公开(公告)号：CN102017161B

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN200980115221.0

申请日：2009-04-10

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  黑田理人

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/092 ,  H01L29/045 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

Abstract: 在反型晶体管或本征型晶体管、以及半导体层的积累层电流控制型积累型晶体管中，由于杂质原子浓度的统计偏差，阈值电压的偏差在微细化世代变大，难以确保LSI的可靠性。可以得到通过控制半导体层的膜厚和杂质原子浓度而形成的大电流控制积累型晶体管，使得耗尽层的厚度大于半导体层的膜厚。例如，通过使半导体层的膜厚为100nm并且杂质浓度高于2×1017[cm-3]，阈值偏差的标准偏差可以小于由电源电压所决定的偏差。

公开(公告)号：CN101490823B

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200780026534.X

申请日：2007-07-12

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  黑田理人

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/518 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7857

Abstract: 在遮光的状态下，在氮气环境中，通过用加氢超纯水洗净硅表面，实现峰谷(P-V)值在0.3nm以下的平坦度，同时通过使电极和硅之间的功函数差在0.2eV以下，实现接触电阻在10-11Ωcm2以下。由此，可以得到能够以10GHz以上的频率动作的半导体装置。

公开(公告)号：CN101897012B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200880120041.7

申请日：2008-10-07

Applicant: 株式会社新川 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 前田徹 ,  歌野哲弥 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 ,  B23K20/007 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/781 ,  H01L2224/78268 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/7865 ,  H01L2224/78744 ,  H01L2224/85009 ,  H01L2224/85013 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/00

Abstract: 在焊接装置(10)中，包括：内部保持惰性气体气氛的室(12)；第一等离子枪(20)，安装在室(12)中，将等离子化气体照射置于室(12)内的衬底(41)和半导体芯片(42)，进行焊接点和电极的表面处理；第二等离子枪(30)，安装在室(12)中，将等离子化气体照射位于室(12)内的毛细管(17)前端的初始球(19)或引线(18)，进行初始球(19)或引线(18)的表面处理；焊接处理部(100)，在室(12)内将经表面处理的初始球(19)、引线(18)焊接在经表面处理的焊接点及电极上。由此，有效地进行电极、焊接点及引线双方的表面清洁。

公开(公告)号：CN102124550A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200980130051.3

申请日：2009-07-08

Applicant: 株式会社新川 ,  国立大学法人东北大学 ,  株式会社爱发科

Inventor： 前田徹 ,  谷川徹郎 ,  寺本章伸 ,  小田正明

IPC: H01L21/60 ,  B22F1/02 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: B22F1/0062 ,  B22F2999/00 ,  H01L21/4867 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11318 ,  H01L2224/1152 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/13399 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  B22F1/0018 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 在将由分散剂(102)涂布表面的金属纳米粒子(101)混合到有机溶剂(105)中前或混合后，将氧作为氧纳米气泡(125)或氧气泡(121)注入有机溶剂(105)中，通过加压烧结制造用于接合半导体芯片的电极和线路板的电极以及/或半导体芯片的电极和另一半导体芯片的电极的金属纳米油墨(100)。将该金属纳米油墨(100)的微液滴射出到电极上，在半导体芯片的的电极和线路板的电极上形成凸块，使得半导体芯片反转，对位叠合在线路板上后，对各电极间的凸块加压并加热，加压烧结凸块的金属纳米粒子。由此，抑制加压烧结时产生空隙。

公开(公告)号：CN101425503B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200810173026.0

申请日：2008-10-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 根本刚直 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/345 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，可以抑制对层间绝缘膜的损伤，且通过溅射形成以钽为主要成分的阻挡膜。该制造方法具备在层间绝缘膜(113)上通过使用氙气的溅射，形成以钽或氮化钽为主要成分的阻挡膜(116)的溅射成膜工序。溅射成膜工序也可以具备：在层间绝缘膜(113)上，通过对基板施加RF偏压而进行的使用氙气的溅射来形成以氮化钽为主要成分的阻挡膜(116A)的工序；通过不施加RF偏压而进行的使用氙气的溅射，在阻挡膜(116A)上形成以钽为主要成分的阻挡膜(116B)的工序。阻挡膜(116)也可以通过使RF偏压连续地变化，在层间绝缘膜(113)一侧施加RF偏压来形成，在布线层(117)一侧不施加RF偏压来形成。

