公开(公告)号：CN113097054B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202110357192.1

申请日：2021-04-01

Applicant: 上海科技大学

Inventor： 寇煦丰 ,  汤辰佳 ,  李家明 ,  杜鹏 ,  方铉

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/30

Abstract: 本发明提供一种半导体材料及其制备方法和应用。半导体材料，包括依次层叠设置的硅衬底、缓冲层和外延层；所述缓冲层包括一层或多层IIA‑VIA族元素层，每层所述IIA‑VIA族元素层均包括IIA族和VIA族元素；所述外延层包括IIIA族和VA族元素。半导体材料的制备方法，包括：将所述硅衬底加热进行预处理，然后依次在所述硅衬底上生长所述缓冲层和所述外延层。所述半导体材料的应用，用于激光器和探测器。本申请提供的半导体材料，以同时解决晶格失配和热膨胀系数差异问题。

公开(公告)号：CN113097054A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110357192.1

申请日：2021-04-01

Applicant: 上海科技大学

Inventor： 寇煦丰 ,  汤辰佳 ,  李家明 ,  杜鹏 ,  方铉

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/30

Abstract: 本发明提供一种半导体材料及其制备方法和应用。半导体材料，包括依次层叠设置的硅衬底、缓冲层和外延层；所述缓冲层包括一层或多层IIA‑VIA族元素层，每层所述IIA‑VIA族元素层均包括IIA族和VIA族元素；所述外延层包括IIIA族和VA族元素。半导体材料的制备方法，包括：将所述硅衬底加热进行预处理，然后依次在所述硅衬底上生长所述缓冲层和所述外延层。所述半导体材料的应用，用于激光器和探测器。本申请提供的半导体材料，以同时解决晶格失配和热膨胀系数差异问题。