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公开(公告)号：CN118692534A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410866588.2
申请日：2024-06-28
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明的可重构物理不可克隆电路包括多个阻变存储器单元，阻变存储器单元具有第一选通晶体管、一端分别与第一选通晶体管的漏极连接的第一RRAM电阻、第二RRAM电阻；与第一RRAM电阻的另一端、第二RRAM电阻的另一端连接，通过使建立电流在第一RRAM电阻、第二RRAM电阻中流过来进行提取操作，以使第一RRAM电阻、第二RRAM电阻中的一个处于低阻态的提取模块；以及与第一RRAM电阻的另一端、第二RRAM电阻的另一端连接，通过检测被选中的阻变存储器单元中的第一RRAM电阻、第二RRAM电阻的阻态并产生与第一RRAM电阻、第二RRAM电阻的阻态对应的PUF数值来进行测量操作的测量模块。
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公开(公告)号：CN118335149A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311774920.4
申请日：2023-12-21
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本公开提供一种基于忆阻器的动态调整读参考的写校验方法、电路及存储器，包括：读电路，用于对进行了写入操作的忆阻器单元进行校验操作，以校验写入操作是否成功；读写逻辑控制单元，用于控制读电路进行的校验操作；读参考比较输出电路，用于将忆阻器单元进行校验操作时输出的校验信号与读参考信号进行比较，根据比较结果输出表示写入操作是否成功的信号；读参考信号产生电路，用于产生读参考信号，在写入操作校验失败的情况下，读写逻辑控制单元控制读参考信号产生电路调整读参考信号的大小，并控制读参考比较输出电路将校验信号与调整后的读参考信号进行比较，直至读参考比较输出电路输出表示写入操作成功的信号为止。
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公开(公告)号：CN117993513B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202410175853.2
申请日：2024-02-07
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本发明公开了伊辛机核心电路、其单元以及用于其退火的方法。一种用于伊辛机核心电路的单元包括：环形振荡器，用于产生两个交互信号并提供输出信号，这两个交互信号分别与两个相反的自旋状态相关联，输出信号与单元的所确定的自旋状态相关联；多个耦合模块，每个耦合模块将环形振荡器与相邻单元进行多级电容性耦合；读出模块，与环形振荡器耦合，用于基于输出信号产生读出信号，该读出信号指示单元的所确定的自旋状态；以及存储模块，与多个耦合模块耦合，用于存储指示单元与相邻单元之间的耦合权重的信息。
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公开(公告)号：CN118335149B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202311774920.4
申请日：2023-12-21
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本公开提供一种基于忆阻器的动态调整读参考的写校验方法、电路及存储器，包括：读电路，用于对进行了写入操作的忆阻器单元进行校验操作，以校验写入操作是否成功；读写逻辑控制单元，用于控制读电路进行的校验操作；读参考比较输出电路，用于将忆阻器单元进行校验操作时输出的校验信号与读参考信号进行比较，根据比较结果输出表示写入操作是否成功的信号；读参考信号产生电路，用于产生读参考信号，在写入操作校验失败的情况下，读写逻辑控制单元控制读参考信号产生电路调整读参考信号的大小，并控制读参考比较输出电路将校验信号与调整后的读参考信号进行比较，直至读参考比较输出电路输出表示写入操作成功的信号为止。
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公开(公告)号：CN117809711A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410089674.7
申请日：2024-01-22
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种存储器的读取电路，包括：参考电阻；开关模块，该开关模块的一侧与所述参考电阻及所述存储器的可变电阻连接，用于对所述参考电阻及所述存储器的可变电阻与钳位模块之间的通断进行控制；钳位模块，该钳位模块的一侧与所述开关模块的另一侧连接，用于在预充电步骤中对该钳位模块与所述开关模块之间的节点的电压进行钳位；交叉耦合输出模块，该交叉耦合输出模块的一侧与所述钳位模块的另一侧连接，用于通过正反馈将所述预充电步骤中形成的差值电流转化成差值为电源电压的输出信号和反相输出信号；以及预充电模块，该预充电模块与所述交叉耦合输出模块的其他侧连接，用于对所述存储器的读取电路进行预充电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117809711B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202410089674.7
