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    石墨烯/氧化锌单晶基片肖特基结紫外光电探测器及其制备方法
    2.
    发明授权
    石墨烯/氧化锌单晶基片肖特基结紫外光电探测器及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN106098804B

    公开(公告)日：2017-09-29

    申请号：CN201610393017.7

    申请日：2016-05-31

    申请人： 合肥工业大学

    发明人： 罗林保 ,  张腾飞 ,  张登月 ,  王友义 ,  郑坤

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02P70/521

    摘要： 本发明公开了一种石墨烯/氧化锌单晶基片肖特基结紫外光电探测器及其制备方法，其是在氧化锌单晶基片的上表面覆盖与氧化锌单晶基片呈肖特基接触的石墨烯薄膜，下表面设置有与氧化锌单晶基片呈欧姆接触的钛/金电极；在氧化锌单晶基片与石墨烯薄膜之间的局部位置设置有二氧化硅绝缘层；在石墨烯薄膜的上方引出有与石墨烯薄膜呈欧姆接触的银电极，其不超出二氧化硅绝缘层所在的区域。本发明的紫外光电探测器一方面利用了结晶质量优异的氧化锌单晶基片，另一方面利用了石墨烯优异的透光和电学特性，所得器件光吸收能力强、响应度大、且具有很高的可靠性，为氧化锌单晶材料在光电探测领域的应用中开拓了新的前景。

    一种基于硫属亚铜化合物的核壳结构异质结太阳能电池及其制备方法
    3.
    发明公开
    一种基于硫属亚铜化合物的核壳结构异质结太阳能电池及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN106328750A

    公开(公告)日：2017-01-11

    申请号：CN201610939990.4

    申请日：2016-10-25

    申请人： 合肥工业大学

    发明人： 吴春艳 ,  王友义 ,  彭伟 ,  叶斌 ,  罗林保

    IPC分类号： H01L31/072 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/072 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明公开了一种基于硫属亚铜化合物的核壳结构异质结太阳能电池及其制备方法，其特征在于：是以上表面覆有绝缘层的硅基衬底为基底，在绝缘层上分散硫属亚铜化合物准一维纳米结构，在纳米结构的一端沉积第一金属薄膜电极，形成欧姆接触；在第一金属薄膜电极上覆盖一层光刻胶阻挡层；通过液相阳离子置换，将未被光刻胶阻挡层覆盖的准一维纳米结构表面置换成铟的硫属化合物，形成核壳结构异质结；去除光刻胶，再在铟的硫属化合物上方沉积第二金属薄膜电极，形成欧姆接触，即构成太阳能电池。本发明通过液相阳离子置换实现核壳结构异质结的形成，并将异质结的形成过程与太阳能电池的制备工艺相结合，工艺兼容性好，过程简单易行。

    石墨烯/氧化锌单晶基片肖特基结紫外光电探测器及其制备方法
    4.
    发明公开
    石墨烯/氧化锌单晶基片肖特基结紫外光电探测器及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN106098804A

    公开(公告)日：2016-11-09

    申请号：CN201610393017.7

    申请日：2016-05-31

    申请人： 合肥工业大学

    发明人： 罗林保 ,  张腾飞 ,  张登月 ,  王友义 ,  郑坤

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/1828

    摘要： 本发明公开了一种石墨烯/氧化锌单晶基片肖特基结紫外光电探测器及其制备方法，其是在氧化锌单晶基片的上表面覆盖与氧化锌单晶基片呈肖特基接触的石墨烯薄膜，下表面设置有与氧化锌单晶基片呈欧姆接触的钛/金电极；在氧化锌单晶基片与石墨烯薄膜之间的局部位置设置有二氧化硅绝缘层；在石墨烯薄膜的上方引出有与石墨烯薄膜呈欧姆接触的银电极，其不超出二氧化硅绝缘层所在的区域。本发明的紫外光电探测器一方面利用了结晶质量优异的氧化锌单晶基片，另一方面利用了石墨烯优异的透光和电学特性，所得器件光吸收能力强、响应度大、且具有很高的可靠性，为氧化锌单晶材料在光电探测领域的应用中开拓了新的前景。

