公开(公告)号：CN118899321A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410978471.3

申请日：2024-07-19

Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 ,  张江国家实验室

Inventor： 薛书简 ,  徐勇 ,  张骥 ,  李彬鸿 ,  王云

IPC: H01L27/12

Abstract: 本申请提供一种晶圆结构，包括衬底，以及衬底上的多个半导体器件组，每个半导体器件组包括至少一个半导体器件，半导体器件包括埋氧层、埋氧层上的沟道层和沟道层上的栅极结构，栅极结构包括从沟道层向上依次层叠的高k介质层、N型功函数层和金属间隙填充层，多个半导体器件组包括第一器件组和第二器件组，第一器件组和第二器件组中的半导体结构还包括P型功函数层。第一器件组中的半导体器件和第二器件组中的半导体器件中P型功函数层的厚度不同，和/或，第一器件组中的半导体器件和第二器件组中的半导体器件下方的衬底的掺杂状态不同，可以实现在同一晶圆上制造不同阈值电压的器件，易于实施，提高了器件的制造效率。

公开(公告)号：CN118116429A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311701862.2

申请日：2023-12-11

Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 薛书简 ,  李建忠 ,  李彬鸿 ,  徐勇 ,  王云 ,  叶甜春

IPC: G11C11/16

Abstract: 一种字线控制电路及磁随机存取存储器。所述字线控制电路包括：控制电路，适于接收读写使能信号及行译码信号，并生成逻辑相反的第一升压控制信号及第二升压控制信号；升压电路，适于在进行不同操作时，基于所述第一升压控制信号及第二升压控制信号，调整所述第一输出端及第二输出端的电压。以及电压选择电路，适于在进行写操作时，将写电压施加至相应字线上，并在所述第二输出端电压的控制下，使得连接至所述第二输出端的通路断开；在进行读操作时，将读电压施加至相应字线上，并在所述第一输出端电压的控制下，使得连接至所述第一输出端的通路断开。采用上述方案，可以避免影响数据正常写入并降低读操作功耗。

公开(公告)号：CN117636935A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311701813.9

申请日：2023-12-11

Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 薛书简 ,  李彬鸿 ,  李建忠 ,  徐勇 ,  罗军 ,  王云 ,  叶甜春

IPC: G11C11/16

Abstract: 一种参考单元写入电路、写入方法及STT‑MRAM。所述参考单元写入电路适于在所述STT‑MRAM上电稳定后、对所述STT‑MRAM读写前，对所述STT‑MRAM中参考单元执行写入操作。采用上述方案，可以降低对参考单元进行写入所需功耗。