Patent search ap:("台湾积体电路制造股份有限公司") AND inv:"邱文智" Page 7

61.

发明授权
晶圆分离和清洁装置及其使用方法有权

公开(公告)号：CN103137524B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201210190020.0

申请日：2012-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱文智 , 林俞良 , 涂宏荣

IPC: H01L21/67 , H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67173 , H01L21/02057 , H01L21/67207

Abstract: 本说明书涉及一种晶圆分离和清洁装置，包括自动晶圆处理模块。自动晶圆处理模块将半导体晶圆加载到用于分离工艺的晶圆分离模块中。自动晶圆处理模块从晶圆分离模块移除半导体晶圆并且将半导体晶圆加载到用于清洁工艺的晶圆清洁模块。还提供了晶圆分离和清洁装置及其使用方法。

62.

发明授权
互连势垒结构和方法有权

公开(公告)号：CN102856299B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201210124448.5

申请日：2012-04-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 , 邱文智 , 吴仓聚

IPC: H01L23/538 , H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76847 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2924/15788 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/00

Abstract: 提供了一种形成衬底通孔的系统和方法。实施例包括：在衬底中形成开口，以及通过第一势垒层内衬开口。利用导电材料填充开口，将第二势垒层形成为与导电材料相接触。利用与形成第二势垒层不同的材料和不同的形成方法形成第一势垒层，使得可以调整材料和方法，从而将器件内的有效性最大化。本发明还提供了一种互连势垒结构和方法。

63.

发明授权
具有反射板的发光二极管失效复审申请

公开(公告)号：CN101621100B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN200810176671.8

申请日：2008-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 , 邱文智 , 陈鼎元 , 余佳霖

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/32

Abstract: 本发明涉及一种具有反射板的发光二极管，包括：基底、位于基底上方的三族氮化物层、位于三族氮化物层上方的氮化金属层、以及位于氮化金属层上方的发光层。以及另一种具有反射板的发光二极管，包括：一硅基底；一背侧接触层，位于该硅基底下方；一第一氮化镓层，位于该硅基底上方；一氮化金属反射板，位于该第一氮化镓上方；一第二氮化镓层，位于该氮化金属反射板上方；一发光层，位于该第二氮化镓层上方；一第三氮化镓层，位于该发光层上方；以及一顶侧接触层，位于该第三氮化镓层上方且经由该第一、该第二、及该第三氮化镓层而电性连接至该背侧接触层。由此，可以防止发光二极管所发射的一有效部分的光被吸收，改善了发光二极管的发光效率。

64.

发明授权
半导体装置及其制造方法有权复审申请

公开(公告)号：CN101771012B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN200910141836.2

申请日：2009-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张宏宾 , 许国经 , 陈承先 , 邱文智 , 余振华

IPC: H01L23/482 , H01L23/488 , H01L21/48

CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/6835 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2221/6834 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05558 , H01L2224/1147 , H01L2224/13009 , H01L2224/13025 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2224/13099 , H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，用于堆叠裸片的隔离结构。该制造方法包括：于一半导体基底中形成硅穿孔，并薄化该半导体基底的背侧以露出硅穿孔。形成一隔离层于半导体基底的背侧与硅穿孔上，并薄化隔离层以重新露出硅穿孔。之后，形成一导电元件于硅穿孔上。本发明中提供的隔离结构，其围绕露出的硅穿孔，因此提供一较大的湿润表面，使焊球和基板之间可形成良好的电性连接。如此一来，可增加焊球的密度。此外，隔离层也可增加接合界面的机械强度。

65.

发明公开
集成电路封装件及其形成方法失效

公开(公告)号：CN104851814A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510059724.8

申请日：2015-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 , 吴集锡 , 邱文智 , 李祥帆 , 戴世芃 , 邱当荣

IPC: H01L21/58 , H01L21/60 , H01L21/66 , H01L23/488 , H01L23/544

CPC classification number: H01L25/0652 , H01L21/78 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L22/32 , H01L24/09 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L2224/0401 , H01L2224/09515 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81007 , H01L2225/06513 , H01L2225/06582 , H01L2225/06596 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明提出了一种形成集成电路封装件的方法。第一多个第一层堆叠件被安装在衬底上，其中，衬底具有与第一层堆叠件中的每一个堆叠件均相应的一个或多个接触焊盘并且具有与第一层堆叠件中的每一个堆叠件均相配套的一个或多个探测焊盘。电测试第一层堆叠件中的每一个堆叠件并且识别已知良好的第一层堆叠件和已知不良的第一层堆叠件。第一多个堆叠衬底被安装在已知良好的第一层堆叠件上，由此形成多个第二层堆叠件。电测试第二层堆叠件中的每一个堆叠件以识别已知良好的第二层堆叠件和已知不良的第二层堆叠件。本发明还提供了根据该形成集成电路封装件的方法而形成的半导体器件。

66.

