-
公开(公告)号：CN103189991B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201180051105.4
申请日：2011-09-30
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC分类号： H01L29/78681 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C23C16/301 , C23C16/56 , H01L21/0237 , H01L21/02491 , H01L21/02546 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02601 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L21/3245 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L29/207 , H01L29/454 , H01L29/66742 , H01L29/78618 , H01L29/78696 , H01L31/022425 , H01L31/035227 , H01L31/072 , H01L31/075 , H01L31/184 , H01L31/1864 , H01L51/0048 , H01L51/424 , Y02E10/544 , Y02E10/548 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明的实施例提供一种形成用在薄膜晶体管器件中的III-V族材料的方法。在一个实施例中，由溶液型前驱物所形成的含有或不含掺杂剂的砷化镓基(GaAs)层可用于薄膜晶体管器件中。可将由溶液型前驱物所形成的砷化镓基层并入薄膜晶体管器件中以增进器件性能和器件速度。在一个实施例中，薄膜晶体管结构包含设置于基板上的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层上方的砷化镓基层及邻接砷化镓基层而设置的源极-漏极金属电极层。
-
公开(公告)号：CN105027316A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480013135.X
申请日：2014-03-10
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L51/52
CPC分类号： H01L51/5253
摘要： 本文公开用于沉积多层阻挡层结构的方法及设备。在一个实施方式中，在有机半导体之上形成的薄阻挡层包括：非共形有机层、在该非共形有机层之上形成的无机层、在该无机层之上形成的金属层及在该金属层之上形成的第二有机层。在另一实施方式中，沉积阻挡层的方法包括以下步骤：在基板的暴露表面之上形成有机半导体装置；使用CVD沉积无机层；通过ALD在无机层之上沉积包含一或更多层金属氧化物层或金属氮化物层的金属层，其中该金属从由以下组成的群组中选择：铝、铪、钛、锆、硅或以上各者的组合；及在该金属层之上沉积有机层。
-
公开(公告)号：CN107743651B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201680034165.8
申请日：2016-05-26
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3105 , H01L21/02 , C23C16/56 , C23C16/48 , C23C16/36 , C23C16/04
摘要： 提供了一种密封多孔低k介电膜的方法。该方法包含以下步骤：将基板暴露于UV辐射和第一反应气体，其中基板具有限定在基板中的开口特征，开口特征由多孔低k介电层和导电材料所界定，其中多孔低k介电层是含硅和碳材料且使用UV辅助光化学气相沉积而在多孔低k介电层的暴露表面上选择性地形成孔密封层在开口特征中。
-
公开(公告)号：CN102356474A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201080012538.4
申请日：2010-03-11
申请人： 应用材料公司
发明人： 盛殊然 , 蔡容基 , 斯蒂芬·克莱因 , 阿米尔·阿拉-巴亚提 , 巴斯卡·库马
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/022466 , H01L31/02167 , H01L31/022483 , H01L31/0236 , H01L31/028 , H01L31/035281 , H01L31/03682 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/056 , H01L31/076 , H01L31/1884 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 提供了一种用以形成太阳能电池的方法及设备。在一实施例中，一种光伏器件包含：第一TCO层，所述第一TCO层设置在基板上；第二TCO层，所述第二TCO层设置在所述第一TCO层上；以及p-型含硅层，所述p-型含硅层形成在所述第二TCO层上。在另一实施例中，一种形成光伏器件的方法包含以下步骤：在基板上形成第一TCO层；在所述第一TCO层上形成第二TCO层；以及在所述第二TCO层上形成第一p-i-n结。
-
公开(公告)号：CN103189999A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180050221.4
申请日：2011-09-30
申请人： 应用材料公司
发明人： 考施·K·辛格 , 罗伯特·简·维瑟 , 斯里坎特·拉奥 , 巴斯卡·库马 , 克莱尔·J·卡马尔特 , 兰加·拉奥·阿内帕利 , 奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 , 戈拉夫·绍劳夫 , 克里斯托弗·S·布莱克曼 , 桑贾伊安·萨特西瓦姆
IPC分类号： H01L31/075 , H01L31/072 , H01L31/0352 , H01L31/18 , C23C16/30
CPC分类号： H01L29/78681 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C23C16/301 , C23C16/56 , H01L21/0237 , H01L21/02491 , H01L21/02546 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02601 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L21/3245 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L29/207 , H01L29/454 , H01L29/66742 , H01L29/78618 , H01L29/78696 , H01L31/022425 , H01L31/035227 , H01L31/072 , H01L31/075 , H01L31/184 , H01L31/1864 , H01L51/0048 , H01L51/424 , Y02E10/544 , Y02E10/548 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明的实施例提供一种由溶液型前驱物形成掺杂的砷化镓(GaAs)基层的方法。由该溶液型前驱物所形成的掺杂的砷化镓(GaAs)基层可帮助太阳能电池装置提高光吸收作用及转化效率。在一个实施例中，一种形成太阳能电池装置的方法包括：在基板表面上方形成第一层，在所述第一层内掺杂有第一种掺杂剂；在该第一层上形成砷化镓基层；以及在该砷化镓基层上形成第二层，在所述第二层内掺杂有第二种掺杂剂。
