-
公开(公告)号：CN111095522A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880059904.8
申请日：2018-10-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , Z·J·叶 , K·D·李 , D·H·李 , V·普拉巴卡尔 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , X·闵
IPC: H01L21/683 , H02N13/00 , H01L21/67
Abstract: 本公开的实施方式涉及一种用于在处理腔室中使用来制造半导体器件的改进的静电吸盘。在一个实施方式中，一种处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有限定在其中的处理容积；以及静电吸盘，所述静电吸盘设置在所述处理容积内。所述静电吸盘包括：支撑表面，所述支撑表面上具有多个台面；一个或多个电极，所述一个或多个电极设置在所述静电吸盘内；以及陈化层，所述陈化层沉积在所述支撑表面上、在所述多个台面上方。所述支撑表面由含铝材料制成。所述一个或多个电极被配置为形成静电电荷以将衬底静电地固定到所述支撑表面。所述陈化层被配置为当衬底静电地固定到所述支撑表面时向所述衬底提供缓冲支撑。
-
公开(公告)号：CN110622282A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880031496.5
申请日：2018-05-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/3065
Abstract: 本公开的实施方式大体上涉及用于在基板和腔室部件上沉积金属硅化物层的方法和装置。在一个实施方式中，形成硬掩膜的方法包括：将具有目标层的基板定位在处理腔室内、在所述目标层上形成包括金属硅化物的种晶层和在所述种晶层上沉积钨基主体层，其中所述金属硅化物层和所述钨基主体层形成硬掩膜。在另一实施方式中，调节等离子体处理腔室的部件的方法包括：使包括氩气或氦气的惰性气体从气体施加器流动到所述等离子体处理腔室中、使基板支撑件暴露于所述等离子体处理腔室内的等离子体和在所述基板支撑件的铝基表面上形成包括金属硅化物的陈化层。
-
公开(公告)号：CN114901859B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202080091198.2
申请日：2020-10-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/32 , C23C16/458 , H01L21/033
Abstract: 半导体处理的示例性方法可以包括在半导体处理室的处理区域的暴露表面上形成氧化硅材料。方法可以包括形成覆盖在氧化硅材料上的氮化硅材料。方法可以包括在设置在半导体处理室的处理区域内的半导体基板上执行沉积工艺。方法可以包括执行腔室清洁工艺。
-
公开(公告)号：CN111434799B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202010041965.0
申请日：2020-01-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/513
Abstract: 本公开内容的各方面整体上涉及底座、其部件以及将其用于衬底处理腔室的方法。在一个实现方式中，一种用于在衬底处理腔室中进行设置的底座包括主体。所述主体包括支撑表面。所述主体还包括从所述支撑表面向上突出的台阶状表面。所述台阶状表面围绕所述支撑表面设置以包围所述支撑表面。所述台阶状表面限定边缘环，使得所述边缘环与所述底座成一体以形成所述主体，所述主体是整体的。所述底座还包括：电极，所述电极设置在所述主体中；以及一个或多个加热器，所述一个或多个加热器设置在所述主体中。
-
公开(公告)号：CN110622282B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201880031496.5
申请日：2018-05-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/3065
Abstract: 本公开的实施方式大体上涉及用于在基板和腔室部件上沉积金属硅化物层的方法和装置。在一个实施方式中，形成硬掩膜的方法包括：将具有目标层的基板定位在处理腔室内、在所述目标层上形成包括金属硅化物的种晶层和在所述种晶层上沉积钨基主体层，其中所述金属硅化物层和所述钨基主体层形成硬掩膜。在另一实施方式中，调节等离子体处理腔室的部件的方法包括：使包括氩气或氦气的惰性气体从气体施加器流动到所述等离子体处理腔室中、使基板支撑件暴露于所述等离子体处理腔室内的等离子体和在所述基板支撑件的铝基表面上形成包括金属硅化物的陈化层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111261487B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201911214538.1
