公开(公告)号：CN107492532A

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201611253338.3

申请日：2016-12-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈志华 ,  陈玉芬 ,  刘重希 ,  余振华 ,  蔡豪益 ,  黄育智

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L21/50 ,  G06K9/00

摘要： 一种封装件包括传感器管芯和将传感器管芯密封在其中的密封材料。密封材料的顶面与传感器管芯的顶面大致共面或高于传感器管芯的顶面。多个感测电极高于传感器管芯和密封材料。多个感测电极被布置为多个行和列，并且多个感测电极电连接至传感器管芯。介电层覆盖多个感测电极。本发明的实施例还涉及形成封装件的方法。

公开(公告)号：CN107342268A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710165705.2

申请日：2017-03-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  黄子松 ,  蔡豪益 ,  曾明鸿 ,  郭鸿毅

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/58

CPC分类号： H02J7/025 ,  H01L21/32051 ,  H01L23/10 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/645 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19105 ,  H02J7/0042 ,  H02J50/10 ,  H04B5/0037 ,  H04B5/0075 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/585

摘要： 本公开部分实施例提供一种半导体装置封装。半导体装置封装包括一半导体装置。半导体装置封装也包括配置用于在磁流通过时产生电流的一线圈。半导体装置封装还包括环绕半导体装置以及线圈的一成型材料。并且，半导体装置封装包括位于成型材料之上的一导电金属件。一开口形成于导电金属件之上。

公开(公告)号：CN107301981A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710219639.2

申请日：2017-04-06

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  余国宠 ,  蔡豪益 ,  郭庭豪

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

摘要： 本发明实施例公开了一种方法，包括从第一器件管芯的第一导电焊盘形成第一通孔，以及从第二器件管芯的第二导电焊盘形成第二通孔。第一导电焊盘和第二导电焊盘分别在第一器件管芯和第二器件管芯的顶面处。第一和第二导电焊盘可用作晶种层。第二器件管芯粘附到第一器件管芯的顶面。该方法还包括将第一器件管芯和第二器件管芯以及第一通孔和第二通孔封装到封装材料中，并且在同一封装工艺在封装第一器件管芯和第二器件管芯以及第一通孔和第二通孔。对封装材料平坦化以显露第一通孔和第二通孔。形成再分布线以电连接第一通孔和第二通孔。本发明实施例涉及集成的扇出型封装件以及制造方法。

公开(公告)号：CN107133556A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710096151.5

申请日：2017-02-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  陈玉芬 ,  陈志华 ,  蔡豪益 ,  刘重希

IPC分类号： G06K9/00 ,  H01L23/522 ,  H01L25/04

摘要： 本揭露提供一种制造半导体装置的方法和半导体装置。半导体装置包括：传感器芯片；贯穿通路，电连接传感器芯片的第一侧与位在传感器芯片的第二侧上的导电元件，第二侧与第一侧相对；高电压芯片，与贯穿通路电连接；以及衬底，与贯穿通路电连接，其中高电压芯片位于衬底的开口内。

公开(公告)号：CN107039287A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611107415.4

申请日：2016-12-06

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 潘国龙 ,  张纬森 ,  郭庭豪 ,  蔡豪益 ,  刘重希

IPC分类号： H01L21/48

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49506 ,  H01L23/49579 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/02 ,  H01L24/08 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/065 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/821 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486

摘要： 一种用于形成贯通孔的方法包括在封装件上方形成介电层和在介电层上方形成RDL的步骤，其中，形成RDL包括形成晶种层，在晶种层上方形成第一图案化掩模，以及执行第一金属镀敷的步骤。该方法还包括在RDL的第一部分的顶部上形成贯通孔，其中，形成贯通孔包括在晶种层和RDL上方形成第二图案化掩模，以及执行第二金属镀敷。该方法还包括附接芯片至RDL的第二部分，以及将芯片和贯通孔包封在包封材料中。本发明实施例涉及双侧集成扇出封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN106898596A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201610959360.3

申请日：2016-11-03

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄章斌 ,  杜贤明 ,  杨庆荣 ,  梁世纬 ,  郭鸿毅 ,  赖昱嘉 ,  蔡豪益 ,  刘重希 ,  余振华

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/568 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53228 ,  H01L24/02 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/1413 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/37001 ,  H01L21/76877

摘要： 半导体结构包括：管芯，管芯包括设置在管芯上方的管芯焊盘；导电构件，设置在管芯焊盘上方并且与管芯焊盘电连接；模制件，围绕管芯和导电构件；以及再分布层(RDL)，设置在模制件、导电构件和管芯上方，并且包括介电层和互连结构，其中，互连结构包括接合部分和多个通孔部分，接合部分设置在介电层上方，并且多个通孔部分从接合部分突出穿过介电层到达导电构件，以及多个通孔部分中的每一个都与导电构件至少部分地接触。本发明还提供了制造半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN103151333B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201210132709.8

申请日：2012-04-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈宪伟 ,  蔡豪益 ,  李明机 ,  余振华

IPC分类号： H01L23/528

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/522 ,  H01L23/525 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02235 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括设置半导体衬底上的钝化层以及设置钝化层上的互连结构。该互连结构包括相互电分离的接合焊盘区域和伪区域。保护层设置在该互连结构的上面并且包括暴露接合焊盘区域的一部分的第一开口以及暴露伪区域的一部分的第二开口。金属层形成在接合焊盘区域的所暴露部分和伪区域的所暴露部分上。凸块形成在位于接合焊盘区域上面的金属层上。本发明还公开了后钝化互连结构。

公开(公告)号：CN103855100A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310165208.4

申请日：2013-05-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈宪伟 ,  邵栋樑 ,  杨庆荣 ,  赖昱嘉 ,  蔡豪益 ,  于宗源

IPC分类号： H01L23/16 ,  H01L23/552 ,  H01L21/02 ,  H01L27/01

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/585 ,  H01L27/016 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及具有金属绝缘体金属电容器的密封圈结构集成电路的密封圈结构包括密封圈和金属绝缘体金属（MIM）电容器。MIM电容器包括顶电极、设置在顶电极下面的底电极，以及设置在顶电极和底电极之间的第一绝缘层。MIM电容器设置在密封圈范围内且与密封圈隔离。

公开(公告)号：CN103378037A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210461253.X

申请日：2012-11-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  蔡豪益 ,  李建勋 ,  刘重希 ,  陈宪伟

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/02165 ,  H01L2224/02335 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 用于焊料连接的方法和装置。一种装置包括在表面上具有导电终端的衬底；位于衬底的表面和导电终端的上方的钝化层；位于钝化层中的暴露出导电终端的一部分的开口；接合至开口中的导电终端并在垂直于衬底的表面的方向上延伸的至少一个柱形凸块；以及在开口中的导电终端上形成的并围绕所述至少一个柱形凸块的焊料连接件。本发明还公开了用于形成焊料连接的方法。

公开(公告)号：CN103151333A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210132709.8

申请日：2012-04-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈宪伟 ,  蔡豪益 ,  李明机 ,  余振华

IPC分类号： H01L23/528

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/522 ,  H01L23/525 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02235 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括设置半导体衬底上的钝化层以及设置钝化层上的互连结构。该互连结构包括相互电分离的接合焊盘区域和伪区域。保护层设置在该互连结构的上面并且包括暴露接合焊盘区域的一部分的第一开口以及暴露伪区域的一部分的第二开口。金属层形成在接合焊盘区域的所暴露部分和伪区域的所暴露部分上。凸块形成在位于接合焊盘区域上面的金属层上。本发明还公开了后钝化互连结构。