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公开(公告)号：CN106449860A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510553484.7
申请日：2015-09-02
申请人： 财团法人交大思源基金会
IPC分类号： H01L31/113 , H01L31/0352 , G01J1/42
CPC分类号： H01L31/02162 , H01L31/035227 , H01L31/1129 , H01L31/1136 , G01J1/42
摘要： 本发明提供一种光感测装置及其应用。光感测装置包含晶体管、硅纳米通道以及滤光染料层。晶体管包含源极、漏极及栅极。硅纳米通道连接源极与漏极设置用于接收光照。滤光染料层位于硅纳米通道接收光照的表面上。本发明的光感测装置以及利用其进行光感测的方法是利用硅纳米通道接收光照，进而改变晶体管的电流，将光信号转换为电信号，并藉由电信号计算光照的强度，藉此感测光。本发明的光感测装置具有高灵敏度，又可动态的进行元件参数调整，具有广大的应用领域与市场。
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公开(公告)号：CN106409975A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611012268.2
申请日：2016-11-17
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/0296 , H01L31/0352
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/1836 , H01L31/0296 , H01L31/035227 , H01L31/09
摘要： 一种可定制的高增益ZnO纳米线阵列紫外探测器及其制备方法，涉及微电子工艺技术、纳米技术与紫外探测领域。本发明中，基于协同学理论，在涨落不稳定时，纳米线之间会彼此争夺反应溶质，在这种竞争机制下，种子层越薄，所需的溶质资源越少，生长时间由生长速率决定。基于此生长原理，本发明中，通过调整种子层厚度和溶液浓度、生长时间得到质量较高的纳米线，从而得到不同增益的紫外探测器件。本发明简单有效，定制不同增益的器件可适用于多种环境下的紫外光检测。
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公开(公告)号：CN105841823A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610235400.X
申请日：2016-04-14
申请人： 董友强
发明人： 董友强
IPC分类号： G01J5/20 , G01J3/28 , G01J1/42 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/108 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , G01J5/20 , G01J3/28 , H01L31/035227 , H01L31/107 , H01L31/108 , H01L31/1804
摘要： 本发明公开了一种锰硅纳米线红外探测器，所述锰硅纳米线红外探测器包括P型外延硅衬底层、锰硅薄膜光敏层、P型多晶硅盖帽层、减反射膜层，P型外延硅衬底层、锰硅薄膜光敏层、P型多晶硅盖帽层、减反射膜层依次层叠在一起；所述锰硅薄膜光敏层即为锰硅纳米线；所述锰硅纳米线红外探测器的工作模式采用正照方式。本发明的有益技术效果是：利用锰硅纳米线可增加吸收率，同时，锰硅纳米线顶端存在极大的边缘场，产生雪崩倍增效应，大幅度提高锰硅红外探测器的量子效率；增加P型多晶硅盖帽层，可使光生热空穴的逃逸机率增加一倍，并且阻止了减反射膜层内的可动电荷与光生自由电子交换，降低锰硅红外探测器的噪声及暗电流；探测器采用正照方式，大幅简化了封装工艺，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN105655423A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610035612.3
申请日：2016-01-19
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/0322 , H01L31/035227 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于硫属亚铜化合物的纳米异质结太阳能电池及其制备方法，其特征在于：是以上表面覆有绝缘层的硅基衬底为基底，在绝缘层上分散有硫属亚铜化合物准一维纳米结构，在硫属亚铜化合物准一维纳米结构的两端各沉积有第一金属薄膜电极和In2S3薄膜，硫属亚铜化合物准一维纳米结构与第一金属薄膜电极呈欧姆接触，与In2S3薄膜形成异质结；在In2S3薄膜上方沉积有第二金属薄膜电极，In2S3薄膜与第二金属薄膜电极呈欧姆接触。本发明的纳米异质结太阳能电池完全使用环境友好的无机半导体材料，制备过程简单易行，器件性能优越。
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公开(公告)号：CN105637656A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201480053392.6
申请日：2014-08-11
申请人： 特拉维夫大学拉莫特有限公司
发明人： 费迪南德·帕托尔斯基 , 阿隆·科斯洛夫
IPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/0687 , H01L31/0745 , H01L21/02
CPC分类号： H01L31/028 , H01L21/0245 , H01L21/0251 , H01L21/02513 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02653 , H01L31/022425 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/0687 , H01L31/0725 , H01L31/0745 , H01L31/1812 , Y02E10/544
摘要： 公开了一种光伏电池装置，所述装置包括：活性区，其具有相对于导电衬底垂直对齐的多个间隔开的细长纳米结构，其中每个细长纳米结构具有通过电磁波谱内的带隙表征的至少一个p-n结，并且被与所述衬底电隔离的导电层涂布。
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公开(公告)号：CN105556680A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480035698.9
申请日：2014-05-22
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/0352 , H01L31/07
CPC分类号： H01L31/035272 , G02B6/122 , G02B6/136 , G02B2006/12097 , G02B2006/12176 , H01L23/66 , H01L31/02005 , H01L31/02019 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/02363 , H01L31/024 , H01L31/028 , H01L31/0284 , H01L31/0304 , H01L31/03046 , H01L31/035227 , H01L31/035281 , H01L31/054 , H01L31/0745 , H01L31/075 , H01L31/105 , H01L31/1055 , H01L31/107 , H01L31/1075 , H01L31/1804 , H01L31/184 , H01L31/1844 , H01L2223/6627 , Y02E10/52 , Y02E10/548
