公开(公告)号：CN107743651B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201680034165.8

申请日：2016-05-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任河 ,  梅裕尔·B·奈克 ,  迪内士·帕德希 ,  普里扬卡·戴什 ,  巴斯卡·库马 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/02 ,  C23C16/56 ,  C23C16/48 ,  C23C16/36 ,  C23C16/04

Abstract: 提供了一种密封多孔低k介电膜的方法。该方法包含以下步骤：将基板暴露于UV辐射和第一反应气体，其中基板具有限定在基板中的开口特征，开口特征由多孔低k介电层和导电材料所界定，其中多孔低k介电层是含硅和碳材料且使用UV辅助光化学气相沉积而在多孔低k介电层的暴露表面上选择性地形成孔密封层在开口特征中。

公开(公告)号：CN107743651A

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201680034165.8

申请日：2016-05-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任河 ,  梅裕尔·B·奈克 ,  迪内士·帕德希 ,  普里扬卡·戴什 ,  巴斯卡·库马 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/02 ,  C23C16/56 ,  C23C16/48 ,  C23C16/36 ,  C23C16/04

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/045 ,  C23C16/36 ,  C23C16/482 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

Abstract: 提供了一种密封多孔低k介电膜的方法。该方法包含以下步骤：将基板暴露于UV辐射和第一反应气体，其中基板具有限定在基板中的开口特征，开口特征由多孔低k介电层和导电材料所界定，其中多孔低k介电层是含硅和碳材料且使用UV辅助光化学气相沉积而在多孔低k介电层的暴露表面上选择性地形成孔密封层在开口特征中。