公开(公告)号：CN117858360A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410065655.0

申请日：2024-01-16

Applicant: 张江国家实验室

Inventor： 熊诗圣 ,  张艳 ,  高升广 ,  李鑫亮

IPC: H05K3/06 ,  H05K3/10

Abstract: 本公开提供一种基于嵌段共聚物导向自组装技术的膜厚调节方法、图案制备方法及引导模板，能够解决稀疏/密集区域刻蚀负载效应的问题。该膜厚调节方法包括以下步骤：在引导模板上制作主图形，主图形包括多个模板孔；根据多个模板孔的分布，在引导模板上的模板孔以外的区域制作引流结构；在衬底上形成薄膜结构来制备基底；将引导模板上的主图形及引流结构图形转移至基底；以及在基底上旋涂嵌段共聚物的溶液，使嵌段共聚物填充在转移至基底上的多个模板孔和引流结构中。

公开(公告)号：CN118448249A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410607208.3

申请日：2024-05-15

Applicant: 张江国家实验室

Inventor： 熊诗圣 ,  张艳 ,  陶莎 ,  吴智勇

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033

Abstract: 本发明涉及一种用于半导体工艺的图案化方法，其利用PTD光刻胶来来代替NTD光刻胶，通过刻蚀工艺将光刻胶引导图形转移至平坦化涂层，然后在平坦化涂层的开口中进行DSA图形微缩工艺，修饰平坦化涂层的关键尺寸，并将图案直接转移到硬掩模上。

公开(公告)号：CN117784516A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202410065660.1

申请日：2024-01-16

Applicant: 张江国家实验室

Inventor： 张艳 ,  熊诗圣 ,  曹中涵 ,  刘佳琦

IPC: G03F1/70 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种先进制程接触孔/通孔制备的版图拆分方法，包括如下步骤：(1)对于原始版图，根据物理外延法导向自组装技术的孔倍增能力，对各个孔图形进行分组，其中将彼此之间的距离小于等于预定值的孔图形进行配对分组；(2)对于在步骤(1)中经分组后的每个组别，设定每个组别的引导模板的尺寸和形状；(3)根据步骤(1)中的分组的结果和步骤(2)中设定的每个组别的引导模板的尺寸和形状，对原始版图进行图形尺寸调整，生成引导模板版图；以及(4)根据第一版图拆分方式，对步骤(3)中生成的引导模板版图进行拆分以得到多个拆分层。