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公开(公告)号：CN119203886A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411249778.6
申请日：2024-09-06
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种建立低温CMOS集约模型的方法，所述建立方法包括：设计多个低温测试样品，低温测试样品的尺寸覆盖工艺边界的各个尺寸；依次选择同一尺寸下的多个测试样品进行变温测试，确定标准测试芯粒、全局失配芯粒和低温局部失配芯粒；对标准测试芯粒、全局失配芯粒和低温局部失配芯粒进行批量测试，获取器件在不同温度下的参数；依据参数进行拟合，建立低温本征模型、低温射频模型与低温后道模型，结合低温本征模型、低温射频模型与低温后道模型，建立低温CMOS集约模型。通过本发明提供的一种建立低温CMOS集约模型的方法，有助于提升设计者低温专用集成电路芯片系统设计、制备与定量分析的能力，满足低温集成电路芯片系统的设计与定量分析。
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公开(公告)号：CN119203883A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411163604.8
申请日：2024-08-23
IPC: G06F30/367 , G06F17/18 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供了一种MOSFET器件的特性仿真方法及仿真系统，其中特性仿真方法包括以下步骤：在多个温度环境，对多个待测器件进行直流特性测试，根据测试获得的直流电学表征数据，构建待测器件的直流特性模型；根据直流电学表征数据，构建统计模型，并分析获取待测器件的全局变化数据和局部失配数据；提取待测器件的关键电学参数，构建待测器件的射频特性模型；以及根据待测器件的电路特征数学模型和射频特性模型，构建待测器件的集约模型。本发明提供了一种MOSFET器件的特性仿真方法及仿真系统，能够准确地描述低温环境下MOSFET器件的特性。
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公开(公告)号：CN117377376A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311438612.4
申请日：2023-10-31
Applicant: 上海科技大学
Abstract: 本发明的技术方案是提供了本发明的技术方案是提供了一种随机二值化神经网络单元器件，其特征在于，由下至上依次包括衬底晶圆、自旋轨道矩层、磁性自由层、绝缘层、磁性参考层、人工反铁磁层、交换偏置层和金属层。本发明的另一个技术方案是提供了一种上述的随机二值化神经网络单元器件工作时翻转概率的调整方法，与随机二值化神经网络用于图像识别。本发明利用改变脉冲大小和时间精确控制器件高低阻态的翻转概率，从而实现随机二值化神经网络单元的功能。同时，本发明公开的器件本身非破坏性的读写机制使得随机翻转曲线的重复性高。
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公开(公告)号：CN114898824A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210252477.3
申请日：2022-03-15
Applicant: 上海科技大学
IPC: G16C60/00 , G06F30/27 , G06N20/00 , G06K9/62 , G06F113/26
Abstract: 本发明涉及一种使用机器学习构建非标准复杂材料色散模型的方法，对未知待测样品使用实验测量，获得的数据利用机器学习方法中的主成分分析算法进行压缩、初步筛选，再运用K均值聚类算法进行共性识别，最终获得未知待测样品的组成元素作为EMA模型基元，利用EMA模型获得未知待测样品材料参数。无需人为研究复杂材料的组分和光学性质，即可模拟集成电路中复杂材料的色散性能参数。该方法可以自动分析出组成复杂材料的“基元”，直接作为EMA模型的组成元素进行模型的拟合。解决新材料组分比较复杂且材料组分不清无法用现有模型拟合的问题。
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公开(公告)号：CN115472642A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211010680.6
申请日：2022-08-23
Applicant: 上海科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于拓扑绝缘体/二维铁磁异质结的可调人工神经网络元器件。本发明的可调人工神经网络元器件，由下至上依次包括衬底晶圆、二维铁磁层、拓扑绝缘体层和金属层；其中，所述的二维铁磁层采用碲化铬CrTe2或者铁锗碲Fe3GeTe2材料；所述的拓扑绝缘体层采用碲化铋Bi2Te3或者硒化铋Bi2Se3材料；所述的元器件通过拓扑绝缘体层产生的自旋轨道力矩对二维铁磁磁矩的调控，对应的多态磁畴翻转曲线可以实现突触的功能；同时二维铁磁材料的内禀磁性赋能数据训练中可调的激活函数，进而提升神经网络的训练效率和准确度。与传统的RRAM相比，本发明的元器件实现了激活函数可调功能，且具有更高的线性度和热稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112054116A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010962769.7