摘要： 描述了利用微结构来增强半导体中的光子吸收的技术。微结构例如柱和/或孔有效增加了有效吸收长度，引起更大的光子吸收。对于硅光电二极管和硅雪崩光电二极管使用增强吸收的微结构可以得到在波长为850nm的光子处超过10Gb/s的带宽，并且量子效率为大约90％或更高。
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公开(公告)号：CN105324856A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201480034918.6
申请日：2014-06-20
申请人： 俄克拉荷马大学董事会
IPC分类号： H01L31/108 , H01L27/146
CPC分类号： H01L31/0324 , H01L27/14665 , H01L31/035218 , H01L31/035227 , H01L31/035272 , H01L31/108 , H01L31/109
摘要： 一种红外(IR)光伏(PV)检测器，包括在衬底上设置的IV-VI铅(Pb)盐层，与该IV-VI Pb盐层相关联的电荷分离结(CSJ)结构，其中该CSJ结构包括设置在该IV-VI Pb盐层上或内的多个元素区域，其中所述多个元素区域彼此间隔开。每个元素区域可连接到第一欧姆接触，从而形成多个互相连接的第一欧姆接触，以及第二欧姆接触可设置在该IV-VI Pb盐层的部分上。在另一个实施例中，一种PV检测器，其包括异质结区，该异质结区包括耦合到至少一个非Pb盐层的至少一个IV-VI铅Pb盐材料层，其中至少一个IV-VI Pb盐层和至少一个非Pb盐层形成具有II型带隙对准的p-n结或肖特基结。
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公开(公告)号：CN105144406A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480006293.2
申请日：2014-01-28
申请人： Q1奈米系统公司
CPC分类号： H01L31/035281 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/02363 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/073 , H01L31/075 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02E10/543 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 各种实施例的系统、方法及装置提供由光伏直立物阵列组成的光伏电池。所述光伏直立物可经个别配置且可处在阵列中以具有高光子吸收概率。所述高光子吸收概率可导致高光能量转换效率。
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公开(公告)号：CN103189999B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201180050221.4
申请日：2011-09-30
申请人： 应用材料公司
发明人： 考施·K·辛格 , 罗伯特·简·维瑟 , 斯里坎特·拉奥 , 巴斯卡·库马 , 克莱尔·J·卡马尔特 , 兰加·拉奥·阿内帕利 , 奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 , 戈拉夫·绍劳夫 , 克里斯托弗·S·布莱克曼 , 桑贾伊安·萨特西瓦姆
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/072 , H01L31/075 , H01L31/18 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C23C16/30 , C23C16/56 , H01L21/02 , H01L51/42
CPC分类号： H01L29/78681 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C23C16/301 , C23C16/56 , H01L21/0237 , H01L21/02491 , H01L21/02546 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02601 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L21/3245 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L29/207 , H01L29/454 , H01L29/66742 , H01L29/78618 , H01L29/78696 , H01L31/022425 , H01L31/035227 , H01L31/072 , H01L31/075 , H01L31/184 , H01L31/1864 , H01L51/0048 , H01L51/424 , Y02E10/544 , Y02E10/548 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明的实施例提供一种由溶液型前驱物形成掺杂的砷化镓(GaAs)基层的方法。由该溶液型前驱物所形成的掺杂的砷化镓(GaAs)基层可帮助太阳能电池装置提高光吸收作用及转化效率。在一个实施例中，一种形成太阳能电池装置的方法包括：在基板表面上方形成第一层，在所述第一层内掺杂有第一种掺杂剂；在该第一层上形成砷化镓基层；以及在该砷化镓基层上形成第二层，在所述第二层内掺杂有第二种掺杂剂。
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公开(公告)号：CN104918878A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201380056223.3
申请日：2013-10-25
申请人： 艾利迪公司 , 原子能与替代能源委员会
IPC分类号： B82Y40/00 , H01L33/00 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L31/036 , H01L21/205
CPC分类号： H01L33/24 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L31/022408 , H01L31/028 , H01L31/0296 , H01L31/0304 , H01L31/03044 , H01L31/035227 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/1804 , H01L31/1808 , H01L31/1828 , H01L31/184 , H01L33/0054 , H01L33/0062 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0083 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/28 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及光电子设备(10)，该设备包括：基板(14)；在基板的一个表面(16)上的触头(18)；半导体元件(24)，每个元件承接触头；至少覆盖每个触头的侧面(21)的部分，该部分防止半导体元件在所述侧面上的生长；和从前述表面延伸至基板并且对于每对触头而言将来自该对的一个触头与来自该对的另一个触头连接的电介质区域(22)。
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