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公开(公告)号：CN101328579B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200710165352.2
申请日：2007-10-26
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： 布赖恩·H·罗伯斯 , 亚历山大·塔姆 , 罗纳德·史蒂文斯 , 雅各布·格雷森 , 肯里克·T·乔伊 , 萨姆埃德霍·阿卡赖亚 , 桑迪普·尼杰霍安 , 奥尔加·克里莱克 , 尤里·梅尔尼克
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/448
CPC分类号： C23C16/4488 , C23C16/45502 , C23C16/45512 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , C23C16/45578 , C30B25/14 , C30B29/403 , Y10T117/10
摘要： 本发明提供一种氢化物气相外延(HVPE)喷头设计，更具体地提供一种可以用于沉积工艺中的方法和装置，例如金属氮化物膜的HVPE沉积。第一组通路可引入含金属前驱物气体。第二组通路可提供含氮前驱物气体。分散所述第一和第二组通路以分开所述含金属前驱物气体和所述含氮前驱物气体直到它们到达衬底。惰性气体还可流经所述通道以帮助保持间距和限制所述通路处或其附近的反应，从而防止所述通路上的不需要的沉积。
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公开(公告)号：CN102121097A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201110037719.9
申请日：2008-10-16
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： 亚历山大·塔姆 , 雅各布·格雷森 , 萨姆埃德霍·阿卡赖亚
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/18 , C23C16/30
CPC分类号： C23C16/34 , C23C16/45565
摘要： 本发明涉及一种喷头装置，更具体的是一种多个气体螺旋通路的喷头，本发明还提供了一种用于化学气相沉积和/或氢化物气相外延(HVPE)沉积的方法和装置。在一个实施方式中，使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在多个基板上沉积III族氮化物膜。III族前体诸如三甲基镓、三甲基铝或三甲基铟以及含氮前体诸如氨被传送到隔离前体气体的多个螺旋通路中。前体气体被注入到混合通路中，这里气体在进入到含有基板的处理容积之前混合。
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公开(公告)号：CN101914759A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010171133.7
申请日：2007-10-26
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： 布赖恩·H·罗伯斯 , 亚历山大·塔姆 , 罗纳德·史蒂文斯 , 雅各布·格雷森 , 肯里克·T·乔伊 , 萨姆埃德霍·阿卡赖亚 , 桑迪普·尼杰霍安 , 奥尔加·克里莱克 , 尤里·梅尔尼克
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/448
CPC分类号： C23C16/4488 , C23C16/45502 , C23C16/45512 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , C23C16/45578 , C30B25/14 , C30B29/403 , Y10T117/10
摘要： 本发明提供一种氢化物气相外延(HVPE)喷头设计，更具体地提供一种可以用于沉积工艺中的方法和装置，例如金属氮化物膜的HVPE沉积。一种在一个或多个衬底上形成金属氮化物层的方法，包括：使金属源暴露于包含氯(Cl2)的第一处理气体以形成金属卤化物气体，其中该金属源包含选自由镓、铝和铟构成的组群中的元素；以及使一个或多个衬底暴露于氮前驱物气体和该金属卤化物气体以在所述一个或多个衬底的表面上形成金属氮化物层。
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公开(公告)号：CN101413112A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810170603.0
申请日：2008-10-16
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： 布赖恩·H·伯罗斯 , 亚历山大·塔姆 , 罗纳德·史蒂文斯 , 肯里克·T·乔伊 , 詹姆斯·D·费尔斯克 , 雅各布·格雷森 , 萨姆埃德霍·阿卡赖亚 , 桑迪普·尼杰霍安 , 洛里·D·华盛顿 , 尼欧·谬
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/18 , C23C16/30
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45514 , C23C16/45519 , C23C16/45574 , C23C16/45578 , C30B25/14 , C30B29/403 , Y10T137/0318 , Y10T137/87153
摘要： 本发明提供了多种气体直通道喷头，更具体地提供了一种可以用于化学气相沉积和/或氢化物气相外延(HVPE)的方法和装置。在一个实施例中，金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺用于在多个衬底上沉积III族氮化物膜。诸如三甲基镓、三甲基铝、和三甲基铟的III族前驱物以及诸如氨的含氮前驱物被输送到多个对所述前驱物气体进行隔离的多个直的通道。前驱物气体被注入到混合通道，其中所述气体在进入包含衬底的处理容积之前在该混合通道处混合。提供热交换通道用于混合通道的温度控制以防止前驱物的不期望冷凝和反应。
