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公开(公告)号：CN102263044A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010549911.1
申请日：2010-11-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67248
Abstract: 本发明提供热处理腔、温度测量装置与方法，其中该温度测量装置，适用于非接触性测量待测元件的温度。辐射源发射入射辐射至待测元件以在既定时间加热待测元件至既定温度范围，入射辐射具有第一既定辐射范围。辐射检测器于待测元件被加热的时候接收来自待测元件的反射辐射，而辐射检测器适用于检测第二既定辐射范围。处理器耦接于辐射检测器，根据第二既定辐射范围产生对应于待测元件的校准温度信号。本发明能以非接触的方式直接测量待测元件的温度。
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公开(公告)号：CN1705084A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200510000042.6
申请日：2005-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/283
CPC classification number: H01L21/28097 , H01L21/28518 , H01L29/4975 , H01L29/66507 , H01L29/785
Abstract: 本发明涉及一种形成场效应晶体管的金属硅化栅极的方法，具体为一种在具有主动区域的基底上形成场效应晶体管的金属硅化栅极的方法。该方法首先至少在栅极的第一部分上形成金属硅化物。并于该主动区域及该栅极上沉积金属。执行退火程序，使得该金属反应而在该主动区域上形成金属硅化物。本发明所述方法提供金属硅化过程中，对于栅极电极高度可更佳的控制，且可较低的栅极电极电阻、提高元件速度、降低或防止栅极电极的渗硼、及降低或消除耗尽效应，且避免了高阶面漏电流或尖突。
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公开(公告)号：CN1501448A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN02152212.X
申请日：2002-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种制作接触孔于硅化镍层上方的方法，其特征是利用物理性蚀刻以克服公知工序中高活性的硅化镍层与蚀刻剂发生反应的问题。方法一，不一次完全去除蚀刻终止层，而残留一厚度极薄的蚀刻终止层，以物理性蚀刻方式去除残留蚀刻终止层，蚀刻气体便不会与硅化镍层发生反应。方法二，新引用一蚀刻缓冲层于蚀刻终止层与硅化镍层之间，再利用物理性蚀刻方式去除蚀刻缓冲层，同样地，蚀刻气体便不会与硅化镍层发生反应。
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公开(公告)号：CN112687791B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202010411079.2
申请日：2020-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及半导体装置及其制作方法。本发明实施例提供一种半导体装置，其包含扩散势垒结构、底部电极、所述底部电极上方的顶部电极、切换层及罩盖层。所述底部电极在所述扩散势垒结构上方。所述顶部电极在所述底部电极上方。所述切换层在所述底部电极与所述顶部电极之间，且经配置以存储数据。所述罩盖层在所述顶部电极与所述切换层之间。所述扩散势垒结构的热导率大于近似20W/mK。
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公开(公告)号：CN112151673B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202010592590.7
申请日：2020-06-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的各个实施例针对电阻式随机存取存储器(RRAM)单元，该RRAM单元包括：顶电极阻挡层，被配置为阻挡氮或一些其它合适的非金属元素从RRAM单元的顶电极至RRAM单元的有源金属层的移动。阻挡非金属元素的移动可以防止有源金属层和顶电极之间的不期望的切换层的形成。不期望的切换层将增加RRAM单元的寄生电阻，从而使得顶电极阻挡层可以通过防止不期望的切换层的形成来减小寄生电阻。本发明的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112542544B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202010265592.5
申请日：2020-04-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10N97/00
Abstract: 本申请的各个实施例针对一种形成金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的方法，MIM电容器包括增强的界面层以减少击穿故障。在一些实施例中，在衬底上方沉积底部电极层。在底部电极层的顶面上形成原生氧化物层，原生氧化物层与顶面具有第一粘附强度。执行等离子体处理工艺以用界面层代替原生氧化物层。界面层是导电的并且与底部电极层的顶面具有第二粘附强度，并且第二粘附强度大于第一粘附强度。在界面层上沉积绝缘体层。在绝缘体层上沉积顶部电极层。图案化顶部电极层、底部电极层、绝缘体层和界面层以形成MIM电容器。本发明的实施例还涉及金属‑绝缘体‑金属电容器。
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公开(公告)号：CN112185843B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201911016170.8
申请日：2019-10-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种工艺工具，所述工艺工具包括界定真空室的壳体。晶圆夹盘位于所述壳体中且载体晶圆位于所述晶圆夹盘上。相机集成在所述载体晶圆上以使所述相机面对所述壳体的顶部。所述相机被配置成以无线方式拍摄所述壳体内的所关注物体的图像。位于所述壳体外部的是无线接收器。所述无线接收器被配置成在所述真空室被密封的同时从所述相机接收所述图像。
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公开(公告)号：CN107123598A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201610754909.5
申请日：2016-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66818 , H01L21/283 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L21/76224 , H01L29/0653 , H01L29/1054 , H01L29/1095 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 鳍式场效应晶体管(FinFET)包括半导体衬底、多个绝缘体、栅极堆叠件和应变材料。半导体衬底包括位于半导体衬底上的至少一个半导体鳍。半导体鳍包括源极/漏极区和沟道区，并且源极/漏极区的宽度大于沟道区的宽度。绝缘体设置在半导体衬底上并且绝缘体将半导体鳍夹在绝缘体中间。栅极堆叠件位于半导体鳍的沟道区上方和部分绝缘体上方。应变材料覆盖半导体鳍的源极/漏极区。此外，提供了用于制造FinFET的方法。
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公开(公告)号：CN102623315A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210020656.0
申请日：2012-01-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/266 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76229
Abstract: 本发明所述的实施例提供了用于以碳对STI中的氧化物进行掺杂以使窄结构和宽结构中的蚀刻率相等并且也使宽STI的角部变牢固的方法和结构。可以通过离子束(离子注入)或等离子体掺杂来进行这种碳掺杂。可以使用硬掩模层以防止下方的硅受到掺杂。通过使用该掺杂机制，硅和STI的平坦的表面形状能够实现先进的工艺技术的栅极结构图案化和ILD0间隙填充。
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公开(公告)号：CN102446758A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110061223.5
申请日：2011-03-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/26513 , H01L21/67248
Abstract: 本发明提供了一种使图案化衬底退火的快速热退火方法和系统，其可以使对衬底温度非均匀性的图案效应最小化。快速热退火系统包括前侧加热源和背面加热源。快速热退火系统的背面加热源提供使衬底温度升高至峰值退火温度的主要热量。前侧加热源提供热量使靠近衬底前侧的环境温度升高至一温度，该温度低于峰值退火温度约100℃至约200℃。这种用于快速热退火的不对称前侧和背面加热可以减少或消除图案效应并且改善WIW和WID器件性能均匀性。
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