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公开(公告)号：CN117809711B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202410089674.7
申请日：2024-01-22
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种存储器的读取电路，包括：参考电阻；开关模块，该开关模块的一侧与所述参考电阻及所述存储器的可变电阻连接，用于对所述参考电阻及所述存储器的可变电阻与钳位模块之间的通断进行控制；钳位模块，该钳位模块的一侧与所述开关模块的另一侧连接，用于在预充电步骤中对该钳位模块与所述开关模块之间的节点的电压进行钳位；交叉耦合输出模块，该交叉耦合输出模块的一侧与所述钳位模块的另一侧连接，用于通过正反馈将所述预充电步骤中形成的差值电流转化成差值为电源电压的输出信号和反相输出信号；以及预充电模块，该预充电模块与所述交叉耦合输出模块的其他侧连接，用于对所述存储器的读取电路进行预充电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117746946B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202311862202.2
申请日：2023-12-29
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本发明提供一种RRAM读取电路，包括：参考电阻；一侧与参考电阻及RRAM的可变电阻连接，用于对参考电阻及RRAM的可变电阻与自偏置模块之间的通断进行控制的开关模块；一侧与开关模块的另一侧连接，用于在预充电步骤中对自偏置模块与开关模块之间的节点电压进行钳位的自偏置模块；一侧与自偏置模块的另一侧连接，用于通过正反馈将预充电步骤中形成的电流差值进行放大以转化为比较电压的交叉耦合模块；与交叉耦合模块的另一侧连接，用于对RRAM读取电路进行预充电的预充电模块；以及与交叉耦合模块的另一侧连接，用于对由交叉耦合模块放大得到的比较电压进行比较，并输出比较结果的输出模块。
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公开(公告)号：CN117809711A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410089674.7
申请日：2024-01-22
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种存储器的读取电路，包括：参考电阻；开关模块，该开关模块的一侧与所述参考电阻及所述存储器的可变电阻连接，用于对所述参考电阻及所述存储器的可变电阻与钳位模块之间的通断进行控制；钳位模块，该钳位模块的一侧与所述开关模块的另一侧连接，用于在预充电步骤中对该钳位模块与所述开关模块之间的节点的电压进行钳位；交叉耦合输出模块，该交叉耦合输出模块的一侧与所述钳位模块的另一侧连接，用于通过正反馈将所述预充电步骤中形成的差值电流转化成差值为电源电压的输出信号和反相输出信号；以及预充电模块，该预充电模块与所述交叉耦合输出模块的其他侧连接，用于对所述存储器的读取电路进行预充电。
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公开(公告)号：CN118136068A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410245419.7
申请日：2024-03-04
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供忆阻器编程系统、方法和计算机可读取介质，能在确保数据存储的可靠性的同时，降低忆阻器编程的功耗。所述忆阻器编程系统对将输入数据写入忆阻器时的限流电流进行调控，包括：获取所述输入数据的输入数据获取部；根据所述输入数据的数据热度将所述输入数据分为热数据、温数据和冷数据的数据热度分析管理部；以及将写入所述热数据时的所述限流电流设为第一限流值，将写入所述温数据时的所述限流电流设为第二限流值，将写入所述冷数据时的所述限流电流设为第三限流值，并基于所述限流电流，来对所述忆阻器进行编程操作的数据写入部，所述第一限流值小于所述第二限流值，所述第二限流值小于所述第三限流值。
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公开(公告)号：CN117935879A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410108496.8
申请日：2024-01-25
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种忆阻器读取方法及计算机可读取介质，能避免读取速度和裕量降低，减少整个电路完成训练的耗时，提高电路稳定性，并降低电路设计成本。所述忆阻器读取方法用于在片上训练时读取存储于阻变寄存器的数据，所述阻变寄存器包括：忆阻器，该忆阻器的一端连接至位线；以及选择晶体管，该选择晶体管的漏极与所述忆阻器的另一端相连接，源极连接至源线，所述忆阻器读取方法的特征在于，包括：将所述位线固定为高电平的步骤；通过将所述源线设为低电平来选取要读取的所述阻变寄存器的步骤；以及读取所述位线上的反向电流来实现反向读取的步骤，所述反向电流的大小表征存储于所述阻变寄存器的数据。
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公开(公告)号：CN117746946A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311862202.2
申请日：2023-12-29
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本发明提供一种RRAM读取电路，包括：参考电阻；一侧与参考电阻及RRAM的可变电阻连接，用于对参考电阻及RRAM的可变电阻与自偏置模块之间的通断进行控制的开关模块；一侧与开关模块的另一侧连接，用于在预充电步骤中对自偏置模块与开关模块之间的节点电压进行钳位的自偏置模块；一侧与自偏置模块的另一侧连接，用于通过正反馈将预充电步骤中形成的电流差值进行放大以转化为比较电压的交叉耦合模块；与交叉耦合模块的另一侧连接，用于对RRAM读取电路进行预充电的预充电模块；以及与交叉耦合模块的另一侧连接，用于对由交叉耦合模块放大得到的比较电压进行比较，并输出比较结果的输出模块。
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