公开(公告)号：CN105765698A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201480061687.8

申请日：2014-11-12

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 大濑直之 ,  今井文一 ,  中嶋经宏 ,  福田宪司 ,  原田信介 ,  岡本光央

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/265 ,  H01L21/329 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 在n型SiC基板(1)的背面形成欧姆电极(8)时，通过离子注入在n型外延基板的背面的表面层形成n+型半导体区(7)。在该离子注入中，以30keV以上且150keV以下的范围的加速能量注入n型杂质，以使n+型半导体区(7)的杂质浓度成为1×1019/cm3以上且8×1020/cm3以下，优选成为4×1020/cm3以下，且使n+型半导体区(7)的厚度成为200nm以下的程度。然后，在n+型半导体区(7)的表面依次形成镍层和钛层，并通过热处理对镍层进行硅化而形成由硅化镍构成的欧姆电极(8)。据此，能够抑制背面电极剥离，并能够形成具有良好的特性的背面电极。

公开(公告)号：CN102804394A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080065423.1

申请日：2010-09-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 大濑直之 ,  竹中研介

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1824 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开了具有良好电池特性的太阳能电池、以及该太阳能电池的制造方法。具体地，公开了包括至少一层光电转换元件的太阳能电池的制造方法，在这些层中由微晶硅膜构成的i型硅层设置在n型硅层和p型硅层之间，并且基板侧n型硅层或p型硅层由非晶硅膜构成。在该方法中，通过将含硅烷气体和氢气的混合气体引入腔室的等离子体CVD法来形成光电转换元件，并且在基板侧n型硅层或p型硅层与i型硅层之间形成由微晶硅膜构成的籽晶层。籽晶层在与基板侧n型硅层或p型硅层接触的部分中具有比i型硅层低的结晶率，并且继续至结晶率朝着i型硅层阶段性地或逐渐地增大的i型硅层。