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公开(公告)号：CN107634075B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201710746185.4
申请日：2017-08-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/146 , H01L31/0236 , H01L31/0296 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y15/00
Abstract: 柔性背照全透式纳米紫外焦平面探测器芯片，涉及紫外焦平面探测器技术领域。在具有周期性纹理的聚酰亚胺柔性衬底上制备紫外探测器阵列，每个探测器作为感光像元。每个像元器件包括两个独立平行对称的ZnO薄膜，其上为金属电极薄膜。所述ZnO薄膜为ZnO纳米线生长的种子层。作为感光部分的纳米材料ZnO纳米线阵列在ZnO薄膜的侧壁自组织生长，桥接于两电极之间。紫外光由衬底背面入射。本发明以柔性材料为衬底，具有良好的柔韧性。同时，器件层结构简单，采用ZnO纳米材料，设计灵活，可实现高度的均匀性及探测效率。
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公开(公告)号：CN104697882A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410521143.7
申请日：2014-09-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N5/02
Abstract: 一种基于ZnO纳米线阵列的环境空气PM2.5颗粒物的质量传感器件及其制备方法，它涉及纳米技术与环境监测领域。本发明中，当环境气体流过ZnO纳米线阵列时，PM2.5颗粒附着在纳米线上，通过检测ZnO纳米线振动频率的改变，由ZnO纳米线振动频率和PM2.5颗粒质量之间的定量关系，从而检测PM2.5颗粒的质量。本发明简单有效，适用于日常生活中各种环境空气中PM2.5颗粒质量的检测。
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公开(公告)号：CN106409975B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201611012268.2
申请日：2016-11-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/0296 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种可定制的高增益ZnO纳米线阵列紫外探测器及其制备方法，涉及微电子工艺技术、纳米技术与紫外探测领域。本发明中，基于协同学理论，在涨落不稳定时，纳米线之间会彼此争夺反应溶质，在这种竞争机制下，种子层越薄，所需的溶质资源越少，生长时间由生长速率决定。基于此生长原理，本发明中，通过调整种子层厚度和溶液浓度、生长时间得到质量较高的纳米线，从而得到不同增益的紫外探测器件。本发明简单有效，定制不同增益的器件可适用于多种环境下的紫外光检测。
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公开(公告)号：CN107634075A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710746185.4
申请日：2017-08-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/146 , H01L31/0236 , H01L31/0296 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y15/00
Abstract: 柔性背照全透式纳米紫外焦平面探测器芯片，涉及紫外焦平面探测器技术领域。在具有周期性纹理的聚酰亚胺柔性衬底上制备紫外探测器阵列，每个探测器作为感光像元。每个像元器件包括两个独立平行对称的ZnO薄膜，其上为金属电极薄膜。所述ZnO薄膜为ZnO纳米线生长的种子层。作为感光部分的纳米材料ZnO纳米线阵列在ZnO薄膜的侧壁自组织生长，桥接于两电极之间。紫外光由衬底背面入射。本发明以柔性材料为衬底，具有良好的柔韧性。同时，器件层结构简单，采用ZnO纳米材料，设计灵活，可实现高度的均匀性及探测效率。
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公开(公告)号：CN107342351B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201710481596.5
申请日：2017-06-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于斜向ZnO纳米线/GaN pn结的LED及制备方法，涉及半导体的技术领域。本发明通过在半极性GaN外延层上生长斜向ZnO纳米线阵列，提高LED的光取出率和发光面积，实现在蓝紫光波段的高效发光。其中，半极性面(11‑22)的GaN层包括生长在m面Al2O3衬底上未掺杂的GaN层和其上掺Mg的p型GaN层；ZnO纳米线阵列直接由水热法生长在半极性GaN面上，为n型掺杂，斜向生长，与生长平面的夹角为30～35度；将斜向ZnO纳米线阵列用聚合物填充后，再在其上一层制作导电薄膜，作为负极，而正极位于GaN层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107039558B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201710281827.8
申请日：2017-04-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于斜向ZnO纳米线阵列调制的AlGaN/GaN紫外探测器，包括无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管和生长在无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极区域的斜向ZnO纳米线阵列；所述无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中的GaN外延层为半极性面(11‑22)的GaN层；所述GaN外延层包括GaN缓冲层、GaN沟道层和GaN帽层；所述GaN沟道层位于GaN缓冲层的上表面；所述斜向ZnO纳米线阵列与栅极区域的平面夹角为30～35°。本发明通过在无栅的高电子迁移率晶体管的栅极区域斜向生长ZnO纳米线阵列，提高探测器的探测效率，实现对紫外光强度的实时、精准、高效检测。
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公开(公告)号：CN106409975A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611012268.2
申请日：2016-11-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/0296 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1836 , H01L31/0296 , H01L31/035227 , H01L31/09
Abstract: 一种可定制的高增益ZnO纳米线阵列紫外探测器及其制备方法，涉及微电子工艺技术、纳米技术与紫外探测领域。本发明中，基于协同学理论，在涨落不稳定时，纳米线之间会彼此争夺反应溶质，在这种竞争机制下，种子层越薄，所需的溶质资源越少，生长时间由生长速率决定。基于此生长原理，本发明中，通过调整种子层厚度和溶液浓度、生长时间得到质量较高的纳米线，从而得到不同增益的紫外探测器件。本发明简单有效，定制不同增益的器件可适用于多种环境下的紫外光检测。
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公开(公告)号：CN107123701B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201710317590.4
申请日：2017-05-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/09 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种控制横向ZnO纳米线阵列紫外探测器均匀性的方法，涉及纳米技术与紫外探测技术领域。本发明利用水热法技术，基于二氧化硅衬底、种子层、台阶之间的相互作用，通过依次调整二氧化硅衬底种类、台阶处坡度、种子层厚度、溶液生长浓度和生长时间等实验参数得到高均匀性横向ZnO纳米线阵列的紫外探测器。本发明简单有效，提高了探测器均匀性和稳定性。
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公开(公告)号：CN107527962A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710668059.1
申请日：2017-08-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/036 , H01L31/072 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/072 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/0296 , H01L31/035227 , H01L31/036 , H01L31/18
Abstract: 一种高感光面积的斜向ZnO纳米线/GaN异质结太阳能电池，涉及半导体技术领域。所述斜向ZnO纳米线为n型；所述GaN层为半极性面(11-22)的GaN外延层，包括掺Mg的p型GaN层和生长在m面Al2O3衬底上未掺杂的GaN缓冲层；所述斜向ZnO纳米线阵列与生长平面的夹角为30～35度；所述斜向ZnO纳米线被半导体量子点覆盖并被聚合物所填充，其上一层为导电薄膜，作为上电极，下电极位于GaN层上斜向生长的ZnO纳米线阵列的另一侧的台面。本发明通过在半极性GaN外延层上生长斜向ZnO纳米线阵列，提高感光面积，实现高的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN107123701A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710317590.4
申请日：2017-05-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/09 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L31/1836 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/0296 , H01L31/035227 , H01L31/09
Abstract: 一种控制横向ZnO纳米线阵列紫外探测器均匀性的方法，涉及纳米技术与紫外探测技术领域。本发明利用水热法技术，基于二氧化硅衬底、种子层、台阶之间的相互作用，通过依次调整二氧化硅衬底种类、台阶处坡度、种子层厚度、溶液生长浓度和生长时间等实验参数得到高均匀性横向ZnO纳米线阵列的紫外探测器。本发明简单有效，提高了探测器均匀性和稳定性。
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