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公开(公告)号:CN118692534A
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202410866588.2
申请日:2024-06-28
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明的可重构物理不可克隆电路包括多个阻变存储器单元,阻变存储器单元具有第一选通晶体管、一端分别与第一选通晶体管的漏极连接的第一RRAM电阻、第二RRAM电阻;与第一RRAM电阻的另一端、第二RRAM电阻的另一端连接,通过使建立电流在第一RRAM电阻、第二RRAM电阻中流过来进行提取操作,以使第一RRAM电阻、第二RRAM电阻中的一个处于低阻态的提取模块;以及与第一RRAM电阻的另一端、第二RRAM电阻的另一端连接,通过检测被选中的阻变存储器单元中的第一RRAM电阻、第二RRAM电阻的阻态并产生与第一RRAM电阻、第二RRAM电阻的阻态对应的PUF数值来进行测量操作的测量模块。