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公开(公告)号：CN118448249A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410607208.3
申请日：2024-05-15
Applicant: 张江国家实验室
IPC: H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体工艺的图案化方法，其利用PTD光刻胶来来代替NTD光刻胶，通过刻蚀工艺将光刻胶引导图形转移至平坦化涂层，然后在平坦化涂层的开口中进行DSA图形微缩工艺，修饰平坦化涂层的关键尺寸，并将图案直接转移到硬掩模上。
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