Invention Grant
CN103189999B 具有砷化镓吸收层的高效率太阳能电池装置
失效 - 权利终止
- Patent Title: 具有砷化镓吸收层的高效率太阳能电池装置
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Application No.: CN201180050221.4Application Date: 2011-09-30
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Publication No.: CN103189999BPublication Date: 2015-12-02
- Inventor: 考施·K·辛格 , 罗伯特·简·维瑟 , 斯里坎特·拉奥 , 巴斯卡·库马 , 克莱尔·J·卡马尔特 , 兰加·拉奥·阿内帕利 , 奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 , 戈拉夫·绍劳夫 , 克里斯托弗·S·布莱克曼 , 桑贾伊安·萨特西瓦姆
- Applicant: 应用材料公司
- Applicant Address: 美国加利福尼亚州
- Assignee: 应用材料公司
- Current Assignee: 应用材料公司
- Current Assignee Address: 美国加利福尼亚州
- Agency: 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- Agent 徐金国
- Priority: 61/388,943 2010.10.01 US; 61/452,801 2011.03.15 US; 61/468,918 2011.03.29 US
- International Application: PCT/US2011/054301 2011.09.30
- International Announcement: WO2012/044978 EN 2012.04.05
- Date entered country: 2013-04-18
- Main IPC: H01L31/0224
- IPC: H01L31/0224 ; H01L31/0352 ; H01L31/072 ; H01L31/075 ; H01L31/18 ; B82Y10/00 ; B82Y30/00 ; C23C16/30 ; C23C16/56 ; H01L21/02 ; H01L51/42
Abstract:
本发明的实施例提供一种由溶液型前驱物形成掺杂的砷化镓(GaAs)基层的方法。由该溶液型前驱物所形成的掺杂的砷化镓(GaAs)基层可帮助太阳能电池装置提高光吸收作用及转化效率。在一个实施例中，一种形成太阳能电池装置的方法包括：在基板表面上方形成第一层，在所述第一层内掺杂有第一种掺杂剂；在该第一层上形成砷化镓基层；以及在该砷化镓基层上形成第二层，在所述第二层内掺杂有第二种掺杂剂。
Public/Granted literature
- CN103189999A 具有砷化镓吸收层的高效率太阳能电池装置 Public/Granted day:2013-07-03
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IPC分类:
