公开(公告)号：CN105565292A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201410594881.4

申请日：2014-10-29

申请人： 北京大学

发明人： 张锦 ,  胡悦 ,  康黎星 ,  赵秋辰 ,  张树辰

IPC分类号： C01B31/02 ,  B82Y30/00

CPC分类号： C30B29/02 ,  B05D1/005 ,  B05D1/60 ,  B05D3/007 ,  B05D3/0406 ,  B05D3/0453 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B31/0233 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/08 ,  C01B2202/22 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/186 ,  C30B29/20 ,  C30B31/04 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/0566 ,  Y10S977/75 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/938

摘要： 本发明公开了一种超高密度单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法。该方法，包括如下步骤：在单晶生长基底上加载催化剂，退火后，在化学气相沉积系统中通入氢气进行所述催化剂的还原反应，并保持氢气的通入进行单壁碳纳米管的定向生长即得。该方法制备得到超高密度单壁碳纳米管水平阵列的密度超过130根/微米，这是目前世界上已报道直接生长密度最高的单壁碳纳米管水平阵列。对本发明制备的超高密度单壁碳纳米管水平阵列进行电学性能测试，其开电流密度达到380μA/μm，跨导达到102.5μS/μm，均是目前世界上碳纳米管场效应晶体管中的最高水平。

公开(公告)号：CN103493181B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201280020255.3

申请日：2012-02-20

申请人： 株式会社富士金

发明人： 日高敦志 ,  平田薰 ,  永濑正明 ,  土肥亮介 ,  西野功二 ,  池田信一

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/448

CPC分类号： C23C16/45512 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/52 ,  Y10T137/7837

摘要： 本发明是不管是固体原料还是液体原料，都能够正确地调整载体气体与原料气体的混合气体内的原料浓度，而且在高精度的流量控制下向处理腔稳定地进行供给，并且能够容易地进行过原料的余量管理的汽化供给装置，包括下列部分构成：流路(L1)，其将来自载体气体供给源的载体气体向源储罐的内部上方空间部供给；自动压力调整装置，其间置于该流路(L1)，将源储罐的内部上方空间部的压力控制为设定压力；流路(L2)，其向处理腔供给在所述空间部生成的原料蒸汽与载体气体的混合气体；流量控制装置，其间置于该流路(L2)，将混合气体的流量自动调整为设定流量；以及恒温加热部，其将源储罐和流路(L1)以及流路(L2)加热为设定温度，该汽化供给装置为将所述空间部的内压控制为所期望的压力，并且向处理腔供给混合气体的构成。

公开(公告)号：CN103946956A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280056768.X

申请日：2012-11-16

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 梁日光 ,  诸成泰 ,  宋炳奎 ,  金龙基 ,  金劲勋 ,  申良湜

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C23C16/4412 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4588 ,  C23C16/54 ,  C30B25/14 ,  H01L21/67757 ,  C30B25/025

摘要： 根据本发明的一实施方案，实现在基板上形成外延层的外延工艺的外延装置，其包括：下部腔室，其上部打开，并在一侧形成有使所述基板进出的通道；外部反应管，其用于关闭所述下部腔室中打开的上部，并提供实现所述外延工艺的工艺空间；基板支架，其在上下方向载置一个以上所述基板，且可以转换到载置所述基板的载置位置、和实现对所述基板的所述工艺的工艺位置；一个以上的供应喷嘴，其沿着所述外部反应管的内壁配置，并具有用于喷射所述反应气体的供应口；和一个以上的排气喷嘴，其沿着所述外部反应管的内壁配置，并具有用于吸入所述工艺空间内的未反应气体及反应副产物的排气口；以及后方排气线，其连接于所述排气喷嘴，并用于排出通过所述排气口吸入的所述未反应气体及所述反应副产物，其中，所述下部腔室具有将所述排气喷嘴和所述后方排气线连接的排气端口、和将形成在所述下部腔室内部的载置空间连接于所述后方排气线的辅助排气端口。

公开(公告)号：CN101768730B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200910300041.1

申请日：2009-01-05

申请人： 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 ,  鸿海精密工业股份有限公司

发明人： 裴绍凯

IPC分类号： C23C16/30

CPC分类号： C23C16/4485 ,  C23C16/45512

摘要： 一种薄膜制备装置包括前驱体溶液制备装置和薄膜沉积装置。所述前驱体溶液制备装置包括储液罐、汽化装置和吸收塔。所述储液罐和所述汽化装置均与所述吸收塔相连通。所述储液罐用于储存镀膜溶液并向吸收塔提供镀膜溶液。所述汽化装置用于汽化掺杂剂溶液并向吸收塔提供汽化后的掺杂剂溶液。所述吸收塔为板式吸收塔、填料塔或湍球塔，当所述吸收塔为板式吸收塔时，板式吸收塔的塔板为筛孔塔板、浮阀塔板或泡罩塔板，所述吸收塔用于使镀膜溶液吸收汽化后的掺杂剂溶液溶液从而得到前驱体溶液。所述薄膜沉积装置用于将前驱体溶液导至待镀膜的基板表面以形成薄膜。

公开(公告)号：CN101914759A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010171133.7

申请日：2007-10-26

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 布赖恩·H·罗伯斯 ,  亚历山大·塔姆 ,  罗纳德·史蒂文斯 ,  雅各布·格雷森 ,  肯里克·T·乔伊 ,  萨姆埃德霍·阿卡赖亚 ,  桑迪普·尼杰霍安 ,  奥尔加·克里莱克 ,  尤里·梅尔尼克