公开(公告)号：CN101981631A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980111514.1

申请日：2009-03-26

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  住友大阪水泥股份有限公司

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  石塚雅之 ,  日高宣浩 ,  白方恭

IPC: H01B3/00 ,  C08K9/04 ,  H05K1/03

CPC classification number: H05K1/0373 ,  B22F1/02 ,  B22F2998/00 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/24 ,  H01F1/26 ,  H01F1/37 ,  H05K1/0233 ,  H05K1/024 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0215 ,  H05K2201/0224 ,  H05K2201/0245 ,  H05K2201/086 ,  Y10T428/24 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/256 ,  Y10T428/257 ,  Y10T428/258 ,  B22F3/16

Abstract: 本发明的课题在于，提供一种可有效用于搭载于电子设备的电子部件或电路基板的小型化的呈现出低磁性损失(tanδ)的复合材料及其制造方法。本发明的复合材料含有绝缘材料和分散在该绝缘材料内的微粒，所述微粒预先用实质上与所述绝缘材料相同成分的绝缘材料包覆。所述微粒由有机物或无机物构成，形状优选为扁平形状。作为绝缘材料，适合使用电子部件领域通常使用的绝缘材料。作为本发明的复合材料的优选制造方法，有将微粒预先用绝缘材料包覆并使其分散于实质上与所述绝缘材料相同成分的绝缘材料中的方法。本发明的复合材料应用于电路基板及/或电子部件的材料，由此可以实现数百MHz～1GHz频带的信息通信设备进一步小型化、低功耗化。

公开(公告)号：CN101194345B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680020281.0

申请日：2006-06-07

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  本多稔 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185

Abstract: 本发明的等离子体氮化处理方法，由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理容器内，形成含氮气体的微波激发高密度等离子体，在等离子体处理装置的处理容器内，使该高密度等离子体作用于被处理体表面的硅，在500℃以上的处理温度下进行氮化处理。

公开(公告)号：CN100595896C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200680018680.3

申请日：2006-06-16

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明的半导体装置包括：设置在SOI基板上的半导体层(SOI层)、和设置在所述SOI层上的栅电极，按照所述栅电极与所述SOI层之间的功函数差所引起的耗尽层的厚度大于所述SOI层的膜厚的方式设定所述SOI层的膜厚，并且至少包括一种常关闭的MOS晶体管。

公开(公告)号：CN100550421C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200680002450.8

申请日：2006-01-17

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，用氟化碳(CFx、0.3＜x＜0.6)或碳氢化合物(CHy、0.8＜y＜1.2)形成栅绝缘膜(硅氧化膜)以外的元件分离领域、层间绝缘膜以及保护绝缘膜的至少一部分。

公开(公告)号：CN101238566A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200580051329.X

申请日：2005-08-18

Applicant: 爱德万测试株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 冈安俊幸 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L23/544 ,  G01R31/31718 ,  G11C2029/4402 ,  H01L21/76254 ,  H01L22/14 ,  H01L2223/5444 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49004 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供电子器件的器件识别方法，是识别具有电子器件实际工作时工作的实际工作电路；以及设有多个测试用元件，在测试电子器件时工作的测试用电路的电子器件的器件识别方法；该方法具有：特性测量步骤，其测试多个测试用元件的电特性；识别信息存储步骤，其作为电子器件的识别信息存储各个测试用元件的电特性；识别信息取得步骤，其为了识别所需的电子器件，测量该电子器件中包含的多个测试用元件的电特性，取得该电子器件的识别信息；匹配步骤，其将识别信息取得步骤取得的前述识别信息与识别信息存储步骤存储的识别信息进行比较，当识别信息一致的情况下，判定为同一电子器件。