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公开(公告)号：CN120025552A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202311567642.5
申请日：2023-11-22
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本发明提供一种PS‑PMMA嵌段共聚物及其制备方法、刻蚀方法、制品和用途，所述PS‑PMMA嵌段共聚物包括PS链段、PMMA链段和连接所述PS链段和所述PMMA链段的连接基团，所述连接基团包括席夫碱键。本发明提供的PS‑PMMA嵌段共聚物中PS链段和PMMA链段通过包含席夫碱键的连接基团相连，无需使用紫外曝光和刻蚀设备，仅仅通过短时间简单的有机酸浸泡处理，就可以实现PS相和PMMA相的完全分离，最大化地保留掩膜图案的完整性。
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公开(公告)号：CN119781242A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202311289140.0
申请日：2023-10-07
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本申请实施例提供一种喷墨式电诱导压印设备及方法，应用在微纳制造纳米压印技术领域，包括：电诱导系统和喷墨压印模块；电诱导系统包括上电极和下电极，在上电极和下电极之间设有外部电压，下电极用于承载衬底材料；喷墨压印模块用于将纳米压印胶液滴沉积在纳米压印模板的空腔区间对应的衬底材料上；电诱导系统用于通过调节外部电压为第一电压，使纳米压印胶液滴在衬底材料上铺展均匀；衬底材料位于上电极和下电极之间；喷墨压印模块用于对纳米压印模板进行压印；电诱导系统用于在压印过程中调节外部电压为第二电压，使纳米压印胶液滴在纳米压印模板的空腔中扩散均匀，直至纳米压印模板与纳米压印胶液贴合。
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公开(公告)号：CN119689435A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202311245194.7
申请日：2023-09-25
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G01S7/481 , G01S7/4911 , G01S7/4913 , G01S13/88
Abstract: 本发明公开了硅基光电子芯片和激光雷达。一种硅基光电子芯片可包括参考光稳频链路、光学锁相链路、切换开关链路和移频调谐和拍频测量链路。这些链路实现了各器件的片上集成，从而改善了种子光源的稳压方案的集成度和可靠性。
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公开(公告)号：CN119689428A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202311239492.5
申请日：2023-09-22
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本发明涉及一种基于微腔光梳和光学相控阵的二维波束覆盖系统，包括：光学微腔单元，该光学微腔单元用于接收激光，以形成稳态的光频梳；梳齿选择单元，该梳齿选择单元连接在所述光学微腔单元的后端，用于选择所述光频梳的梳齿来输出光脉冲；以及光学相控阵单元，该光学相控阵单元连接在所述梳齿选择单元的后端，根据所述光脉冲来产生波束，并利用所述光学相控阵单元来实现所述波束在方位角上的偏转，并且根据所述光脉冲的波长来确定所述波束的俯仰角。
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公开(公告)号：CN118296366B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202311517042.8
申请日：2023-11-14
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G06F18/214 , G01B15/00 , G06N3/048 , G06N3/08
Abstract: 机器学习中多解问题的训练方法、X射线测量方法及装置，应用在纳米测量技术领域，利用X射线获取待检测目标件的散射图谱；利用测量模型对散射图谱分析，得到待检测器件的关键尺寸；测量模型是通过将样本器件的数据集输入至待训练测量模型中，基于联合损失函数对待训练测量模型进行训练得到的；联合损失函数的损失因子包括基于样本器件的关键尺寸的预测值的损失因子、预测值的巴比涅互补损失因子、预测值的中心对称损失因子及预测值的巴比涅互补的中心对称损失因子。通过结合物理先验信息在模型训练过程中构建联合损失函数，计算同一散射图谱对应的所有可能结构的损失，解决了多解问题，训练好的测量模型可以实时且高精度的X射线散射测量计算。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119582001A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202311079282.4
申请日：2023-08-24
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司 , 张江国家实验室
Inventor： 周智全
IPC: H01S5/34 , H10H20/851 , H10H20/01
Abstract: 本发明公开了一种硅光器件结构及实现方法，硅光器件结构包括：依次设于衬底上的介质层和半导体层；所述半导体层设有有源区，所述有源区中的所述半导体层形成半导体图形，所述半导体图形的表面上设有贯通至所述介质层表面的光源窗口，所述光源窗口中设有量子点光源。本发明通过将量子点光源制备过程整合进硅光工艺流程中的浅沟槽隔离流程中，实现了利用硅光工艺集成硅量子点光源的硅光器件的新模式。
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公开(公告)号：CN117993513B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202410175853.2
申请日：2024-02-07
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本发明公开了伊辛机核心电路、其单元以及用于其退火的方法。一种用于伊辛机核心电路的单元包括：环形振荡器，用于产生两个交互信号并提供输出信号，这两个交互信号分别与两个相反的自旋状态相关联，输出信号与单元的所确定的自旋状态相关联；多个耦合模块，每个耦合模块将环形振荡器与相邻单元进行多级电容性耦合；读出模块，与环形振荡器耦合，用于基于输出信号产生读出信号，该读出信号指示单元的所确定的自旋状态；以及存储模块，与多个耦合模块耦合，用于存储指示单元与相邻单元之间的耦合权重的信息。
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公开(公告)号：CN118335149B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202311774920.4
申请日：2023-12-21
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本公开提供一种基于忆阻器的动态调整读参考的写校验方法、电路及存储器，包括：读电路，用于对进行了写入操作的忆阻器单元进行校验操作，以校验写入操作是否成功；读写逻辑控制单元，用于控制读电路进行的校验操作；读参考比较输出电路，用于将忆阻器单元进行校验操作时输出的校验信号与读参考信号进行比较，根据比较结果输出表示写入操作是否成功的信号；读参考信号产生电路，用于产生读参考信号，在写入操作校验失败的情况下，读写逻辑控制单元控制读参考信号产生电路调整读参考信号的大小，并控制读参考比较输出电路将校验信号与调整后的读参考信号进行比较，直至读参考比较输出电路输出表示写入操作成功的信号为止。
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公开(公告)号：CN119374715A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310935163.8
申请日：2023-07-27
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本申请涉及用于测量光场分布的装置和方法。该装置包括：孔径掩模器件，孔径掩模器件被放置在待测光场的空域面或频域面并且具有透光区域，透光区域用于透过待测光场的一部分；光学传输模块，光学传输模块用于对部分待测光场的进行调制以使得其Wigner分布随传播过程在相空间内旋转；以及光强探测模块，光强探测模块用于探测部分待测光场经光学传输模块调制后的二维光强分布。
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公开(公告)号：CN119203886A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411249778.6
申请日：2024-09-06
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种建立低温CMOS集约模型的方法，所述建立方法包括：设计多个低温测试样品，低温测试样品的尺寸覆盖工艺边界的各个尺寸；依次选择同一尺寸下的多个测试样品进行变温测试，确定标准测试芯粒、全局失配芯粒和低温局部失配芯粒；对标准测试芯粒、全局失配芯粒和低温局部失配芯粒进行批量测试，获取器件在不同温度下的参数；依据参数进行拟合，建立低温本征模型、低温射频模型与低温后道模型，结合低温本征模型、低温射频模型与低温后道模型，建立低温CMOS集约模型。通过本发明提供的一种建立低温CMOS集约模型的方法，有助于提升设计者低温专用集成电路芯片系统设计、制备与定量分析的能力，满足低温集成电路芯片系统的设计与定量分析。
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