-
公开(公告)号：CN103189991A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180051105.4
申请日：2011-09-30
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC分类号： H01L29/78681 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C23C16/301 , C23C16/56 , H01L21/0237 , H01L21/02491 , H01L21/02546 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02601 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L21/3245 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L29/207 , H01L29/454 , H01L29/66742 , H01L29/78618 , H01L29/78696 , H01L31/022425 , H01L31/035227 , H01L31/072 , H01L31/075 , H01L31/184 , H01L31/1864 , H01L51/0048 , H01L51/424 , Y02E10/544 , Y02E10/548 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明的实施例提供一种形成用在薄膜晶体管器件中的III-V族材料的方法。在一个实施例中，由溶液型前驱物所形成的含有或不含掺杂剂的砷化镓基(GaAs)层可用于薄膜晶体管器件中。可将由溶液型前驱物所形成的砷化镓基层并入薄膜晶体管器件中以增进器件性能和器件速度。在一个实施例中，薄膜晶体管结构包含设置于基板上的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层上方的砷化镓基层及邻接砷化镓基层而设置的源极-漏极金属电极层。
-
公开(公告)号：CN105027316B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201480013135.X
申请日：2014-03-10
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L51/52
CPC分类号： H01L51/5253
摘要： 本文公开用于沉积多层阻挡层结构的方法及设备。在一个实施方式中，在有机半导体之上形成的薄阻挡层包括：非共形有机层、在该非共形有机层之上形成的无机层、在该无机层之上形成的金属层及在该金属层之上形成的第二有机层。在另一实施方式中，沉积阻挡层的方法包括以下步骤：在基板的暴露表面之上形成有机半导体装置；使用CVD沉积无机层；通过ALD在无机层之上沉积包含一或更多层金属氧化物层或金属氮化物层的金属层，其中该金属从由以下组成的群组中选择：铝、铪、钛、锆、硅或以上各者的组合；及在该金属层之上沉积有机层。
-
公开(公告)号：CN107743651A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201680034165.8
申请日：2016-05-26
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3105 , H01L21/02 , C23C16/56 , C23C16/48 , C23C16/36 , C23C16/04
CPC分类号： H01L21/02126 , C23C16/045 , C23C16/36 , C23C16/482 , C23C16/56 , H01L21/02337 , H01L21/0234 , H01L21/02348 , H01L21/02359 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/76814 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L21/76831
摘要： 提供了一种密封多孔低k介电膜的方法。该方法包含以下步骤：将基板暴露于UV辐射和第一反应气体，其中基板具有限定在基板中的开口特征，开口特征由多孔低k介电层和导电材料所界定，其中多孔低k介电层是含硅和碳材料且使用UV辅助光化学气相沉积而在多孔低k介电层的暴露表面上选择性地形成孔密封层在开口特征中。
-
公开(公告)号：CN103189999B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201180050221.4
申请日：2011-09-30
申请人： 应用材料公司
发明人： 考施·K·辛格 , 罗伯特·简·维瑟 , 斯里坎特·拉奥 , 巴斯卡·库马 , 克莱尔·J·卡马尔特 , 兰加·拉奥·阿内帕利 , 奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 , 戈拉夫·绍劳夫 , 克里斯托弗·S·布莱克曼 , 桑贾伊安·萨特西瓦姆
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/072 , H01L31/075 , H01L31/18 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C23C16/30 , C23C16/56 , H01L21/02 , H01L51/42
CPC分类号： H01L29/78681 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C23C16/301 , C23C16/56 , H01L21/0237 , H01L21/02491 , H01L21/02546 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02601 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L21/3245 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L29/207 , H01L29/454 , H01L29/66742 , H01L29/78618 , H01L29/78696 , H01L31/022425 , H01L31/035227 , H01L31/072 , H01L31/075 , H01L31/184 , H01L31/1864 , H01L51/0048 , H01L51/424 , Y02E10/544 , Y02E10/548 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明的实施例提供一种由溶液型前驱物形成掺杂的砷化镓(GaAs)基层的方法。由该溶液型前驱物所形成的掺杂的砷化镓(GaAs)基层可帮助太阳能电池装置提高光吸收作用及转化效率。在一个实施例中，一种形成太阳能电池装置的方法包括：在基板表面上方形成第一层，在所述第一层内掺杂有第一种掺杂剂；在该第一层上形成砷化镓基层；以及在该砷化镓基层上形成第二层，在所述第二层内掺杂有第二种掺杂剂。
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
9 条记录 (耗时 0.024 秒)