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/448

CPC分类号： C23C16/4488 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  Y10T117/10

摘要： 本发明提供一种氢化物气相外延(HVPE)喷头设计，更具体地提供一种可以用于沉积工艺中的方法和装置，例如金属氮化物膜的HVPE沉积。一种在一个或多个衬底上形成金属氮化物层的方法，包括：使金属源暴露于包含氯(Cl2)的第一处理气体以形成金属卤化物气体，其中该金属源包含选自由镓、铝和铟构成的组群中的元素；以及使一个或多个衬底暴露于氮前驱物气体和该金属卤化物气体以在所述一个或多个衬底的表面上形成金属氮化物层。

公开(公告)号：CN101466868A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200780021800.X

申请日：2007-04-18

申请人： 凯姆流公司

发明人： 埃尔韦·吉永 ,  萨米埃尔·博纳福斯 ,  让·曼努埃尔·德康斯 ,  弗雷德里克·普瓦尼昂

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/448 ,  B05B7/26

CPC分类号： B01F5/04 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45523

摘要： 本发明涉及一种用于将载气(2)和液态化合物(3)或者液态溶液引入蒸发室(4)的装置(1)，所述装置包括混合室(10)且所述混合室(10)至少包括：第一入口(8)，用于供所述化合或者所述溶液(3)进入；第二入口(9)，用于供载气(2)进入；以及出口(13)，其连接至喷射器(14)的入口，以便将所述载气与所述化合物或者所述溶液的液滴的混合物通过喷射器(14)的单个出口周期性地喷射至蒸发室(4)中。

公开(公告)号：CN101355025A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810133730.3

申请日：2008-07-25

申请人： 索尼株式会社

发明人： 国井正文

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L31/18 ,  C23C16/24

CPC分类号： H01L27/127 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66765

摘要： 本发明提供一种薄膜半导体装置的制造方法，即使为低的基板温度，也能维持成膜速度并且把膜厚度方向的晶体化率稳定的晶体性硅薄膜成膜在基板上，由此把晶体性硅薄膜直接向基板上成膜的技术在产业上实用化，且通过使用该硅薄膜来谋求高性能化。解决方法是，利用将以SinH2n+2(n＝2、3、…)表示的超级硅烷类气体和氢气用于成膜气体的等离子CVD法，来进行把包含晶体结构的硅薄膜成膜在基板上的成膜工序(S2)。在作为前工序的所述晶核生成工序中，利用将以SinH2n+2(n＝2、3、…)表示的超级硅烷类气体和卤化锗气体用于成膜气体的反应性热CVD法或等离子CVD法，在基板上进行用于生成晶核的晶核生成工序(S1)。

公开(公告)号：CN100392148C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN02826170.4

申请日：2002-12-19

申请人： 应用材料有限公司

发明人： J·A·苏布拉默尼 ,  横田义高 ,  R·S·耶尔 ,  L·罗 ,  A·陈

IPC分类号： C23C16/40

CPC分类号： C23C16/45512 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56

摘要： 本发明公开一种氧化物和氮氧化物膜及其制造方法。该氧化物或氮氧化物膜生长在位于淀积室中的衬底上。硅源气体(或硅源气体与氮化源气体)和氧化源气体在淀积室中利用热能源被分解。在衬底上形成氧化硅(或氮氧化硅)膜，其中淀积室的总压力保持在50托到350托的范围内，其中在淀积工艺期间，硅源气体(或硅源气体与氮化源气体)和氧化源气体的流量比在1∶50到1∶10000范围内。

公开(公告)号：CN101174577A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710101714.1

申请日：2002-10-25

申请人： 应用材料公司

发明人： 陈岭 ,  仲华 ,  肖恩·M·瑟特尔 ,  迈克尔·X·杨 ,  奚明 ,  文森特·库 ,  吴典晔 ,  艾伦·乌业 ,  诺曼·纳卡希玛 ,  巴里·金 ,  张弘

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45582 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76871

摘要： 本发明提供了一种用于在衬底上形成金属互连的方法。一方面，本方法包括沉积含难熔金属的阻挡层，所述阻挡层的厚度小于2nm使得其呈现类晶体结构，并足以抑制至少一部分金属层上的原子迁移；通过交替地引入一次或多次含金属化合物的脉冲和一次或多次含氮化合物的脉冲，在至少一部分阻挡层上沉积晶种层；并在至少一部分晶种层上沉积第二金属层来生成互连。

公开(公告)号：CN101156230A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200680011266.X

申请日：2006-04-03

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 高桥毅 ,  青山真太郎 ,  品田敬宏 ,  川上雅人

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C23C16/401 ,  C23C16/45512 ,  G11B5/85 ,  G11B7/266 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31604

摘要： 本发明提供一种成膜装置，其特征在于，包括：在内部保持被处理基板的处理容器；第一气体供给单元，向所述处理容器内供给由以叔丁氧基作为配体的烷氧基金属构成的第一气相原料；和第二气体供给单元，向所述处理容器内供给由烷氧基硅原料构成的第二气相原料，所述第一气体供给单元和所述第二气体供给单元与使所述第一气相原料和所述第二气相原料预备反应的预备反应单元连接，将预备反应后的所述第一气相原料和所述第二气相原料供给至所述处理容器内。