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公开(公告)号：CN110323331A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201811251089.3
申请日：2018-10-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本揭露涉及一种半导体装置及其制造方法。本发明实施例涉及一种半导体装置，其包含底部电极、顶部电极、切换层及扩散阻障层。所述顶部电极在所述底部电极上方。所述切换层在所述底部电极与所述顶部电极之间，且经配置以存储数据。所述扩散阻障层在所述底部电极与所述切换层之间以阻碍所述切换层与所述底部电极之间的离子的扩散。
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公开(公告)号：CN110061138A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201811486762.1
申请日：2014-07-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L51/46 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L27/146 , H01L27/30
Abstract: 本发明提供了一种光敏器件。该光敏器件包括供体受体混合(PIN)结构。PIN结构包括：有机空穴传输层；有机电子传输层；以及夹在空穴传输有机材料层和电子传输有机材料层之间的混合层。混合层包括n型有机材料和p型有机材料的混合物。本发明提供了具有电子阻挡层和空穴传输层的有机光敏器件。
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公开(公告)号：CN109841731A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810218962.2
申请日：2018-03-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 提供半导体装置结构的结构及形成方法，此方法包含在半导体基底上方形成下电极层以及在下电极层上方形成资料储存层，此方法也包含在资料储存层上方形成离子扩散阻障层以及在离子扩散阻障层上方形成覆盖层，离子扩散阻障层为掺杂氮、碳或前述的组合的金属材料，覆盖层由金属材料制成，此方法更包含在覆盖层上方形成上电极层。
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公开(公告)号：CN109560194A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201810172320.3
申请日：2018-03-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开实施例涉及电阻式随机存取存储器装置。在一些实施例中，电阻式随机存取存储器装置包含下电极结构位于导电下内连接层上方，上电极结构位于下电极结构上方，以及转换层位于下电极结构与上电极结构之间，转换层具有转换层外侧壁。电阻式随机存取存储器装置也包含帽盖层，帽盖层具有从转换层的角落沿上电极侧壁垂直延伸的垂直部分，帽盖层也具有从转换层的角落水平延伸至转换层外侧壁的水平部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105826466B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201510755878.0
申请日：2015-11-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了具有基于V族氧化物和氧化铪的高κ层的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元。RRAM单元包括底部电极层；V族氧化物层，布置在底部电极层上方；和氧化铪基层，布置在V族氧化物层上方并且邻接V族氧化物层。RRAM单元还包括覆盖层，布置在氧化铪基层上方并且邻接氧化铪基层；以及顶部电极层，布置在覆盖层上方。还提供了一种用于制备RRAM单元的方法。本发明实施例涉及改进的电阻式随机存取存储器(RRAM)结构。
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公开(公告)号：CN107337175A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710296032.4
申请日：2017-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露实施例提供一种半导体结构及其制造方法。所述方法包含：提供第一衬底；形成多个导电接垫于所述第一衬底上方；形成薄膜于所述多个导电接垫的第一子集上，从而留下从所述薄膜暴露的所述多个导电接垫的第二子集；形成自组装单层SAM于所述薄膜上方；以及经由接合第二衬底的一部分到从所述薄膜暴露的所述多个导电接垫的所述第二子集，通过所述第一衬底与所述第二衬底，形成凹槽。
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公开(公告)号：CN106972012A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201611222600.8
申请日：2016-12-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64
CPC classification number: H01L28/60 , H01L21/76895 , H01L21/8256 , H01L23/642 , H01L28/40
Abstract: 本发明的实施例提供了金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器及其形成方法。该方法包括：在半导体衬底上形成第一金属板，在第一金属板的表面上形成具有第一介电常数的第一介电层，在第一介电层的表面上形成具有第二介电常数的第二介电层，在第二介电层的表面上形成具有第三介电常数的第三介电层，以及在第三介电层的表面上形成第二金属板。第二介电常数不同于第一介电常数并且不同于第三介电常数。
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公开(公告)号：CN106206449A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510310463.2
申请日：2015-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , G11C11/56
Abstract: 本发明涉及一种形成具有良好的良率的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的方法和相关的装置。在一些实施例中，通过在下部金属互连层上方形成底电极，以及在底电极上形成具有第一厚度的可变电阻的介电数据存储层来实施该方法。在介电数据存储层上形成覆盖层。覆盖层具有第二厚度，第二厚度比第一厚度厚约2倍至约3倍的范围内。在覆盖层上方形成顶电极，以及在顶电极上方形成上部金属互连层。本发明涉及具有优化的膜方案的高良率RRAM单元。
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公开(公告)号：CN103050376A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210057500.X
申请日：2012-03-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L23/522
CPC classification number: H01L29/792 , C23C16/405 , C23C16/45525 , H01L21/02107 , H01L21/02109 , H01L21/02112 , H01L21/02175 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/02192 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/28158 , H01L21/28176 , H01L21/28264 , H01L21/30604 , H01L21/30612 , H01L23/485 , H01L27/10808 , H01L27/10852 , H01L27/10855 , H01L28/40 , H01L28/60 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/365 , H01L29/4236 , H01L29/517 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/66522 , H01L29/6656 , H01L29/7783 , H01L29/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种用于制造半导体器件的系统和方法。一个实施例包括采用原子层沉积(ALD)工艺形成沉积层。ALD工艺可以利用第一前体并持续第一时间周期；第一清除并持续比第一时间周期更长的第二时间周期；第二前体并持续比第一时间周期更长的第三时间周期；以及第二清除并持续比第三时间周期更长的第四时间周期。本发明还公开了沉积材料及形成方法。
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