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公开(公告)号：CN118630078A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310214574.8
申请日：2023-03-07
Applicant: 张江国家实验室
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L21/308
Abstract: 本公开涉及一种器件制备方法和半导体器件。其中，器件制备方法包括：提供待处理组件，其中，所述待处理组件包括功能材料层；在所述待处理组件上方沉积共聚物材料层，其中，所述共聚物材料层包括第一聚合物和第二聚合物；基于第一聚合物和第二聚合物的微相分离形成图案化的第一聚合物层；以及至少以所述图案化的第一聚合物层为掩模，对所述功能材料层进行刻蚀，直至所述功能材料层的至少一部分形成为包含具有目标刻蚀深度的目标微结构的功能部。
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