申请日：2019-12-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·A·哈贾 , V·S·C·帕里米 , S·M·博贝克 , P·K·库尔施拉希萨 , V·K·普拉巴卡尔
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 具有改进的吸紧和电弧放电性能的静电吸盘设计。本公开的方面涉及用于处理腔室的衬底支撑件的一个或多个实现方式。在一个实现方式中，一种衬底支撑件包括：主体，所述主体具有中心；以及支撑表面，所述支撑表面在所述主体上，所述支撑表面被配置为至少部分地支撑衬底。所述衬底支撑件包括：第一成角度壁，所述第一成角度壁从所述支撑表面向上且径向向外延伸；以及第一上表面，所述第一上表面设置在所述支撑表面上方。所述衬底支撑件还包括第二成角度壁，所述第二成角度壁从所述第一上表面向上且径向向外延伸，所述第一上表面在所述第一成角度壁与所述第二成角度壁之间延伸。所述衬底支撑件还包括第二上表面，所述第二上表面从所述第二成角度壁延伸。所述第二上表面设置在所述第一上表面上方。
-
公开(公告)号：CN116057663A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180044400.0
申请日：2021-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阮芳 , P·K·库尔施拉希萨 , R·纳拉亚南 , D·凯德拉亚
IPC: H01J37/32
Abstract: 示例性的半导体处理腔室可包括气体箱。腔室可包括基板支撑件。腔室可包括定位在气体箱和基板支撑件之间的阻挡板。阻挡板可界定穿过板的多个孔口。腔室可包括位于阻挡板和基板支撑件之间的面板。面板的特征可在于面向阻挡板的第一表面和与第一表面相对的第二表面。面板的第二表面和基板支撑件可至少部分地在半导体处理腔室内界定处理区域。面板的特征可在于中心轴线，并且面板可界定穿过面板的多个孔口。面板可界定围绕多个孔口且径向向外延伸的多个凹陷。多个凹陷中的每个凹陷可从面板的第二表面延伸到比面板的厚度要小的深度。
-
公开(公告)号：CN115461839A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180030852.3
申请日：2021-02-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 闵笑全 , 许璐 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李
IPC: H01L21/02 , H01L21/308 , C23C16/26 , C23C16/50
Abstract: 本文公开了一种用于形成碳硬模以改善沉积均匀性和蚀刻选择性的方法和设备。碳硬模可在PECVD处理腔室中形成，并且碳硬模是掺杂氮的碳硬模。使用含氮气体、含氩气体和碳氢化合物气体来形成掺杂氮的碳硬模。
-
公开(公告)号：CN114868238A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202080090318.7
申请日：2020-12-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括腔室主体，所述腔室主体包括侧壁和底座。腔室可包括延伸穿过腔室主体的底座的基板支撑件。基板支撑件可包括配置成支撑半导体基板的支撑台板。基板支撑件可包括与支撑台板耦接的轴。基板支撑件可包括与基板支撑件的轴耦接的屏蔽件。屏蔽件可包括穿过屏蔽件限定的多个孔口。基板支撑件可包括安置在屏蔽件的孔口中的块。
-
公开(公告)号：CN113994463A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202080041770.4
申请日：2020-04-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 胡良发 , A·A·哈贾 , S·M·博贝克 , P·K·库尔施拉希萨 , Y·铃木
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/687 , H02N13/00 , B23Q3/15 , C23C16/458
Abstract: 本公开的实施例总体涉及用于在半导体装置处理期间减少基板背侧损伤的设备和方法。在一个实施方案中，一种在基板处理腔室中吸附基板的方法包括以下步骤：在将吸附电压施加到基板支撑件之前将基板暴露于等离子体预热处置。在一个实施方案中，提供了一种基板支撑件，并且所述基板支撑件包括主体，所述主体具有设置在其中的电极和热控制装置。多个基板支撑特征形成在主体的上表面上，基板支撑特征中的每一个基板支撑特征具有基板支撑表面和圆形边缘。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
64
records
(took 0.022 seconds)
