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公开(公告)号：CN118296344B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202311566807.7
申请日：2023-11-22
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G06F18/213 , G01B15/00 , G06F18/10 , G06F30/27 , G06N20/00
Abstract: 基于机器学习加速的X射线小角散射测量方法及装置，用以在确定样品关键尺寸时加快仿真计算散射信号的速度，进而减少求解关键尺寸所花费的时间。该方法包括：通过测量系统获取待测样本的测量散射图；测量散射图为在不同位置关系下测量系统的X射线经过待测样本被散射后形成的散射图；所述位置关系为X射线与所述待测样本的方位角和入射角；解析所述待测样本的测量散射图中散射信号的分布特征，得到表征所述待测样本的关键尺寸的测量特征信号；将所述测量特征信号与仿真特征信号进行比较，确定与所述测量特征信号的差异最小的仿真特征信号；将与所述测量特征信号的差异最小的仿真特征信号相对应的一组模拟关键尺寸作为待测样本的关键尺寸。
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公开(公告)号：CN119203883A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411163604.8
申请日：2024-08-23
IPC: G06F30/367 , G06F17/18 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供了一种MOSFET器件的特性仿真方法及仿真系统，其中特性仿真方法包括以下步骤：在多个温度环境，对多个待测器件进行直流特性测试，根据测试获得的直流电学表征数据，构建待测器件的直流特性模型；根据直流电学表征数据，构建统计模型，并分析获取待测器件的全局变化数据和局部失配数据；提取待测器件的关键电学参数，构建待测器件的射频特性模型；以及根据待测器件的电路特征数学模型和射频特性模型，构建待测器件的集约模型。本发明提供了一种MOSFET器件的特性仿真方法及仿真系统，能够准确地描述低温环境下MOSFET器件的特性。
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公开(公告)号：CN119104165A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411218315.3
申请日：2024-09-02
IPC: G01K7/01
Abstract: 本发明涉及一种深低温CMOS温度传感器，基于深低温下厚氧PMOS器件阈值电压与温度的准线性关系，通过提取厚氧PMOS器件在三种不同特定偏置下的电流并对其进行算术运算获得关于厚氧PMOS器件阈值电压的线性函数从而实现深低温下的温度感知。与现有技术相比，本发明具有输出为数字量、体积小、与CMOS工艺兼容等优点。
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公开(公告)号：CN118899321A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410978471.3
申请日：2024-07-19
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 张江国家实验室
IPC: H01L27/12
Abstract: 本申请提供一种晶圆结构，包括衬底，以及衬底上的多个半导体器件组，每个半导体器件组包括至少一个半导体器件，半导体器件包括埋氧层、埋氧层上的沟道层和沟道层上的栅极结构，栅极结构包括从沟道层向上依次层叠的高k介质层、N型功函数层和金属间隙填充层，多个半导体器件组包括第一器件组和第二器件组，第一器件组和第二器件组中的半导体结构还包括P型功函数层。第一器件组中的半导体器件和第二器件组中的半导体器件中P型功函数层的厚度不同，和/或，第一器件组中的半导体器件和第二器件组中的半导体器件下方的衬底的掺杂状态不同，可以实现在同一晶圆上制造不同阈值电压的器件，易于实施，提高了器件的制造效率。
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公开(公告)号：CN118899265A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410978479.X
申请日：2024-07-19
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 张江国家实验室
Abstract: 本申请提供一种晶圆结构的制造方法，包括提供衬底，以及在衬底上形成多个半导体器件组，每个半导体器件组包括至少一个半导体器件，半导体器件包括埋氧层、埋氧层上的沟道层和沟道层上的栅极结构，栅极结构包括从沟道层向上依次层叠的高k介质层、N型功函数层和金属间隙填充层，多个半导体器件组包括第一器件组和第二器件组，第一器件组和第二器件组中的半导体结构还包括P型功函数层。第一器件组中的半导体器件和第二器件组中的半导体器件中P型功函数层的厚度不同，和/或，第一器件组中的半导体器件和第二器件组中的半导体器件下方的衬底的掺杂状态不同，这样可以实现在同一晶圆上制造不同阈值电压的器件，易于实施，提高了器件的制造效率。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN118692534A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410866588.2
申请日：2024-06-28
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明的可重构物理不可克隆电路包括多个阻变存储器单元，阻变存储器单元具有第一选通晶体管、一端分别与第一选通晶体管的漏极连接的第一RRAM电阻、第二RRAM电阻；与第一RRAM电阻的另一端、第二RRAM电阻的另一端连接，通过使建立电流在第一RRAM电阻、第二RRAM电阻中流过来进行提取操作，以使第一RRAM电阻、第二RRAM电阻中的一个处于低阻态的提取模块；以及与第一RRAM电阻的另一端、第二RRAM电阻的另一端连接，通过检测被选中的阻变存储器单元中的第一RRAM电阻、第二RRAM电阻的阻态并产生与第一RRAM电阻、第二RRAM电阻的阻态对应的PUF数值来进行测量操作的测量模块。
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公开(公告)号：CN118335149A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311774920.4
申请日：2023-12-21
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本公开提供一种基于忆阻器的动态调整读参考的写校验方法、电路及存储器，包括：读电路，用于对进行了写入操作的忆阻器单元进行校验操作，以校验写入操作是否成功；读写逻辑控制单元，用于控制读电路进行的校验操作；读参考比较输出电路，用于将忆阻器单元进行校验操作时输出的校验信号与读参考信号进行比较，根据比较结果输出表示写入操作是否成功的信号；读参考信号产生电路，用于产生读参考信号，在写入操作校验失败的情况下，读写逻辑控制单元控制读参考信号产生电路调整读参考信号的大小，并控制读参考比较输出电路将校验信号与调整后的读参考信号进行比较，直至读参考比较输出电路输出表示写入操作成功的信号为止。
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公开(公告)号：CN118276235A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211728691.8
申请日：2022-12-30
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本发明涉及光电器件技术领域，公开了一种端面耦合器及其制备方法，该端面耦合器的制备方法，包括：在晶圆上涂覆纳米压印胶；通过纳米压印工艺在纳米压印胶上形成第一预设图形；通过刻蚀工艺在晶圆上、对应于第一预设图形的区域制备出输入段波导的坡面，并使坡面低端的高度为50～130纳米；去除晶圆上剩余的纳米压印胶；成型输入段波导以及输出段波导，其中，输出段波导与输入段波导坡面的高端连接，且沿坡面的低端指向高端的方向，输入段波导的截面面积逐渐增大；在输入段波导和输出段波导上制备包层。该端面耦合器及其制备方法改善了端面耦合器横截面的光场模式和光纤模式失配较大，产生较大耦合损耗的问题。
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公开(公告)号：CN118226577A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211648361.8
申请日：2022-12-21
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司 , 张江国家实验室
Abstract: 本发明提供了一种硅光器件及其制造方法。所述硅光器件包括衬底、第一埋氧层、绝缘介质层、前道硅化物波导、后道硅化物波导和环状反射层。所述前道硅化物波导和所述后道硅化物波导分别设置于所述绝缘介质层底部内和所述绝缘介质层顶部内，所述绝缘介质层内设置所述环状反射层，所述前道硅化物波导的一端部和所述后道硅化物波导的一端部与所述环状反射层的镂空区域相对应设置，所述后道硅化物波导自所述后道硅化物波导的一端部起沿远离所述前道硅化物波导的一端部的方向延伸，使得无需衬底掏空工艺或使用小模场透镜光纤就能够将光从所述后道硅化物波导经所述环状反射层进入前道硅化物波导并有利于减小串扰和增加耦合效率。
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