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公开(公告)号：CN119575747A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411643282.7
申请日：2024-11-15
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本申请公开了一种用于导向自组装版图拆分的方法。该方法可包括以下步骤：获取要形成的半导体特征结构的位置信息；根据导向自组装工艺能力确定的冲突规则和半导体特征结构之间的距离构建冲突关系；基于冲突关系，通过分配引导模版来组合所有符合导向自组装工艺规则的半导体特征结构；根据引导模版的分配，重构冲突关系；将存在冲突的引导模版塌缩成一个点以继承涉及存在冲突的引导模版的所有冲突关系，从而得到新的冲突关系；根据新的冲突关系，利用贪心染色算法进行染色；以及基于染色的结果拆分版图。
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公开(公告)号：CN120025552A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202311567642.5
申请日：2023-11-22
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本发明提供一种PS‑PMMA嵌段共聚物及其制备方法、刻蚀方法、制品和用途，所述PS‑PMMA嵌段共聚物包括PS链段、PMMA链段和连接所述PS链段和所述PMMA链段的连接基团，所述连接基团包括席夫碱键。本发明提供的PS‑PMMA嵌段共聚物中PS链段和PMMA链段通过包含席夫碱键的连接基团相连，无需使用紫外曝光和刻蚀设备，仅仅通过短时间简单的有机酸浸泡处理，就可以实现PS相和PMMA相的完全分离，最大化地保留掩膜图案的完整性。
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公开(公告)号：CN118782639A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202310340966.9
申请日：2023-03-31
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本公开提供了一种晶体管的制备方法，该方法包括：形成复合膜层，复合膜层至少包括第一电极层、设置在第一电极层一侧的栅极层以及设置在栅极层远离第一电极层的绝缘层；在绝缘层的远离第一电极层的一侧形成引导开口；在引导开口内形成导向自组装材料；将导向自组装材料分离成第一聚合物区和包围第一聚合物区的第二聚合物区；去除引导开口内位于第一聚合物区的第一聚合物，以形成使绝缘层暴露的沟道；刻蚀穿过复合膜层的绝缘层和栅极层，以推进沟道并且暴露第一电极层；在沟道的周壁形成第一电介质，生成容纳晶体管的半导体沟道材料的半导体沟道区；以及在半导体沟道区内形成半导体沟道材料。本公开还提供了一种晶体管。
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公开(公告)号：CN117858360A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410065655.0
申请日：2024-01-16
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本公开提供一种基于嵌段共聚物导向自组装技术的膜厚调节方法、图案制备方法及引导模板，能够解决稀疏/密集区域刻蚀负载效应的问题。该膜厚调节方法包括以下步骤：在引导模板上制作主图形，主图形包括多个模板孔；根据多个模板孔的分布，在引导模板上的模板孔以外的区域制作引流结构；在衬底上形成薄膜结构来制备基底；将引导模板上的主图形及引流结构图形转移至基底；以及在基底上旋涂嵌段共聚物的溶液，使嵌段共聚物填充在转移至基底上的多个模板孔和引流结构中。
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公开(公告)号：CN119598945A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411639992.2
申请日：2024-11-15
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G06F30/392 , G06N3/042 , G06N3/08 , G06T11/40
Abstract: 本发明提供一种版图拆分方法，通过利用策略网络，根据基于当前待染色节点周围的染色信息得到的当前待染色节点的特征信息、以及基于预定的DSA规则得到的当前待染色节点可行的染色种类，来选择出最优的颜色进行染色，从而无需针对每一个新的DSA工艺重新训练模型，可以将DSA规则与学习模型解耦，极大地加强了版图拆分算法的泛化性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118630078A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310214574.8
申请日：2023-03-07
Applicant: 张江国家实验室
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L21/308
Abstract: 本公开涉及一种器件制备方法和半导体器件。其中，器件制备方法包括：提供待处理组件，其中，所述待处理组件包括功能材料层；在所述待处理组件上方沉积共聚物材料层，其中，所述共聚物材料层包括第一聚合物和第二聚合物；基于第一聚合物和第二聚合物的微相分离形成图案化的第一聚合物层；以及至少以所述图案化的第一聚合物层为掩模，对所述功能材料层进行刻蚀，直至所述功能材料层的至少一部分形成为包含具有目标刻蚀深度的目标微结构的功能部。
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公开(公告)号：CN118448249A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410607208.3
申请日：2024-05-15
Applicant: 张江国家实验室
IPC: H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体工艺的图案化方法，其利用PTD光刻胶来来代替NTD光刻胶，通过刻蚀工艺将光刻胶引导图形转移至平坦化涂层，然后在平坦化涂层的开口中进行DSA图形微缩工艺，修饰平坦化涂层的关键尺寸，并将图案直接转移到硬掩模上。
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公开(公告)号：CN117952888A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202211280482.1
申请日：2022-10-19
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G06T7/00 , G06T7/62 , G06V10/44 , G06V10/764 , G06V10/28
Abstract: 本发明公开了一种用于导向自组装的图像处理方法及装置、存储介质和终端，其中方法包括获取导向自组装图像，并对导向自组装图像进行处理获取灰度图像数组；基于灰度图像数组的灰度值获取灰度图像数组的灰度分布，并基于灰度图像数组的灰度分布确定导向自组装图像类型；基于预设灰度值范围内的灰度值分别对灰度图像数组进行二值化处理获取二值化图像；基于每个灰度值及所对应的二值化图像获取灰度值‑轮廓面积关系曲线，从灰度值‑轮廓面积关系曲线拐点中确定目标拐点，并基于目标拐点所对应的灰度值进行二值化处理获取二值化图像。本发明为不同质量的导向自组装图像自动计算合适的二值化阈值参数，提高了图像分析效率和分析结果准确度。
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公开(公告)号：CN117784516A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410065660.1
申请日：2024-01-16
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G03F1/70 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种先进制程接触孔/通孔制备的版图拆分方法，包括如下步骤：(1)对于原始版图，根据物理外延法导向自组装技术的孔倍增能力，对各个孔图形进行分组，其中将彼此之间的距离小于等于预定值的孔图形进行配对分组；(2)对于在步骤(1)中经分组后的每个组别，设定每个组别的引导模板的尺寸和形状；(3)根据步骤(1)中的分组的结果和步骤(2)中设定的每个组别的引导模板的尺寸和形状，对原始版图进行图形尺寸调整，生成引导模板版图；以及(4)根据第一版图拆分方式，对步骤(3)中生成的引导模板版图进行拆分以得到多个拆分层。
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公开(公告)号：CN117272908A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210674628.4
申请日：2022-06-14
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G06F30/39 , G06F111/04 , G06F115/12
Abstract: 本申请公开了对要形成的半导体特征结构进行分配的方法和设备。一种用于对要形成在导向自组装芯片上的半导体特征结构进行分配的方法包括：获得指示各半导体特征结构的位置的位置信息；设置设计约束参数；基于各半导体特征结构的位置信息和设计约束参数识别半导体特征结构的多个完全图；基于各半导体特征结构的位置信息和设计约束参数对多个完全图执行完全图降阶算法，以形成半导体特征结构的分组；以及基于半导体特征结构的分组和设计约束参数将各半导体特征结构分配到相应的掩模层。
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