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公开(公告)号:CN117272908A
公开(公告)日:2023-12-22
申请号:CN202210674628.4
申请日:2022-06-14
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G06F30/39 , G06F111/04 , G06F115/12
Abstract: 本申请公开了对要形成的半导体特征结构进行分配的方法和设备。一种用于对要形成在导向自组装芯片上的半导体特征结构进行分配的方法包括:获得指示各半导体特征结构的位置的位置信息;设置设计约束参数;基于各半导体特征结构的位置信息和设计约束参数识别半导体特征结构的多个完全图;基于各半导体特征结构的位置信息和设计约束参数对多个完全图执行完全图降阶算法,以形成半导体特征结构的分组;以及基于半导体特征结构的分组和设计约束参数将各半导体特征结构分配到相应的掩模层。
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公开(公告)号:CN117891134A
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN202211226812.9
申请日:2022-10-09
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G03F7/20 , G03F1/70 , H01L21/027
Abstract: 本申请公开了用于对半导体特征结构进行分配的方法。一种方法包括:获得指示半导体特征结构的位置的位置信息;基于设计约束参数和位置信息,确定初步分组染色分配结果,设计约束参数包括参考染色数;基于设计约束参数和初步元素组的子集中的半导体特征结构的位置信息,更新初步分组染色分配结果,以获得染色数小于或等于参考染色数的优化分组染色分配结果,该子集包括其余初步元素组和相关联的初步元素组,该其余初步元素组是超出参考染色数指示数量的不同染色值对应的初步元素组的初步元素组;以及基于设计约束参数和优化分组染色分配结果,将半导体特征结构与相应的掩模层相匹配。
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