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公开(公告)号：CN109817514B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201811269495.2
申请日：2018-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开一些实施例关于形成绝缘层上半导体基板的方法。方法可包括外延形成硅锗层于牺牲基板上，以及外延形成第一主动层于硅锗层上。第一主动层的组成不同于硅锗层的组成。翻转牺牲基板，并将第一主动层接合至第一基板上的介电层上表面上。移除牺牲基板与硅锗层，并蚀刻第一主动层以定义外侧侧壁并露出介电层上表面的外侧边缘。外延形成第二主动层于第一主动层上，以形成相连的主动层。第一主动层与第二主动层具有实质上相同的组成。
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公开(公告)号：CN112713156A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011139401.7
申请日：2020-10-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/762
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及一种集成芯片，所述集成芯片包括半导体装置、多晶硅隔离结构以及第一绝缘体衬垫及第二绝缘体衬垫。半导体装置设置在衬底的前侧上。多晶硅隔离结构连续地环绕半导体装置且从衬底的前侧朝衬底的后侧延伸。第一绝缘体衬垫及第二绝缘体衬垫分别环绕多晶硅隔离结构的第一最外侧壁及第二最外侧壁。衬底包括布置在第一绝缘体衬垫与第二绝缘体衬垫之间的单晶态小平面。单晶态小平面的顶部位于多晶硅隔离结构的最底表面、第一绝缘体衬垫的最底表面及第二绝缘体衬垫的最底表面上方。本发明也涉及一种形成隔离结构的方法。本发明在集成到同一衬底上的各种半导体装置之间提供可靠的电隔离。
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公开(公告)号：CN106409679B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201610541815.X
申请日：2016-07-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/324 , H01L29/06
Abstract: 提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括在衬底上方形成一个或多个鳍；在一个或多个鳍上方形成隔离绝缘层。将掺杂剂引入隔离绝缘层。对含有掺杂剂的隔离绝缘层进行退火，并且去除氧化物层的一部分，以暴露鳍的一部分。本发明还提供了具有掺杂的隔离绝缘层的鳍式场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN112490253A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202010946568.8
申请日：2020-09-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/762
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种高电阻率绝缘体上硅(SOI)衬底及其形成方法。高电阻率绝缘体上硅衬底包括配置在半导体衬底之上的第一多晶硅层、第二多晶硅层、第三多晶硅层、绝缘体层以及有源半导体层。第二多晶硅层配置在第一多晶硅层之上，且第三多晶硅层配置在第二多晶硅层之上。位于绝缘体层之上的有源半导体层可配置在第三多晶硅层之上。第二多晶硅层与第一多晶硅层及第三多晶硅层相比具有较高的氧浓度。
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公开(公告)号：CN106409902B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201510811422.1
申请日：2015-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 半导体器件包括半导体鳍、第一氮化硅基层、衬垫氧化物层、第二氮化硅基层和栅极氧化物层。半导体鳍具有顶面、邻近顶面的第一侧表面和设置在第一侧表面下方并且邻近第一侧表面的第二侧表面。第一氮化硅基层外围包围半导体鳍的第二侧表面。衬垫氧化物层设置为与第一氮化硅基层共形。第二氮化硅基层设置为与衬垫氧化物层共形。栅极氧化物层设置为与半导体鳍的顶面和第一侧表面共形。本发明的实施例还涉及形成FinFET栅极氧化物的方法。
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公开(公告)号：CN110323229A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201811241036.3
申请日：2018-10-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L29/10 , H01L21/762
Abstract: 本发明实施例揭露一种复合半导体衬底、半导体装置及其制造方法，其中所述复合半导体衬底包含半导体衬底、氧掺杂结晶半导体层及绝缘层。所述氧掺杂结晶半导体层在所述半导体衬底上方，且所述氧掺杂结晶半导体层包含结晶半导体材料及多种氧掺杂剂。所述绝缘层在所述氧掺杂结晶半导体层上方。
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公开(公告)号：CN104347349B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201310471415.2
申请日：2013-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67207 , H01L21/02041 , H01L21/02068 , H01L21/02074 , H01L21/02334 , H01L21/187 , H01L21/67017 , H01L21/67196 , H01L21/68707 , H01L33/0079 , Y10S438/906
Abstract: 本发明提供了用于清洗用来混合接合的半导体晶圆表面的机制的实施例。一种用于清洗用来混合接合的半导体晶圆的表面方法包括：提供半导体晶圆，并且半导体晶圆具有嵌入在绝缘层中的导电焊盘。该方法还包括：对半导体晶圆的表面实施等离子体工艺，并且在导电结构的表面上形成金属氧化物。该方法还包括：使用清洗液实施清洗工艺，以与金属氧化物进行还原反应，使得在导电结构的表面上形成金属‑氢键。该方法还包括：在真空下将半导体晶圆传送至接合室，以用于混合接合。本发明还提供了用于混合接合的机制和集成系统的实施例。
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公开(公告)号：CN107134493A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201611087885.9
申请日：2016-12-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/823431 , H01L21/823468 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 一种鳍式场效晶体管，包括：衬底、多个隔离结构、多个阻挡层以与栅极叠层结构。衬底具有多个半导体鳍片。隔离结构位在衬底上，以隔离半导体鳍片。另外，半导体鳍片突出于隔离结构。阻挡层位在隔离结构与半导体鳍片之间。阻挡层的材料与隔离结构的材料不同。栅极叠层结构横跨过部分半导体鳍片、部分所述阻挡层以及部分所述隔离结构。另外，也提供一种鳍式场效晶体管的制造方法。
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公开(公告)号：CN103247641B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201210193471.X
申请日：2012-06-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/268 , G01B11/14 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 用于减少条纹图案的方法包括从经过激光退火的背照式图像传感器晶圆的背面接收散射光信号；基于该散射光信号生成背面图像；确定经过激光退火的背照式图像传感器晶圆的传感器阵列的边缘和相邻的激光束边界之间的距离；以及如果该距离小于预定值，重新校准激光束。本发明还提供用于减少条纹图案的装置。
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公开(公告)号：CN103700677B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201310031116.7
申请日：2013-01-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14698 , H01L27/1464 , H01L27/14685
Abstract: 在衬底的正面中形成光电检测器。从衬底的背面减薄衬底。将多种掺杂剂从背面引入减薄衬底中。对减薄衬底中的多种掺杂剂进行退火。在减薄衬底的背面上方沉积抗反射层。在抗反射层上方形成微透镜。在上述步骤的至少一个步骤之后，实施至少一次紫外线(UV)辐射处理。本发明还提供了图像装置及其形成方法。
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