公开(公告)号：CN101933131A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200980103690.0

申请日：2009-01-13

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 布赖恩·H·伯罗斯 ,  洛里·D·华盛顿 ,  罗纳德·史蒂文斯 ,  肯里克·T·乔伊 ,  安东尼·F·怀特 ,  罗杰·N·安德森 ,  桑迪普·尼杰霍安 ,  乔舒亚·J·波德斯塔 ,  亚历山大·塔姆

IPC分类号： H01L21/677 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67

CPC分类号： C23C16/54 ,  C30B25/08 ,  C30B29/403 ,  C30B35/00 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

摘要： 用来制造复合氮化物半导体元件的处理系统的一实施方式包含：一或多个处理腔室，可操作这些处理腔室以在一基板上形成一复合氮化物半导体层；一传送腔室，与该处理腔室耦接；一加载锁定腔室，与该传送腔室耦接；和一加载站，与该加载锁定腔室耦接；其中该加载站包含一输送盘，可移动该输送盘以传送加载有一或多个基板的一承载板进入该加载锁定腔室内。相较于单一腔室反应器来说，此多腔室处理系统可扩展复合结构的潜在复杂性与多样性。此外，此系统可通过使单独的腔室只执行特定外延生长工艺而达成较高的品质与产率。通过在多个腔室内同时进行处理而能提高产出率。

公开(公告)号：CN101413112A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810170603.0

申请日：2008-10-16

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 布赖恩·H·伯罗斯 ,  亚历山大·塔姆 ,  罗纳德·史蒂文斯 ,  肯里克·T·乔伊 ,  詹姆斯·D·费尔斯克 ,  雅各布·格雷森 ,  萨姆埃德霍·阿卡赖亚 ,  桑迪普·尼杰霍安 ,  洛里·D·华盛顿 ,  尼欧·谬

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  Y10T137/0318 ,  Y10T137/87153

摘要： 本发明提供了多种气体直通道喷头，更具体地提供了一种可以用于化学气相沉积和/或氢化物气相外延(HVPE)的方法和装置。在一个实施例中，金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺用于在多个衬底上沉积III族氮化物膜。诸如三甲基镓、三甲基铝、和三甲基铟的III族前驱物以及诸如氨的含氮前驱物被输送到多个对所述前驱物气体进行隔离的多个直的通道。前驱物气体被注入到混合通道，其中所述气体在进入包含衬底的处理容积之前在该混合通道处混合。提供热交换通道用于混合通道的温度控制以防止前驱物的不期望冷凝和反应。

公开(公告)号：CN101418465A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810171938.4

申请日：2008-10-24

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 布赖恩·H·伯罗斯 ,  奥尔加·克里莱克 ,  尤里·梅尔尼克 ,  雅各布·格雷森 ,  桑迪普·尼杰霍安 ,  罗纳德·史蒂文斯 ,  萨姆埃德霍·阿卡赖亚

IPC分类号： C30B25/14 ,  C30B29/38

CPC分类号： C23C16/4488 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  G05D23/22 ,  G05D23/27

摘要： 本发明提供一种可以用于沉积工艺中的方法和装置，例如金属氮化物膜的氢化物气相外延(HVPE)沉积。第一组通路可引入含金属前驱物气体。第二组通路可提供含氮前驱物气体。分散所述第一和第二组通路以分开所述含金属前驱物气体和所述含氮前驱物气体直到它们到达衬底。惰性气体还可流经所述通道以帮助保持间距和限制所述通路处或其附近的反应，从而防止所述通路上的不需要的沉积。

公开(公告)号：CN101925980A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200980103376.2

申请日：2009-01-13

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 布赖恩·H·伯罗斯 ,  罗纳德·史蒂文斯 ,  雅各布·格雷森 ,  乔舒亚·J·波德斯塔 ,  桑迪普·尼杰霍安 ,  洛里·D·华盛顿 ,  亚历山大·塔姆 ,  萨姆埃德霍·阿卡赖亚

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C23C16/452 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

摘要： 本发明的实施例一般涉及用于在基板上进行化学汽相沉积(CVD)的方法及设备，特定的是，涉及用于金属有机化学汽相沉积的工艺腔室及部件。该设备包括：腔室主体，界定工艺容积；喷洒头，位于第一平面，并界定该工艺容积的顶端部分；承载板，在第二平面而延伸跨越该工艺容积，并在该喷洒头与该基座板之间形成上方工艺容积；透明材料，位于第三平面，并界定该工艺容积的底端部分，而在该承载板与该透明材料之间形成下方工艺容积；以及复数个灯，在该透明材料下方形成一或多个区域。该设备提供均一的前驱物流动及混合，并同时维持较大型基板上方的均一温度，因而使生产率有相应的提高。