申请日：2020-09-14
Applicant: 上海科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于III‑V族窄禁带半导体的磁随机存储器，其特征在于，由下至上依次包括衬底晶圆、介电层、自旋轨道力矩作用层及MTJ结构层，介电层采用碲化镉CdTe或者碲化锌ZnTe材料；自旋轨道力矩作用层采用高迁移率的III‑V族窄禁带半导体锑化铟InSb或砷化铟InAs。本发明的基于III‑V族半导体材料的结构不仅能够现有的半导体CMOS工艺相匹配，还可以提供比传统重金属SOT材料更高的自旋轨道耦合强度，从而有效地降低器件写入电流的功耗问题。此外，通过施加背栅电压可以实现对自旋轨道耦合强度的调控，进而进一步改善器件的功耗。并且通过电场控制，能够增加改型器件阵列的可编程与存算一体化能力。
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公开(公告)号：CN113097054B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110357192.1
申请日：2021-04-01
Applicant: 上海科技大学
Abstract: 本发明提供一种半导体材料及其制备方法和应用。半导体材料，包括依次层叠设置的硅衬底、缓冲层和外延层；所述缓冲层包括一层或多层IIA‑VIA族元素层，每层所述IIA‑VIA族元素层均包括IIA族和VIA族元素；所述外延层包括IIIA族和VA族元素。半导体材料的制备方法，包括：将所述硅衬底加热进行预处理，然后依次在所述硅衬底上生长所述缓冲层和所述外延层。所述半导体材料的应用，用于激光器和探测器。本申请提供的半导体材料，以同时解决晶格失配和热膨胀系数差异问题。
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公开(公告)号：CN113114260B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202110254437.8
申请日：2021-03-09
Applicant: 上海科技大学
IPC: H03M1/56
Abstract: 本发明公开了一种适用于深低温环境的CMOS模数转换器，包括参考电压分压电路生成参考电压信号；低温轨到轨动态比较器比较外部输入信号与参考电压信号，生成温度计编码形式的比较结果；气泡错误消除阵列消除动态比较器的误差并生成独热码信号；二进制编码电路将独热码编码为二进制信号；输出增强电路驱动外部负载。本发明在动态比较器中采用二级式互补型预放大器，实现全温区(4.2K到常温)的轨到轨电压输入。
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公开(公告)号：CN112054116B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010962769.7
申请日：2020-09-14
Applicant: 上海科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于III‑V族窄禁带半导体的磁随机存储器，其特征在于，由下至上依次包括衬底晶圆、介电层、自旋轨道力矩作用层及MTJ结构层，介电层采用碲化镉CdTe或者碲化锌ZnTe材料；自旋轨道力矩作用层采用高迁移率的III‑V族窄禁带半导体锑化铟InSb或砷化铟InAs。本发明的基于III‑V族半导体材料的结构不仅能够现有的半导体CMOS工艺相匹配，还可以提供比传统重金属SOT材料更高的自旋轨道耦合强度，从而有效地降低器件写入电流的功耗问题。此外，通过施加背栅电压可以实现对自旋轨道耦合强度的调控，进而进一步改善器件的功耗。并且通过电场控制，能够增加改型器件阵列的可编程与存算一体化能力。
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公开(公告)号：CN113114260A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110254437.8
申请日：2021-03-09
Applicant: 上海科技大学
IPC: H03M1/56
Abstract: 本发明公开了一种适用于深低温环境的CMOS模数转换器，包括参考电压分压电路生成参考电压信号；低温轨到轨动态比较器比较外部输入信号与参考电压信号，生成温度计编码形式的比较结果；气泡错误消除阵列消除动态比较器的误差并生成独热码信号；二进制编码电路将独热码编码为二进制信号；输出增强电路驱动外部负载。本发明在动态比较器中采用二级式互补型预放大器，实现全温区(4.2K到常温)的轨到轨电压输入。
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