发明授权
CN103189999B 具有砷化镓吸收层的高效率太阳能电池装置
失效 - 权利终止
- 专利标题： 具有砷化镓吸收层的高效率太阳能电池装置
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申请号： CN201180050221.4申请日： 2011-09-30
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公开(公告)号： CN103189999B公开(公告)日： 2015-12-02
- 发明人: 考施·K·辛格 , 罗伯特·简·维瑟 , 斯里坎特·拉奥 , 巴斯卡·库马 , 克莱尔·J·卡马尔特 , 兰加·拉奥·阿内帕利 , 奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 , 戈拉夫·绍劳夫 , 克里斯托弗·S·布莱克曼 , 桑贾伊安·萨特西瓦姆
- 申请人： 应用材料公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理商 徐金国
- 优先权： 61/388,943 2010.10.01 US; 61/452,801 2011.03.15 US; 61/468,918 2011.03.29 US
- 国际申请： PCT/US2011/054301 2011.09.30
- 国际公布： WO2012/044978 EN 2012.04.05
- 进入国家日期： 2013-04-18
- 主分类号： H01L31/0224
- IPC分类号： H01L31/0224 ; H01L31/0352 ; H01L31/072 ; H01L31/075 ; H01L31/18 ; B82Y10/00 ; B82Y30/00 ; C23C16/30 ; C23C16/56 ; H01L21/02 ; H01L51/42
摘要：
本发明的实施例提供一种由溶液型前驱物形成掺杂的砷化镓(GaAs)基层的方法。由该溶液型前驱物所形成的掺杂的砷化镓(GaAs)基层可帮助太阳能电池装置提高光吸收作用及转化效率。在一个实施例中，一种形成太阳能电池装置的方法包括：在基板表面上方形成第一层，在所述第一层内掺杂有第一种掺杂剂；在该第一层上形成砷化镓基层；以及在该砷化镓基层上形成第二层，在所述第二层内掺杂有第二种掺杂剂。
公开/授权文献
- CN103189999A 具有砷化镓吸收层的高效率太阳能电池装置 公开/授权日：2013-07-03
IPC分类:
