的示例性实施方式的太阳能电池包括：PN半导体层，其包括P型半导体层和N型半导体层；第一电极，其与PN半导体层的第一表面欧姆连接；肖特基结层，其与PN半导体层的第二表面肖特基连接，所述PN半导体层的第二表面面对PN半导体层的第一表面；以及，第二电极，其被形成接触所述肖特基结层。

公开(公告)号：CN102804394A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080065423.1

申请日：2010-09-08

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 大濑直之 ,  竹中研介

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/1824 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 公开了具有良好电池特性的太阳能电池、以及该太阳能电池的制造方法。具体地，公开了包括至少一层光电转换元件的太阳能电池的制造方法，在这些层中由微晶硅膜构成的i型硅层设置在n型硅层和p型硅层之间，并且基板侧n型硅层或p型硅层由非晶硅膜构成。在该方法中，通过将含硅烷气体和氢气的混合气体引入腔室的等离子体CVD法来形成光电转换元件，并且在基板侧n型硅层或p型硅层与i型硅层之间形成由微晶硅膜构成的籽晶层。籽晶层在与基板侧n型硅层或p型硅层接触的部分中具有比i型硅层低的结晶率，并且继续至结晶率朝着i型硅层阶段性地或逐渐地增大的i型硅层。

公开(公告)号：CN102782882A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201080041574.3

申请日：2010-09-17

申请人： 欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫)

发明人： E·瓦拉特-绍瓦因 ,  D·博雷洛 ,  J·拜拉特 ,  J·迈尔 ,  U·克罗尔 ,  S·贝纳格利 ,  C·卢西 ,  G·蒙特杜罗 ,  M·马梅洛 ,  J·赫策尔 ,  Y·德杰里丹 ,  J·施泰因豪泽 ,  J-B·奥尔汉

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/076

CPC分类号： H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548

摘要： 公开了一种用于制造非晶/微晶堆叠串联电池的方法，该非晶/微晶堆叠串联电池包括μc-Si：H底部电池与a-Si:H顶部电池、LPCVDZnO正面接触层及ZnO背面接触结合白反射体，该方法包括下列步骤：—将AR-抗反射-概念应用于该非晶/微晶堆叠串联电池；—在该非晶/微晶堆叠串联电池中实施中间反射体。该非晶/微晶堆叠串联电池可以获得10.6％的稳定效率。

公开(公告)号：CN102782869A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201080063496.7

申请日：2010-12-09

申请人： 速力斯公司

发明人： M·M·穆斯利赫 ,  P·卡普尔 ,  K·J·克拉默 ,  D·X·王 ,  S·苏特 ,  V·V·雷纳

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 提供了背结背触点三维太阳能电池及其制造方法。背结背触点三维太阳能电池包括三维衬底。该衬底包括具有钝化层的光捕获正面表面，掺杂的基极区域，和极性与掺杂的基极区域相反的掺杂的背面发射极区域。背面钝化层置于掺杂的背面发射极区域上。背面发射极触点和背面基极触点，其连接至金属互连件且选择性地在三维太阳能电池背面的三维特征上形成。

公开(公告)号：CN102598267A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080029965.3

申请日：2010-07-01

申请人： 于利奇研究中心有限公司

发明人： A.拉姆伯茨 ,  S.哈斯

IPC分类号： H01L27/142 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/03921 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/04 ,  B23K2103/10 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/52 ,  B23K2103/56 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明涉及用于构造和串联条状元件的一种方法，其中与现有技术相比实现了用于串联的更低的面积需求。

公开(公告)号：CN101796481B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200880105071.0

申请日：2008-08-29

申请人： 应用材料公司

发明人： 罗伯特·Z·巴克拉克 ,  蔡容基 ,  崔寿永 ,  尼古拉斯·G·J·德弗里 ,  雅科夫·埃尔格 ,  埃里克·A·恩格尔哈特 ,  米歇尔·R·弗赖 ,  查尔斯·盖伊 ,  帕里斯·霍金斯 ,  乔伊·胡 ,  詹姆斯·克雷格·亨特 ,  潘查拉·N·坎卡纳拉 ,  李利伟 ,  温·胡·罗 ,  丹尼·卡姆·托恩·鲁 ,  方·梅 ,  斯蒂芬·P·墨菲 ,  斯鲁杰尔·帕特尔 ,  马修·J·B·桑德斯 ,  阿萨夫·施莱辛格 ,  盛殊然 ,  苏杰发 ,  杰弗里·S·沙利文 ,  戴维·坦纳 ,  特雷莎·特罗布里奇 ,  布赖斯·沃克 ,  约翰·M·怀特 ,  泰·K·王

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/042

CPC分类号： H01L21/67236 ,  B23K26/364 ,  B26F3/002 ,  B26F3/004 ,  B65G49/064 ,  B65G2249/02 ,  B65G2249/04 ,  C03B33/03 ,  C03B33/033 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67712 ,  H01L21/67715 ,  H01L21/67721 ,  H01L21/67727 ,  H01L21/6776 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/0504 ,  H01L31/075 ,  H02S50/00 ,  H02S50/10 ,  Y02E10/548 ,  Y02P40/57 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49355 ,  Y10T29/5196 ,  Y10T29/53113 ,  Y10T29/5313 ,  Y10T29/5317 ,  Y10T29/53187 ,  Y10T29/53365 ,  Y10T29/53417 ,  Y10T225/10 ,  Y10T225/325 ,  Y10T225/329

摘要： 本发明涉及利用适以在形成太阳能电池的处理中执行一或多个步骤的处理模块来形成光电装置或太阳能电池的系统。自动化太阳能电池工厂一般配置有用来形成太阳能电池的自动化处理模块和自动化设备。此自动化太阳能电池工厂因此大致包含一基板接收模块，用来接收基板；一或多个吸收层沉积群集工具，具有至少一个处理腔室可沉积含硅层在基板表面上；一或多个背接触沉积腔室；一或多个材料移除腔室；太阳能电池封装装置；热压釜模块；自动化接线箱附接模块；和一或多个质量确保模块，适以测试及合格化已完全形成的太阳能电池装置。