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公开(公告)号：CN101925980A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200980103376.2
申请日：2009-01-13
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： 布赖恩·H·伯罗斯 , 罗纳德·史蒂文斯 , 雅各布·格雷森 , 乔舒亚·J·波德斯塔 , 桑迪普·尼杰霍安 , 洛里·D·华盛顿 , 亚历山大·塔姆 , 萨姆埃德霍·阿卡赖亚
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/452 , C23C16/481 , C23C16/52 , H01L21/67248 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 本发明的实施例一般涉及用于在基板上进行化学汽相沉积(CVD)的方法及设备，特定的是，涉及用于金属有机化学汽相沉积的工艺腔室及部件。该设备包括：腔室主体，界定工艺容积；喷洒头，位于第一平面，并界定该工艺容积的顶端部分；承载板，在第二平面而延伸跨越该工艺容积，并在该喷洒头与该基座板之间形成上方工艺容积；透明材料，位于第三平面，并界定该工艺容积的底端部分，而在该承载板与该透明材料之间形成下方工艺容积；以及复数个灯，在该透明材料下方形成一或多个区域。该设备提供均一的前驱物流动及混合，并同时维持较大型基板上方的均一温度，因而使生产率有相应的提高。
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公开(公告)号：CN101423936A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810170602.6
申请日：2008-10-16
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： 亚历山大·塔姆 , 雅各布·格雷森 , 萨姆埃德霍·阿卡赖亚
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/18 , C23C16/30
CPC分类号： C23C16/34 , C23C16/45565
摘要： 本发明涉及一种喷头装置，更具体的是一种多个气体螺旋通路的喷头，本发明还提供了一种用于化学气相沉积和/或混合气相外延(HVPE)沉积的方法和装置。在一个实施方式中，使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在多个基板上沉积III族氮化物膜。III族前体诸如三甲基镓、三甲基铝或三甲基铟以及含氮前体诸如氨被传送到隔离前体气体的多个螺旋通路中。前体气体被注入到混合通路中，这里气体在进入到含有基板的处理容积之前混合。
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公开(公告)号：CN101418465A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810171938.4
申请日：2008-10-24
申请人： 应用材料股份有限公司
CPC分类号： C23C16/4488 , C23C16/45502 , C23C16/45512 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , C23C16/45578 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B29/403 , G05D23/22 , G05D23/27
摘要： 本发明提供一种可以用于沉积工艺中的方法和装置，例如金属氮化物膜的氢化物气相外延(HVPE)沉积。第一组通路可引入含金属前驱物气体。第二组通路可提供含氮前驱物气体。分散所述第一和第二组通路以分开所述含金属前驱物气体和所述含氮前驱物气体直到它们到达衬底。惰性气体还可流经所述通道以帮助保持间距和限制所述通路处或其附近的反应，从而防止所述通路上的不需要的沉积。
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公开(公告)号：CN101328579A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200710165352.2
申请日：2007-10-26
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： 布赖恩·H·罗伯斯 , 亚历山大·塔姆 , 罗纳德·史蒂文斯 , 雅各布·格雷森 , 肯里克·T·乔伊 , 萨姆埃德霍·阿卡赖亚 , 桑迪普·尼杰霍安 , 奥尔加·克里莱克 , 尤里·梅尔尼克
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/448
CPC分类号： C23C16/4488 , C23C16/45502 , C23C16/45512 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , C23C16/45578 , C30B25/14 , C30B29/403 , Y10T117/10
摘要： 本发明提供一种氢化物气相外延(HVPE)喷头设计，更具体地提供一种可以用于沉积工艺中的方法和装置，例如金属氮化物膜的HVPE沉积。第一组通路可引入含金属前驱物气体。第二组通路可提供含氮前驱物气体。分散所述第一和第二组通路以分开所述含金属前驱物气体和所述含氮前驱物气体直到它们到达衬底。惰性气体还可流经所述通道以帮助保持间距和限制所述通路处或其附近的反应，从而防止所述通路上的不需要的沉积。
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