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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118363259A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310079641.X
申请日：2023-01-17
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本发明提供一种纳米压印模板制备方法及光波导制备方法，其中，纳米压印模板制备方法包括如下步骤：提供表面形成有氧化硅层的衬底；对所述氧化硅层进行图形化处理，使得所述氧化硅层形成图形结构，所述图形结构具有微纳米级的尺寸；以及对形成了所述图形结构的所述衬底进行热处理，制备得到纳米压印模板。本发明的光波导制备方法利用上述纳米压印模板进行纳米压印，从而制得低损耗的光波导。
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公开(公告)号：CN120028918A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202311572934.8
申请日：2023-11-23
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本发明涉及光子学技术领域，公开一种边缘耦合器及电子设备，边缘耦合器包括衬底，衬底上设有过渡层、过渡层背离衬底的一侧设有第一包层，第一包层背离过渡层的一侧设有核心层，核心层背离第一包层的一侧设有第二包层；沿光线传播方向，核心层依次包括导通的第一倒锥体和第二倒锥体，且第一倒锥体的宽度逐渐变大，第二倒锥体的宽度逐渐减小；沿垂直方向，第二倒锥体的投影与过渡层至少部分重叠；核心层的折射率大于第一包层的折射率和第二包层的折射率，且小于过渡层的折射率。核心层中的光模式与第一包层、第二包层中的光模式均不会产生过大的折射率失配，从而，有利于提高耦合效率。
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公开(公告)号：CN118276235A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211728691.8
申请日：2022-12-30
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本发明涉及光电器件技术领域，公开了一种端面耦合器及其制备方法，该端面耦合器的制备方法，包括：在晶圆上涂覆纳米压印胶；通过纳米压印工艺在纳米压印胶上形成第一预设图形；通过刻蚀工艺在晶圆上、对应于第一预设图形的区域制备出输入段波导的坡面，并使坡面低端的高度为50～130纳米；去除晶圆上剩余的纳米压印胶；成型输入段波导以及输出段波导，其中，输出段波导与输入段波导坡面的高端连接，且沿坡面的低端指向高端的方向，输入段波导的截面面积逐渐增大；在输入段波导和输出段波导上制备包层。该端面耦合器及其制备方法改善了端面耦合器横截面的光场模式和光纤模式失配较大，产生较大耦合损耗的问题。
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公开(公告)号：CN118534586A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202310159349.9
申请日：2023-02-23
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本申请公开一种光栅耦合器的制备方法以及光栅耦合器。该光栅耦合器的制备方法包括：通过压印，在硅片的纳米压印胶上形成第一预设图形；其中，所述第一预设图形包括与多个光栅结构单元对应的子图形；通过刻蚀工艺在所述硅片上、对应于所述第一预设图形的区域制备出光栅结构单元的刻蚀部分，使得至少部分光栅结构单元的刻蚀部分的深度不同，和/或至少部分光栅结构单元的占空比不同。通过纳米压印工艺，实现从刻蚀深度和占空比两个维度上改变光栅结构单元，通过一次压印就能得到不同刻蚀深度和占空比的光栅结构单元，这样就能制备与待耦合光纤匹配度高的变迹光栅耦合器，从而提高耦合效率、降低耦合损耗、增强光栅耦合器的性能。
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