    一种基于铜硫酸钾准一维纳米结构的自驱动近红外光电探测器及其制备方法
    6.
    发明授权
    一种基于铜硫酸钾准一维纳米结构的自驱动近红外光电探测器及其制备方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN107123699B

    公开(公告)日：2018-12-11

    申请号：CN201710427948.9

    申请日：2017-06-08

    申请人： 合肥工业大学

    发明人： 吴春艳 ,  王友义 ,  徐际宇 ,  吴亚东 ,  陆杨

    IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明公开了一种基于铜硫酸钾准一维纳米结构的自驱动近红外光电探测器及其制备方法，其特征在于：将由KCu7S4准一维纳米结构通过LB技术组装而成的KCu7S4单层膜转移到构建有绝缘区域的n型硅基底上，KCu7S4单层膜与硅基底接触形成Si/KCu7S4异质结，在绝缘区域上方沉积与KCu7S4单层膜形成欧姆接触的第一金属薄膜电极，在硅基底背面制备与硅形成欧姆接触的第二金属薄膜电极，即获得自驱动近红外光电探测器。本发明的自驱动近红外光电探测器制备过程简单易行，器件性能优越，且与现行半导体工艺具有良好的兼容性。

    一种基于硫属亚铜化合物的核壳结构异质结太阳能电池及其制备方法
    7.
    发明授权
    一种基于硫属亚铜化合物的核壳结构异质结太阳能电池及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN106328750B

    公开(公告)日：2017-12-01

    申请号：CN201610939990.4

    申请日：2016-10-25

    申请人： 合肥工业大学

    发明人： 吴春艳 ,  王友义 ,  彭伟 ,  叶斌 ,  罗林保

    IPC分类号： H01L31/072 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    摘要： 本发明公开了一种基于硫属亚铜化合物的核壳结构异质结太阳能电池及其制备方法，其特征在于：是以上表面覆有绝缘层的硅基衬底为基底，在绝缘层上分散硫属亚铜化合物准一维纳米结构，在纳米结构的一端沉积第一金属薄膜电极，形成欧姆接触；在第一金属薄膜电极上覆盖一层光刻胶阻挡层；通过液相阳离子置换，将未被光刻胶阻挡层覆盖的准一维纳米结构表面置换成铟的硫属化合物，形成核壳结构异质结；去除光刻胶，再在铟的硫属化合物上方沉积第二金属薄膜电极，形成欧姆接触，即构成太阳能电池。本发明通过液相阳离子置换实现核壳结构异质结的形成，并将异质结的形成过程与太阳能电池的制备工艺相结合，工艺兼容性好，过程简单易行。

    一种基于硫属亚铜化合物的纳米异质结太阳能电池及其制备方法
    9.
    发明授权
    一种基于硫属亚铜化合物的纳米异质结太阳能电池及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN105655423B

    公开(公告)日：2017-04-05

    申请号：CN201610035612.3

    申请日：2016-01-19

    申请人： 合肥工业大学

    发明人： 吴春艳 ,  潘志强 ,  王友义 ,  陈士荣 ,  罗林保

    IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02P70/521

    摘要： 本发明公开了一种基于硫属亚铜化合物的纳米异质结太阳能电池及其制备方法，其特征在于：是以上表面覆有绝缘层的硅基衬底为基底，在绝缘层上分散有硫属亚铜化合物准一维纳米结构，在硫属亚铜化合物准一维纳米结构的两端各沉积有第一金属薄膜电极和In2S3薄膜，硫属亚铜化合物准一维纳米结构与第一金属薄膜电极呈欧姆接触，与In2S3薄膜形成异质结；在In2S3薄膜上方沉积有第二金属薄膜电极，In2S3薄膜与第二金属薄膜电极呈欧姆接触。本发明的纳米异质结太阳能电池完全使用环境友好的无机半导体材料，制备过程简单易行，器件性能优越。