公开(公告)号：CN109817514A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811269495.2

申请日：2018-10-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑有宏 ,  许咏恩 ,  陈龙 ,  吴政达 ,  杜友伦 ,  蔡维恭 ,  杨明哲

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/18 ,  H01L21/20

Abstract: 本公开一些实施例关于形成绝缘层上半导体基板的方法。方法可包括外延形成硅锗层于牺牲基板上，以及外延形成第一主动层于硅锗层上。第一主动层的组成不同于硅锗层的组成。翻转牺牲基板，并将第一主动层接合至第一基板上的介电层上表面上。移除牺牲基板与硅锗层，并蚀刻第一主动层以定义外侧侧壁并露出介电层上表面的外侧边缘。外延形成第二主动层于第一主动层上，以形成相连的主动层。第一主动层与第二主动层具有实质上相同的组成。

公开(公告)号：CN109817514B

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201811269495.2

申请日：2018-10-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑有宏 ,  许咏恩 ,  陈龙 ,  吴政达 ,  杜友伦 ,  蔡维恭 ,  杨明哲

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/18 ,  H01L21/20

Abstract: 本公开一些实施例关于形成绝缘层上半导体基板的方法。方法可包括外延形成硅锗层于牺牲基板上，以及外延形成第一主动层于硅锗层上。第一主动层的组成不同于硅锗层的组成。翻转牺牲基板，并将第一主动层接合至第一基板上的介电层上表面上。移除牺牲基板与硅锗层，并蚀刻第一主动层以定义外侧侧壁并露出介电层上表面的外侧边缘。外延形成第二主动层于第一主动层上，以形成相连的主动层。第一主动层与第二主动层具有实质上相同的组成。