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公开(公告)号：CN119203883A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411163604.8
申请日：2024-08-23
IPC: G06F30/367 , G06F17/18 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供了一种MOSFET器件的特性仿真方法及仿真系统，其中特性仿真方法包括以下步骤：在多个温度环境，对多个待测器件进行直流特性测试，根据测试获得的直流电学表征数据，构建待测器件的直流特性模型；根据直流电学表征数据，构建统计模型，并分析获取待测器件的全局变化数据和局部失配数据；提取待测器件的关键电学参数，构建待测器件的射频特性模型；以及根据待测器件的电路特征数学模型和射频特性模型，构建待测器件的集约模型。本发明提供了一种MOSFET器件的特性仿真方法及仿真系统，能够准确地描述低温环境下MOSFET器件的特性。
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公开(公告)号：CN119203886A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411249778.6
申请日：2024-09-06
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种建立低温CMOS集约模型的方法，所述建立方法包括：设计多个低温测试样品，低温测试样品的尺寸覆盖工艺边界的各个尺寸；依次选择同一尺寸下的多个测试样品进行变温测试，确定标准测试芯粒、全局失配芯粒和低温局部失配芯粒；对标准测试芯粒、全局失配芯粒和低温局部失配芯粒进行批量测试，获取器件在不同温度下的参数；依据参数进行拟合，建立低温本征模型、低温射频模型与低温后道模型，结合低温本征模型、低温射频模型与低温后道模型，建立低温CMOS集约模型。通过本发明提供的一种建立低温CMOS集约模型的方法，有助于提升设计者低温专用集成电路芯片系统设计、制备与定量分析的能力，满足低温集成电路芯片系统的设计与定量分析。
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公开(公告)号：CN113114260B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202110254437.8
申请日：2021-03-09
Applicant: 上海科技大学
IPC: H03M1/56
Abstract: 本发明公开了一种适用于深低温环境的CMOS模数转换器，包括参考电压分压电路生成参考电压信号；低温轨到轨动态比较器比较外部输入信号与参考电压信号，生成温度计编码形式的比较结果；气泡错误消除阵列消除动态比较器的误差并生成独热码信号；二进制编码电路将独热码编码为二进制信号；输出增强电路驱动外部负载。本发明在动态比较器中采用二级式互补型预放大器，实现全温区(4.2K到常温)的轨到轨电压输入。
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公开(公告)号：CN113114260A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110254437.8
申请日：2021-03-09
Applicant: 上海科技大学
IPC: H03M1/56
Abstract: 本发明公开了一种适用于深低温环境的CMOS模数转换器，包括参考电压分压电路生成参考电压信号；低温轨到轨动态比较器比较外部输入信号与参考电压信号，生成温度计编码形式的比较结果；气泡错误消除阵列消除动态比较器的误差并生成独热码信号；二进制编码电路将独热码编码为二进制信号；输出增强电路驱动外部负载。本发明在动态比较器中采用二级式互补型预放大器，实现全温区(4.2K到常温)的轨到轨电压输入。
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