申请日：2024-01-22
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种存储器的读取电路，包括：参考电阻；开关模块，该开关模块的一侧与所述参考电阻及所述存储器的可变电阻连接，用于对所述参考电阻及所述存储器的可变电阻与钳位模块之间的通断进行控制；钳位模块，该钳位模块的一侧与所述开关模块的另一侧连接，用于在预充电步骤中对该钳位模块与所述开关模块之间的节点的电压进行钳位；交叉耦合输出模块，该交叉耦合输出模块的一侧与所述钳位模块的另一侧连接，用于通过正反馈将所述预充电步骤中形成的差值电流转化成差值为电源电压的输出信号和反相输出信号；以及预充电模块，该预充电模块与所述交叉耦合输出模块的其他侧连接，用于对所述存储器的读取电路进行预充电。
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公开(公告)号：CN118335133A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311828686.9
申请日：2023-12-27
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G11C11/22
Abstract: 本公开提供一种基于铁电存储器的读写均衡电路、方法及铁电存储器，能够抑制铁电存储器的电滞回线漂移，提高可靠性。包括：读电路；写电路；感测器件；控制电路；以及预读检测电路，在铁电存储器的原始逻辑状态是第一逻辑状态且要对铁电存储器进行第一写入操作的情况下，由预读检测电路控制写电路进行第二写入操作后，由控制电路控制写电路进行第一写入操作，从而对铁电存储器写入与第一逻辑状态对应的数据。
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公开(公告)号：CN117746946B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202311862202.2
申请日：2023-12-29
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本发明提供一种RRAM读取电路，包括：参考电阻；一侧与参考电阻及RRAM的可变电阻连接，用于对参考电阻及RRAM的可变电阻与自偏置模块之间的通断进行控制的开关模块；一侧与开关模块的另一侧连接，用于在预充电步骤中对自偏置模块与开关模块之间的节点电压进行钳位的自偏置模块；一侧与自偏置模块的另一侧连接，用于通过正反馈将预充电步骤中形成的电流差值进行放大以转化为比较电压的交叉耦合模块；与交叉耦合模块的另一侧连接，用于对RRAM读取电路进行预充电的预充电模块；以及与交叉耦合模块的另一侧连接，用于对由交叉耦合模块放大得到的比较电压进行比较，并输出比较结果的输出模块。
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公开(公告)号：CN118335133B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202311828686.9
申请日：2023-12-27
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G11C11/22
Abstract: 本公开提供一种基于铁电存储器的读写均衡电路、方法及铁电存储器，能够抑制铁电存储器的电滞回线漂移，提高可靠性。包括：读电路；写电路；感测器件；控制电路；以及预读检测电路，在铁电存储器的原始逻辑状态是第一逻辑状态且要对铁电存储器进行第一写入操作的情况下，由预读检测电路控制写电路进行第二写入操作后，由控制电路控制写电路进行第一写入操作，从而对铁电存储器写入与第一逻辑状态对应的数据。
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公开(公告)号：CN118136068A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410245419.7
申请日：2024-03-04
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供忆阻器编程系统、方法和计算机可读取介质，能在确保数据存储的可靠性的同时，降低忆阻器编程的功耗。所述忆阻器编程系统对将输入数据写入忆阻器时的限流电流进行调控，包括：获取所述输入数据的输入数据获取部；根据所述输入数据的数据热度将所述输入数据分为热数据、温数据和冷数据的数据热度分析管理部；以及将写入所述热数据时的所述限流电流设为第一限流值，将写入所述温数据时的所述限流电流设为第二限流值，将写入所述冷数据时的所述限流电流设为第三限流值，并基于所述限流电流，来对所述忆阻器进行编程操作的数据写入部，所述第一限流值小于所述第二限流值，所述第二限流值小于所述第三限流值。
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