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公开(公告)号：CN120028918A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202311572934.8
申请日：2023-11-23
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本发明涉及光子学技术领域，公开一种边缘耦合器及电子设备，边缘耦合器包括衬底，衬底上设有过渡层、过渡层背离衬底的一侧设有第一包层，第一包层背离过渡层的一侧设有核心层，核心层背离第一包层的一侧设有第二包层；沿光线传播方向，核心层依次包括导通的第一倒锥体和第二倒锥体，且第一倒锥体的宽度逐渐变大，第二倒锥体的宽度逐渐减小；沿垂直方向，第二倒锥体的投影与过渡层至少部分重叠；核心层的折射率大于第一包层的折射率和第二包层的折射率，且小于过渡层的折射率。核心层中的光模式与第一包层、第二包层中的光模式均不会产生过大的折射率失配，从而，有利于提高耦合效率。
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