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公开(公告)号：CN118363259A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310079641.X
申请日：2023-01-17
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本发明提供一种纳米压印模板制备方法及光波导制备方法，其中，纳米压印模板制备方法包括如下步骤：提供表面形成有氧化硅层的衬底；对所述氧化硅层进行图形化处理，使得所述氧化硅层形成图形结构，所述图形结构具有微纳米级的尺寸；以及对形成了所述图形结构的所述衬底进行热处理，制备得到纳米压印模板。本发明的光波导制备方法利用上述纳米压印模板进行纳米压印，从而制得低损耗的光波导。
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公开(公告)号：CN119781242A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202311289140.0
申请日：2023-10-07
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本申请实施例提供一种喷墨式电诱导压印设备及方法，应用在微纳制造纳米压印技术领域，包括：电诱导系统和喷墨压印模块；电诱导系统包括上电极和下电极，在上电极和下电极之间设有外部电压，下电极用于承载衬底材料；喷墨压印模块用于将纳米压印胶液滴沉积在纳米压印模板的空腔区间对应的衬底材料上；电诱导系统用于通过调节外部电压为第一电压，使纳米压印胶液滴在衬底材料上铺展均匀；衬底材料位于上电极和下电极之间；喷墨压印模块用于对纳米压印模板进行压印；电诱导系统用于在压印过程中调节外部电压为第二电压，使纳米压印胶液滴在纳米压印模板的空腔中扩散均匀，直至纳米压印模板与纳米压印胶液贴合。
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公开(公告)号：CN119937239A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202311466768.3
申请日：2023-11-06
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明涉及纳米压印技术领域，公开一种纳米压印模板及其制备方法，纳米压印模板包括：储气部和压印层，压印层具有压印图案；储气部具有朝向压印层的第一开口，压印层覆盖于第一开口，以与储气部围成储气腔；储气部具有与储气腔连通的进气口。当由进气口向储气腔进气时，储气腔内的压力逐渐变大，并驱动压印层向外部凸出，且压印层的中部位置先凸起，随着进气量的增加逐步向四周凸起，以上过程中，压印层的曲率可通过储气腔进气量的多少进行控制；当进行压印操作时，压印层的中部图案先压印至衬底上，再逐步向四周压印，从而，以步进的方式由中部向四周压印，将空气逐步赶走，避免压印层下方的气体没有排除干净，影响产品良率。
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公开(公告)号：CN118534586A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202310159349.9
申请日：2023-02-23
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本申请公开一种光栅耦合器的制备方法以及光栅耦合器。该光栅耦合器的制备方法包括：通过压印，在硅片的纳米压印胶上形成第一预设图形；其中，所述第一预设图形包括与多个光栅结构单元对应的子图形；通过刻蚀工艺在所述硅片上、对应于所述第一预设图形的区域制备出光栅结构单元的刻蚀部分，使得至少部分光栅结构单元的刻蚀部分的深度不同，和/或至少部分光栅结构单元的占空比不同。通过纳米压印工艺，实现从刻蚀深度和占空比两个维度上改变光栅结构单元，通过一次压印就能得到不同刻蚀深度和占空比的光栅结构单元，这样就能制备与待耦合光纤匹配度高的变迹光栅耦合器，从而提高耦合效率、降低耦合损耗、增强光栅耦合器的性能。
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公开(公告)号：CN118276235A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211728691.8
申请日：2022-12-30
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本发明涉及光电器件技术领域，公开了一种端面耦合器及其制备方法，该端面耦合器的制备方法，包括：在晶圆上涂覆纳米压印胶；通过纳米压印工艺在纳米压印胶上形成第一预设图形；通过刻蚀工艺在晶圆上、对应于第一预设图形的区域制备出输入段波导的坡面，并使坡面低端的高度为50～130纳米；去除晶圆上剩余的纳米压印胶；成型输入段波导以及输出段波导，其中，输出段波导与输入段波导坡面的高端连接，且沿坡面的低端指向高端的方向，输入段波导的截面面积逐渐增大；在输入段波导和输出段波导上制备包层。该端面耦合器及其制备方法改善了端面耦合器横截面的光场模式和光纤模式失配较大，产生较大耦合损耗的问题。
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