发明公开
元件的制造方法有权

公开(公告)号：CN104617043A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201510029812.3

申请日：2007-12-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 普翰屏 , 楼百尧 , 王宗鼎 , 萧景文 , 卿恺明 , 郭正铮 , 邱文智 , 鲁定中 , 侯上勇

IPC: H01L21/78 , H01L21/50

CPC classification number: H01L21/78 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/051 , H01L2224/05572 , H01L2224/056 , H01L2224/11 , H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种元件的制造方法。提供基底，包括多个芯片，芯片间是以切割线区域分隔，其中基底上至少形成一结构层。以黄光光刻和蚀刻工艺移除切割线区域中的部分结构层，形成多个开口。沿着切割线区域切割基底。在另一个实施例中，提供第一基底，其中第一基底上至少形成第一结构层。图形化第一结构层，于第一切割线区域中形成多个第一开口。提供第二基底，其中第二基底上至少形成第二结构层。图形化第二结构层，于第二切割线区域中形成多个第二开口。接合第一基底和第二基底，形成堆叠结构。沿着第一切割线区域和第二切割线区域切割堆叠结构。本发明提出的半导体元件的制造方法可减少切割工艺产生的剥离、崩缺或脱层等问题，改善生产合格率。

67.

发明公开
具有金属-绝缘体-金属电容器的封装件及其制造方法失效

公开(公告)号：CN103985696A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201310184704.4

申请日：2013-05-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 , 侯上勇 , 邱文智 , 洪瑞斌 , 叶德强 , 叶炅翰

IPC: H01L23/522 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/768

CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/4853 , H01L21/565 , H01L23/5223 , H01L23/525 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L27/1255 , H01L27/3276 , H01L28/40 , H01L28/60 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19104 , H01L2224/82 , H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了具有金属-绝缘体-金属电容器的封装件及其制造方法。具体来说，本发明公开了一种封装件包括芯片，该芯片具有在第一聚合物层中形成的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器和在MIM电容器上形成的金属柱。模塑料围绕芯片，第二聚合物层在芯片和模塑料上形成，第三聚合物层在第二聚合物层上形成，互连结构在第二聚合物层和第三聚合物层之间形成并且与金属柱和MIM电容器电连接，并且凸块在互连结构的上方形成并且与互连结构电连接。

68.

发明授权
形成发光二极管装置的方法有权转让

公开(公告)号：CN101667615B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200910163587.7

申请日：2009-08-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈鼎元 , 余振华 , 邱文智

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0062 , H01L21/78 , H01L33/0066 , H01L33/0079 , H01L2924/01078 , H01S5/1231 , H01S5/2275

Abstract: 本发明提供一种形成发光二极管装置的方法。该方法包含：形成一发光二极管结构于一第一基底之上。将一部分的该第一基底转换成一孔洞层，以及形成一导电基底于与该第一基底相反侧的该发光二极管结构之上。沿着该孔洞层切割，以将该第一基底由该发光二极管结构分离。本发明可在固定基底尺寸的前提下，达到增加该发光二极管装置的发光效率的目的。

69.

发明授权
发光二极管装置及其制造方法有权转让

公开(公告)号：CN101651179B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN200910128884.8

申请日：2009-03-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 , 邱文智 , 陈鼎元 , 余佳霖 , 林宏达

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种发光二极管装置及其制造方法，此发光二极管装置包括：一半导体基板；凸起区域，形成在上述半导体基板上，上述凸起区域包括一半导体材料；一第一接触层，位于上述凸起区域上，上述第一接触层具有一非平坦表面；一非平坦的活性层，位于上述第一接触层上；以及一第二接触层，位于上述非平坦的活性层上，上述第二接触层具有一平坦表面。本发明第一接触层与活性层的非平坦表面外形会增加暴露表面的面积，以此增加发光二极管装置的发光效率。