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公开(公告)号:CN117810065A
公开(公告)日:2024-04-02
申请号:CN202211164883.0
申请日:2022-09-23
Applicant: 张江国家实验室
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种利用聚焦太阳能退火工艺进行嵌段共聚物(Block Copolymer,BCP)自组装的方法,包括如下步骤:(1)在衬底上接枝无规共聚物;(2)在所述无规共聚物上涂覆包含与所述无规共聚物相对应的嵌段共聚物的材料;以及(3)利用聚焦太阳能退火工艺来驱动所述BCP进行微相分离,从而使所述BCP在所述衬底上进行自组装以形成有序结构。通过采用聚焦太阳能退火工艺,可在平面衬底以及图形引导模板上使BCP实现微相分离,能够显著降低BCP光刻的能耗、工艺时间及成本。
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公开(公告)号:CN117801313A
公开(公告)日:2024-04-02
申请号:CN202211209262.X
申请日:2022-09-30
Applicant: 张江国家实验室
IPC: C08J3/00 , H01L21/027 , C08L101/00
Abstract: 本发明提供一种嵌段共聚物共混导向自组装方法,使用由第一嵌段共聚物和第二嵌段共聚物组成的共混物来进行导向自组装,所述第一嵌段共聚物所包含的两种或两种以上的均聚物与所述第二嵌段共聚物所包含的两种或两种以上的均聚物的分子结构相同,且所述第一嵌段共聚物的分子量大于所述第二嵌段共聚物的分子量,所述共混物中,所述第一嵌段共聚物与所述第二嵌段共聚物的体积百分比为50%:50%以上。通过嵌段共聚物的共混来改善导向自组装的工艺窗口,提高DSA工艺技术的良率,拓宽DSA工艺的适用范围。
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公开(公告)号:CN118448249A
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202410607208.3
申请日:2024-05-15
Applicant: 张江国家实验室
IPC: H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体工艺的图案化方法,其利用PTD光刻胶来来代替NTD光刻胶,通过刻蚀工艺将光刻胶引导图形转移至平坦化涂层,然后在平坦化涂层的开口中进行DSA图形微缩工艺,修饰平坦化涂层的关键尺寸,并将图案直接转移到硬掩模上。
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公开(公告)号:CN117952888A
公开(公告)日:2024-04-30
申请号:CN202211280482.1
申请日:2022-10-19
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G06T7/00 , G06T7/62 , G06V10/44 , G06V10/764 , G06V10/28
Abstract: 本发明公开了一种用于导向自组装的图像处理方法及装置、存储介质和终端,其中方法包括获取导向自组装图像,并对导向自组装图像进行处理获取灰度图像数组;基于灰度图像数组的灰度值获取灰度图像数组的灰度分布,并基于灰度图像数组的灰度分布确定导向自组装图像类型;基于预设灰度值范围内的灰度值分别对灰度图像数组进行二值化处理获取二值化图像;基于每个灰度值及所对应的二值化图像获取灰度值‑轮廓面积关系曲线,从灰度值‑轮廓面积关系曲线拐点中确定目标拐点,并基于目标拐点所对应的灰度值进行二值化处理获取二值化图像。本发明为不同质量的导向自组装图像自动计算合适的二值化阈值参数,提高了图像分析效率和分析结果准确度。
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