公开(公告)号：CN115472642A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202211010680.6

申请日：2022-08-23

Applicant: 上海科技大学

Inventor： 寇煦丰 ,  黄浦阳 ,  刘馨琪

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  G06N3/04 ,  G06N3/06 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明公开了一种基于拓扑绝缘体/二维铁磁异质结的可调人工神经网络元器件。本发明的可调人工神经网络元器件，由下至上依次包括衬底晶圆、二维铁磁层、拓扑绝缘体层和金属层；其中，所述的二维铁磁层采用碲化铬CrTe2或者铁锗碲Fe3GeTe2材料；所述的拓扑绝缘体层采用碲化铋Bi2Te3或者硒化铋Bi2Se3材料；所述的元器件通过拓扑绝缘体层产生的自旋轨道力矩对二维铁磁磁矩的调控，对应的多态磁畴翻转曲线可以实现突触的功能；同时二维铁磁材料的内禀磁性赋能数据训练中可调的激活函数，进而提升神经网络的训练效率和准确度。与传统的RRAM相比，本发明的元器件实现了激活函数可调功能，且具有更高的线性度和热稳定性。