公开(公告)号：CN119203883A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411163604.8

申请日：2024-08-23

Applicant: 上海科技大学 ,  张江国家实验室

Inventor： 寇煦丰 ,  辛玥 ,  王泽伟 ,  唐志东 ,  何畅

IPC: G06F30/367 ,  G06F17/18 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明提供了一种MOSFET器件的特性仿真方法及仿真系统，其中特性仿真方法包括以下步骤：在多个温度环境，对多个待测器件进行直流特性测试，根据测试获得的直流电学表征数据，构建待测器件的直流特性模型；根据直流电学表征数据，构建统计模型，并分析获取待测器件的全局变化数据和局部失配数据；提取待测器件的关键电学参数，构建待测器件的射频特性模型；以及根据待测器件的电路特征数学模型和射频特性模型，构建待测器件的集约模型。本发明提供了一种MOSFET器件的特性仿真方法及仿真系统，能够准确地描述低温环境下MOSFET器件的特性。

公开(公告)号：CN119203886A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411249778.6

申请日：2024-09-06

Applicant: 上海科技大学 ,  张江国家实验室

Inventor： 寇煦丰 ,  何畅 ,  王泽伟 ,  唐志东

IPC: G06F30/367

Abstract: 本发明公开了一种建立低温CMOS集约模型的方法，所述建立方法包括：设计多个低温测试样品，低温测试样品的尺寸覆盖工艺边界的各个尺寸；依次选择同一尺寸下的多个测试样品进行变温测试，确定标准测试芯粒、全局失配芯粒和低温局部失配芯粒；对标准测试芯粒、全局失配芯粒和低温局部失配芯粒进行批量测试，获取器件在不同温度下的参数；依据参数进行拟合，建立低温本征模型、低温射频模型与低温后道模型，结合低温本征模型、低温射频模型与低温后道模型，建立低温CMOS集约模型。通过本发明提供的一种建立低温CMOS集约模型的方法，有助于提升设计者低温专用集成电路芯片系统设计、制备与定量分析的能力，满足低温集成电路芯片系统的设计与定量分析。

公开(公告)号：CN117081594A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311028251.6

申请日：2023-08-15

Applicant: 上海科技大学

Inventor： 寇煦丰 ,  胡勇琦 ,  唐志东

IPC: H03M1/08 ,  H03M1/66

Abstract: 本发明公开了一种用于深低温的电流型数模转换器电路，所述电流型数模转换器电路为N位数模转换器电路，其特征在于，所述电流型数模转换器电路为分段结构，其中，低N/2位采用二进制译码，高N/2位采用温度计译码，所述电流型数模转换器电路包括全温区片上参考电流基准、全温区电流源阵列、温度计译码器、锁存器、延迟均衡器及差分输出开关电路。本发明提供了一种在全温区工作的电流型模数转换器电路，该电路不仅带有片上全温区电流基准，集成片上电流型数模转换器的同时，基于功耗的考虑，去除掉低温校正模块，在全温区范围内均能保持良好静态、动态性能，以满足日益增加的深低温应用需求。