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公开(公告)号：CN112054116B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010962769.7
申请日：2020-09-14
Applicant: 上海科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于III‑V族窄禁带半导体的磁随机存储器，其特征在于，由下至上依次包括衬底晶圆、介电层、自旋轨道力矩作用层及MTJ结构层，介电层采用碲化镉CdTe或者碲化锌ZnTe材料；自旋轨道力矩作用层采用高迁移率的III‑V族窄禁带半导体锑化铟InSb或砷化铟InAs。本发明的基于III‑V族半导体材料的结构不仅能够现有的半导体CMOS工艺相匹配，还可以提供比传统重金属SOT材料更高的自旋轨道耦合强度，从而有效地降低器件写入电流的功耗问题。此外，通过施加背栅电压可以实现对自旋轨道耦合强度的调控，进而进一步改善器件的功耗。并且通过电场控制，能够增加改型器件阵列的可编程与存算一体化能力。
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公开(公告)号：CN112054116A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010962769.7
申请日：2020-09-14
Applicant: 上海科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于III‑V族窄禁带半导体的磁随机存储器，其特征在于，由下至上依次包括衬底晶圆、介电层、自旋轨道力矩作用层及MTJ结构层，介电层采用碲化镉CdTe或者碲化锌ZnTe材料；自旋轨道力矩作用层采用高迁移率的III‑V族窄禁带半导体锑化铟InSb或砷化铟InAs。本发明的基于III‑V族半导体材料的结构不仅能够现有的半导体CMOS工艺相匹配，还可以提供比传统重金属SOT材料更高的自旋轨道耦合强度，从而有效地降低器件写入电流的功耗问题。此外，通过施加背栅电压可以实现对自旋轨道耦合强度的调控，进而进一步改善器件的功耗。并且通过电场控制，能够增加改型器件阵列的可编程与存算一体化能力。
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公开(公告)号：CN114898824A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210252477.3
申请日：2022-03-15
Applicant: 上海科技大学
IPC: G16C60/00 , G06F30/27 , G06N20/00 , G06K9/62 , G06F113/26
Abstract: 本发明涉及一种使用机器学习构建非标准复杂材料色散模型的方法，对未知待测样品使用实验测量，获得的数据利用机器学习方法中的主成分分析算法进行压缩、初步筛选，再运用K均值聚类算法进行共性识别，最终获得未知待测样品的组成元素作为EMA模型基元，利用EMA模型获得未知待测样品材料参数。无需人为研究复杂材料的组分和光学性质，即可模拟集成电路中复杂材料的色散性能参数。该方法可以自动分析出组成复杂材料的“基元”，直接作为EMA模型的组成元素进行模型的拟合。解决新材料组分比较复杂且材料组分不清无法用现有模型拟合的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114898824B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202210252477.3
申请日：2022-03-15
Applicant: 上海科技大学
IPC: G16C60/00 , G06F30/27 , G06N20/00 , G06F18/2135 , G06F18/23213 , G06F113/26
Abstract: 本发明涉及一种使用机器学习构建非标准复杂材料色散模型的方法，对未知待测样品使用实验测量，获得的数据利用机器学习方法中的主成分分析算法进行压缩、初步筛选，再运用K均值聚类算法进行共性识别，最终获得未知待测样品的组成元素作为EMA模型基元，利用EMA模型获得未知待测样品材料参数。无需人为研究复杂材料的组分和光学性质，即可模拟集成电路中复杂材料的色散性能参数。该方法可以自动分析出组成复杂材料的“基元”，直接作为EMA模型的组成元素进行模型的拟合。解决新材料组分比较复杂且材料组分不清无法用现有模型拟合的问题。
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公开(公告)号：CN113270542B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202110521376.7
申请日：2021-05-13
Applicant: 上海科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于窄禁带III‑V/II‑VI化合物半导体的自旋‑电荷转换器件，其特征在于，由下至上依次包括衬底晶圆、缓冲层、自旋轨道耦合层、铁磁金属层、介电层以及顶电极层。与传统的基于重金属材料的自旋‑电荷转换器件相比，本发明的基于III‑V族半导体材料的结构不仅能够与现有的半导体CMOS工艺相匹配，同时相比于传统重金属材料更高的自旋轨道耦合强度可以提升器件的自旋‑电荷转换效率，此外，通过施加背栅电压可以实现对自旋轨道耦合强度的调控，进而进一步提升器件的效率，增幅超过50％以上。
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公开(公告)号：CN111257802B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202010056813.8
申请日：2020-01-16
Applicant: 上海科技大学
IPC: G01R33/032 , G01R33/12 , G01N21/84 , G01N27/72 , G06T5/50 , G06V10/141
Abstract: 本发明涉及一种利用磁光效应实现铁磁磁畴形貌构建的方法，属于物理测量技术领域。本发明使用一台带有采集数字图像功能的磁光克尔显微镜，测量过程包括：数据采集，即控制作为入射光的光源入射方向，分别采集样品表面横向和纵向的磁光克尔成像图；数据分析，对采集到的图像通过归一化、相减等处理，使其只保留横向和纵向的磁畴信号；再通过软件处理对横向和纵向的磁畴信号进行叠加，实现磁畴重构并绘制磁矩矢量分布图。
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公开(公告)号：CN113270542A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110521376.7
申请日：2021-05-13
Applicant: 上海科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于窄禁带III‑V/II‑VI化合物半导体的自旋‑电荷转换器件，其特征在于，由下至上依次包括衬底晶圆、缓冲层、自旋轨道耦合层、铁磁金属层、介电层以及顶电极层。与传统的基于重金属材料的自旋‑电荷转换器件相比，本发明的基于III‑V族半导体材料的结构不仅能够与现有的半导体CMOS工艺相匹配，同时相比于传统重金属材料更高的自旋轨道耦合强度可以提升器件的自旋‑电荷转换效率，此外，通过施加背栅电压可以实现对自旋轨道耦合强度的调控，进而进一步提升器件的效率，增幅超过50％以上。
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公开(公告)号：CN111257802A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010056813.8
申请日：2020-01-16
Applicant: 上海科技大学
Abstract: 本发明涉及一种利用磁光效应实现铁磁磁畴形貌构建的方法，属于物理测量技术领域。本发明使用一台带有采集数字图像功能的磁光克尔显微镜，测量过程包括：数据采集，即控制作为入射光的光源入射方向，分别采集样品表面横向和纵向的磁光克尔成像图；数据分析，对采集到的图像通过归一化、相减等处理，使其只保留横向和纵向的磁畴信号；再通过软件处理对横向和纵向的磁畴信号进行叠加，实现磁畴重构并绘制磁矩矢量分布图。
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